PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotoprąd
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Charge carrier mobility in non-equilibrated transport in molecular materials
Kania Sylwester, Kościelniak-Mucha Barbara, Kuliński Janusz, Słoma Piotr, Wojciechowski Krzysztof
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2019
|
Vol. 40
37--46
EN
Non-equilibrated transport of charge carriers in the molecular material depends on the structure and packing of the molecules. Explanation of the measurements of the photocurrent generated with use of UV flash light in organic layer needs to define the quantity of charge carriers mobility. Definition of this quantity in the scope of some defined transport model requires the detailed analysis of generation, recombination and charge transfer between neighbouring molecules. The problem is discuss on the basis of transport properties of two anthracene derivatives.
PL
Opis nierównowagowego transportu nośników ładunku w warunkach fotoprądu wzbudzanego impulsem światła wymaga zdefiniowania ruchliwości nośników ładunku. Definicja tej wielkości w odniesieniu do określonego modelu transportu wymaga wnikliwej analizy procesów generacji, rekombinacji i transferu ładunku pomiędzy sąsiadującymi cząsteczkami. W tej pracy do opisu transportu nośników ładunku w antronie i antrachinonie wykorzystano teorię Marcusa–Husha, która dotyczy transportu hoppingowego. Uzyskano prawie identyczne wartości ruchliwości dziur w obu materiałach, tj. 1,7·10-2 cm2/Vs oraz identyczne wartości ruchliwości elektronów 4,7·10-2 cm2/Vs. Pomimo prostoty rozważań teoretycznych uzyskane wyniki obliczeń dają jakościowo poprawny obraz transportu, zgodny z wynikami doświadczalnymi. Dla obu związków wartości ruchliwości obliczone za pomocą teorii Marcusa-Husha zarówno dla transportu dziur jak i dla transportu elektronów są w zakresie transportu hoppingowego.
2
Optical spectroscopy of polyazomethine-PCBM nanostructures
Korona K. P., Grankowska S., Iwan A., Korona T., Rutkowska-Zbik D., Kamińska M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 9
92-94
EN
We report optical properties of a recently synthesized 25Th-cardo polyazomethine (PAZ) and of its mixture with [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM). The polymer film had significant absorption for wavelengths shorter than 480 nm (2.6 eV). The external quantum efficiency of 25Thcardo: PCBM solar cell was the highest (about 0.3%) in the near UV range. Theoretical calculations show that HOMO energy levels are equal to –5.99 eV and –5.95 eV for PAZ and PCBM, respectively. Such a small energy difference enables hole leaking from PAZ to PCBM, what can explain low photo-current yield and presence of PCBM absorption bands in the photocurrent spectrum. Time-resolved photoluminescence revealed the emission band at 2.10 eV with a fast decay time of 7 ps, and the more stable band at 1.88 eV. It was observed that PCBM caused quenching of the PAZ emission, what indicates the energy transfer from PAZ to PCBM.
PL
W niniejszej pracy przedstawiamy właściwości optyczne otrzymanej poliazometiny 25Th-cardo i jej mieszaniny z estrem [6,6]-fenylo-metylowym-C61 kwasu masłowego (PCBM). Dla polimeru obserwujemy znaczącą absorpcję dla długości fal krótszych niż 480 nm (2,6 eV). Zewnętrzna wydajność kwantowa ogniw słonecznych na bazie 25Th-cardo:PCBM była najwyższa (około 0,3%) w zakresie bliskiego UV. Obliczenia teoretyczne pokazują, że energie poziomów HOMO są równe -6,0 eV i -5,99 eV, odpowiednio dla 25Th-cardo i PCBM. Tak mała różnica energii umożliwia wyciekanie dziur z 25Th-cardo do PCBM, co może tłumaczyć niską wydajność ogniw oraz obecność pasm absorpcyjnych PCBM w widmie fotoprądu. Fotoluminescencja czasowo-rozdzielcza daje pasmo emisji dla energii 2,10 Ev o szybkim czasie zaniku (7 ps) oraz bardziej stabilne pasmo przy 1,88 eV. Stwierdzono, że dodatek PCBM powoduje stłumienie emisji 25Th-cardo, co wskazuje na przenoszenie energii z 25Th-cardo do PCBM.
3
Content available remote Fotowoltaiczne właściwości cienkich warstw Zn-In-O
Kisiel A., Ziaja J., Chowaniec R.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2013
|
R. 89, nr 7
271--273
PL
Celem pracy było wytworzenie i zbadanie fotowoltaicznych właściwości cienkich warstw tlenku cynku z indem. Do otrzymania warstw Zn-In-O zastosowano technikę rozpylania magnetronowego. Właściwości fotowoltaiczne uzyskanych warstw określano przez pomiar wartości natężenia prądu w zależności od długości fali i wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych. Wartość fotoprądu ulegała zmianie w zależności od długości fali świetlnej. Wielkość tych zmian zależała od wartości częstotliwości zastosowanej podczas nanoszenia warstw ZnInO.
EN
The aim of the study was to manufacture and investigation of photovoltaic properties of Zn-In-O thin films obtained by magnetron sputtering method. Photovoltaic properties were tested by measurement of photocurrent intensity as a function of wavelength and determination of current-voltage characteristics. The results obtained indicate that photocurrent value varied with wavelength change. These changes depended on the impulse group frequency value applied during formation of layers.
4
Content available Struktura i fotowoltaiczne właściwości warstw Zn-In-O
Kisiel A., Ziaja J., Chowaniec R.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2012
|
Z. 259
69--70
PL
Celem pracy było wytworzenie i zbadanie fotowoltaicznych właściwości cienkich warstw tlenku cynku z indem. Do otrzymania warstw Zn-In-O zastosowano technikę rozpylania magnetronowego w atmosferze gazu reaktywnego, którym był tlen. Spośród wielu parametrów tego procesu, które mogą wpływać na właściwości warstw, zmieniana była tylko częstotliwość grupowa danej serii próbek (od 0,52 do 4,03 kHz). Pozostałe parametry były stałe (p = 1.0·10-2 Tr, P = 200 W, t = 25 min). Właściwości fotowoltaiczne uzyskanych warstw określano przez pomiary wartości natężenia prądu w zależności od długości fali i wyznaczenie charakterystyk prądowo-napięciowych bez oświetlenia oraz przy naświetleniu światłem o wybranych długościach fal. Otrzymane wyniki wskazują, że wartość fotoprądu ulegała zmianie w zależności od długości fali świetlnej. Wielkość tych zmian zależała od wartości częstotliwości zastosowanej podczas nanoszenia warstw ZnInO. Największe wartości fotoprądu (do kilkuset mikroamperów) uzyskano w przypadku próbek otrzymanych przy najwyższej z zastosowanych częstotliwości – około 4 kHz. Przeprowadzone badania pokazują, że uzyskane warstwy ZnInO wykazują właściwości fotowoltaiczne. Zmiana jednego z parametrów formowania – częstotliwości grupowej impulsów, wpływa na wartość zmierzonych fotoprądów. W przyszłości istotne byłoby również zbadanie wpływu innych czynników na właściwości fotowoltaiczne warstw ZnInO.
EN
The aim of the study was to manufacture and investigation of photovoltaic properties of Zn-In-O thin films. The samples were obtained by magnetron sputtering method at the atmosphere of reactive gas (oxygen). There are many parameters, which can influence properties of manufactured films. During experiment only group frequency of the impulses was changed, in the range from 0.52 to 4.03 kHz. Other factors of magnetron sputtering process, such as power, time of deposition, temperature and vacuum level were constant (p = 1.0·10-2 Tr, P = 200 W, t = 25 min). Photovoltaic properties of formed ZnInO films were tested by measurement of photocurrent intensity as a function of wavelength and determination of current-voltage characteristics without illumination and for selected wavelength. The results obtained indicate that photocurrent value varied with wavelength change. These changes depended on the impulses group frequency value applied during formation of layers. The thin ZnInO films manufactured at the frequency 4 kHz showed the highest photocurrent values (about hundreds of miliampers) in the whole measured spectral range. The carried out experiments demonstrate that oxide zinc with indium thin films obtained during sputtering process show photovoltaic properties. Impulses frequency group significantly affected the photovoltaic activity of the samples. In the future work influence of other technological parameters of magnetron sputtering process on the ZnInO films photocurrent value will be investigate.
5
Układ pomiarowy dla monitoringu pracy modułu fotowoltaicznego oraz dane monitoringu w warunkach południowo-wschodniej Polski
Cypryś P., Płoch D., Woźny M., Sheregii E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 4
51-55
PL
W artykule zaprezentowano dane monitoringu pracy modułu fotowoltaicznego w warunkach klimatycznych południowo-wschodniej Polski. Została opisana metodyka pomiarów i przedstawiono krzywe czasowe fotoprądu, uzyskanych mocy odebrane przez moduł porównując je jednocześnie z natężeniem promieniowania słonecznego jakie pada na badany moduł. Obliczono zysk energetyczny odpowiadający miesiącom letnim dla tygodnia z niskim zachmurzeniem i zachmurzeniem zmiennym oraz maksymalną sprawność jaką można było osiągnąć w warunkach prowadzonych badań. Omówiono problematykę uzyskiwania energii elektrycznej z ogniw słonecznych i ich przyszłość we współczesnej gospodarce południowo-wschodniego regionu Polski.
EN
The article presents the monitoring data of the photovoltaic module in the climate conditions of south-eastern Poland. The corresponding set-up for measurements is described and the curves of the photocurrent and received power from the module are shown in the time function which are compared with the solar radiation intensity falling on the module. The received energetic profit is counted for two weeks in summer: one without cloudiness and one with changing cloudiness. The maximal efficiency reached in these conditions is calculated too. The problems to getting electric energy from solar cells and its forecasting future in the present economy of south-eastern Poland are discussed also.
6
Zastosowanie metody LBIC do badania detektorów AlGaN MSM
Paszkiewicz B., Szyszka A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2004
|
Vol. 45, nr 10
31-32
PL
Technika LBIC (Light Beam Induced Current) została zastosowana do charakteryzacji testowych struktur detektorów MSM wykonanych na warstwie AlGaN. Zauważono niejednorodności generowanego fotoprądu nie wynikające z morfologii powierzchni. Przeprowadzone pomiary pozwoliły na oszacowanie odległości rzędu ułamków mikrometrów, którą przebywają nośniki w polu elektrycznym w warstwie zubożonej AlGaN. Zastosowanie metody LBIC umożliwiło ocenę jakości warstw zastosowanych do wytwarzania detektorów AlGaN MSM.
EN
Light Beam Induced Current (LBIC) technique was used for investigation of AlGaN MSM test structures. The obtained results were correlated with device morphology obtained by scanning electron microscopy. This allowed us to investigate influence of MSM structure fabrication process on electronic transport in the thin epitaxial layer.
7
Influence of sample thickness non-uniformities on the modulated photocurrents in amorphous solids
Grygiel P., Tomaszewicz W.
Prace Naukowe. Chemia / Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Częstochowie
|
2003
|
Vol. 8
29--35
8
Influence of sample thickness, temperature and electric field strength on modulated photocurrents in poly(n-vinylcarbazole)
Grygiel P., Tomaszewicz W., Wiśniewski G.
Prace Naukowe. Chemia / Wyższa Szkoła Pedagogiczna w Częstochowie
|
2001
|
Vol. 5
131--141
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.