Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotoogniwa krzemowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The aim of the paper is to formulate an additive model enabling more effective optimization of silicon solar cells. According to the model, a flux of carriers flowing through the one dimensional, simple p-n junction is divided into components connected with processes occurring in the cell i.e. generation, front surface recombination, back surface recombination, respectively. Each of the component fluxes is defined by an appropriate quantum efficiency subsequently subjected an analysis. The introduced component quantum efficiencies become new optimization criteria. The separate consideration of the processes makes easier to formulate design criteria for solar cells. The obtained results open the possibility to study solar cells, in which the light trapping methods are applied, e.g. texturization.
PL
Celem pracy jest sformułowanie addytywnego modelu umożliwiającego efektywniejszą optymalizację foto - ogniw krzemowych. Zgodnie z modelem strumień nosników przepływajacy przez jednowymiarowe, proste złącze p-n podzielono na składniki związane z procesami zachodzacymi w foto - ogniwie, czyli odpowiednio z: generacją, rekombinacją na powierzchni przedniej, rekombinacją na powierzchni tylnej. Każdy strumień składowy został zdefiniowany przez odpowiednią kwantową sprawność poddaną następnie analizie. Wprowadzone składowe kwantowe sprawności stają się nowymi kryteriami optymalizacyjnymi, których suma stanowi kwantową sprawność foto – ogniwa. Odrębne rozpatrywanie każdego z procesów w znacznym stopniu upraszcza formułowanie kryteriów projektowych. Otrzymane wyniki otwierają możliwosc studiowania foto - ogniw, w których zastosowano metody pułapkowania swiatła np. teksturyzację.
PL
W artykule omówiono postępy w rozwoju fotowoltaiki na tle panującej obecnie technologii opartej na krzemie krystalicznym. Ogniwa cienkowarstwowe zaliczone zostały do fotowoltaiki drugiej generacji. Pokrótce opisano własności najpopularniejszych grup ogniw cienko-warstwowych, począwszy od ogniw opartych na krzemie amorficznym i jego stopach, poprzez ogniwa CdTe do ogniw CIS/CIGS. Przedyskutowano zagadnienie teoretycznej sprawności maksymalnej ogniw. Scharakteryzowane zostały nowe zjawiska stanowiące podstawę wytwarzania ogniw trzeciej generacji. Omówiono budowę wielozłączowego ogniwa typu tandem o wysokiej wydajności, zjawisko wielokrotnego tworzenia par elektron-dziura, naturę ogniw wielopasmowych oraz ogniwa opartego na konwersji termofotowoltaicznej.
EN
Recent progress in photovoltaics in comparison to crystalline silicon cells technology has been reviewed. Thin film solar cells were classfied as second generation photovoltaics. The properties of the most popular groups of thin film cells have been shortly described, starting from those of amorphous silicon and its alloys through CdTe until CIS/CIGS solar cells. The theoretical cells efficiency limit is analyzed. New phenomena and materials lying at the base of manufacturing third generation solar cells are characterized. The construction of multiple tandem cell of high efficiency, the phenomenon of multiple electron-hole pairs generation, the properties of multiband solar cells are discussed. Thermophotovoltaic effect, where a light from a heated body other than the sun is used as the illumination, and examples of cells which can work by this conversion are also described.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.