W pracy przedstawiono teoretyczną analizę wpływu stanów elektronowych na granicy izolator/GaN oraz jakości objętości GaN (czasu życia nośników nadmiarowych) na fotopojemność i fotonapięcie powierzchniowe w spolaryzowanej elektrycznie strukturze metal/izolator/GaN oświetlonej promieniowaniem ultrafioletowym. Obliczenia wykonano korzystając z równań modelu dryftowo-dyfuzyjnego rozwiązywanych metodą elementów skończonych w pakiecie COMSOL Multiphysics. Analizę przeprowadzono pod kątem zastosowania struktury w detekcji ultrafioletu.
EN
The paper contains the theoretical analysis of the influence of electron states at an insulator/GaN mterface and of GaN bulk quality (in terms of carrier lifetime) on photocapacitance and surface photovoltage in the metal/insulator/n-GaN structure under ultraviolet light illumination and under the metal gate bias. The calculations have been done using the equations of the drift-diffusion model solved utilizing finite element method in COMSOL Multiphysics package The results have been analyzed from the viewpoint of the application of the structure for ultraviolet detection.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.