PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotodiody
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Długofalowe fotodiody z HgCdTe pracujące w temperaturach bliskich pokojowej
Madejczyk P., Gawron W., Martyniuk P., Kowalewski A., Pawluczyk J., Piotrowski A., Kębłowski A., Pusz W., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 10
13-15
PL
Praca prezentuje wyniki badań nad minimalizacją, prądu ciemnego w heterostrukturach z HgCdTe przeznaczonych do delekcji promieniowania podczerwonego w zakresie LWIR W artykule przedstawiono wyniki symulacji z wykorzystaniem pakietu APSYS wspomagającego projektowanie heterostruktur z HgCdTe optymalizowanych ze względu na pracę w warunkach nierównowagowych. Do wytwarzania takich struktur wykorzystano technologię MOCVD, która umożliwia osądzanie warstw HgCdTe o dowolnym profilu składu i domieszkowania zarówno donorowego jak i akceptorowego bez konieczności wygrzewania poprocesowego. Przedstawiono wpływ architektury absorbera oraz warstw przejściowych (interfejsów) na wartość prądu ciemnego l min.
EN
The researches on minimizing of dark current in HgCdTe heterastructures designed for infrared detection in LWIR range are presented. The paper presents program APSYS simulation results supporting design of HgCdTe heterestructures optimized for non-equilibrium mode of operation. MOCVD technology have been used for HgCdTe deposition with lull range of composition and donor and acceptor doping without post grown annealing. The absorber layer and interface layers architecture influence on dark current l min are presented.
2
Content available Nowe metody kształtowania charakterystyk czułości widmowej fotoodbiorników krzemowych
Braczkowski R.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2006
|
Z. 228
107-111
PL
W referacie omówię nowe fotoodbiorniki z kształtowaniem charakterystyk czułości widmowej. Porównam ich cechy z fotoodbiornikami z filtrami mozaikowymi i warstwowymi.
EN
In this report I will talk about new photoreceirers with spectral sensitivity shaping. I will compare their features with photoreceireivers with laminated and mosaic filters.
3
Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe : z perspektywy 50 lat
Klamka J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 6
40-46
PL
Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.
EN
In the paper, a history of the first semiconductor devices that were designed in Poland by the author and his co-workers, is described. It includes rectifier diodes, Zener diodes, photodiodes and microwave devices (varactors, avalanche diodes, PIN diodes, Gunn diodes, Schottky diodes, transistors and subsystems) - all developed at the Institute of Electron Technology, mainly in the Microwave Division of that Institute.
4
Content available remote The EBIC study of boundary effects in the Si PIN photodiodes for X-ray detector applications
Riesz F., Toth A.L., Ryć L., Słysz W., Węgrzecki M.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 4
635-646
EN
The electron-beam-induced current (EBIC) method is employed to study the boundary effects of the commercial BPYP and BPYP 42 photodiodes, aiming at a better understanding of their response to α-particle and light-pulse excitation. Our results show that the EBIC method is suitable for the assessment of photodetectors for X-ray detector applications. The sensitivities of different detector areas are quantitatively assessed. A good agreement is found with pulse-height spectra measurements. The complementary nature of electron-beam and light-pulsed/a-particle excitation is pointed out.
PL
Metoda pomiaru prądów indukowanych wiązką elektronową (EBIC) została zastosowana do badania wpływu efektów brzegowych na działanie fotodiod BPYP 44 i BPYP 42 użytych do detekcji impulsów promieniowania X emitowanego z plazmy laserowej. Dodatkowym celem pracy było wyjaśnienie nietypowych efektów obserwowanych podczas detekcji impulsów światła i cząstek α. Stwierdzono, że wnioski dotyczące funkcjonowania fotodiod, otrzymywane za pomocą różnych metod stymulacji, wzajemnie się potwierdzają i uzupełniają. Na ich podstawie można ocenić wkład poszczególnych obszarów powierzchniowych struktur do odpowiedzi detektorów na impuls promieniowania X.
5
Content available remote Potential application of the AlGaAs/GaAs heterostructure photodiodes for laser-plasma diagnostics
Ryć L., Riesz F.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 4
647-655
EN
The AlGaAs/GaAs heterostructure PIN photodiodes, grown by molecular beam epitaxy, are evaluated for the measurement of laser pulses and X-ray diagnostics of laser-induced plasmas. Excitation by the 820 nm laser pulses yields rise time of the detector less than 200 ps. The device is sensitive to 1.06 µm pulses from the Nd:YAG laser. Also α-particle spectra are measured and interpreted. The detector is able to operate at zero bias. Theoretical response to X-rays is calculated.
PL
W pracy oceniono możliwość zastosowania fotodiodowej, epitaksialnej struktury p-i-n AIGaAs/GaAs do pomiaru impulsów laserowych i impulsów promieniowania X z plazmy laserowej. Przeprowadzone zostały testy struktur próbnych za pomocą impulsów światła z diody laserowej (820 nm), z lasera Nd:YAG (1,06 µm) oraz z użyciem źródła cząstek α (241Am). Stwierdzono, że detektory mogą pracować z zerowym napięciem polaryzacji. Czas narastania impulsów wyjściowych wynosił mniej niż 200 ps. Dla pełnej oceny możliwości detekcyjnych wykonano obliczenia wydajności detektorów na promieniowanie X dla różnych wariantów struktury powierzchniowej.
6
Content available remote Application of simulation tools for design of large area silicon photodetector technology
Jaroszewicz B., Tomaszewski D., Słysz W., Grabiec P., Jung W.
Nukleonika
|
1999
|
Vol. 44, nr 2
129-136
EN
Shallow p+-n junctions in silicon for ultraviolet range photodiode application are simulated using the ATHENA/SSUPREM4 software package and manufactured by means of double peak implantation of BF2+ions with energies and doses (10/34) keV and (1/3)x1015cm-2, respectively. The case of dual implantations of F+ ions followed by B+ ions with the energies and doses (34/7.6) keV and (2.5/3.0)x1015cm-2, respectively has been also investigated. The physical and electrical parameters of the photodiodes manufactured in different variants were simulated and tested.
PL
Płytkie krzemowe złącza p+-n stosowane jako fotodiody na zakres ultrafioletu symulowano za pomocą oprogramowania ATHENA/SSUPREM4 oraz wytwarzano za pomocą podwójnej implantacji jonów BF2+ o energiach (10 i 34) keV oraz odpowiadającymi im dozami (1i 3)x1015cm-2. Badano również wariant, w którym przeprowadzono podwójną implantacje jonów F+, a następnie jonów B+ o energiach (34 i 7,6) keV oraz odpowiadającymi im dozami (2,5 i 3,0)x1015cm-2. Symulowano i testowano fizyczne i elektryczne parametry fotodiod wytworzonych w różnych wariantach.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.