Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Nukleonika

1 1999

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: fotodetektory krzemowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Application of simulation tools for design of large area silicon photodetector technology

Jaroszewicz B., Tomaszewski D., Słysz W., Grabiec P., Jung W.

Nukleonika

1999

Vol. 44, nr 2

129-136

Shallow p+-n junctions in silicon for ultraviolet range photodiode application are simulated using the ATHENA/SSUPREM4 software package and manufactured by means of double peak implantation of BF2+ions with energies and doses (10/34) keV and (1/3)x1015cm-2, respectively. The case of dual implantations of F+ ions followed by B+ ions with the energies and doses (34/7.6) keV and (2.5/3.0)x1015cm-2, respectively has been also investigated. The physical and electrical parameters of the photodiodes manufactured in different variants were simulated and tested.

Płytkie krzemowe złącza p+-n stosowane jako fotodiody na zakres ultrafioletu symulowano za pomocą oprogramowania ATHENA/SSUPREM4 oraz wytwarzano za pomocą podwójnej implantacji jonów BF2+ o energiach (10 i 34) keV oraz odpowiadającymi im dozami (1i 3)x1015cm-2. Badano również wariant, w którym przeprowadzono podwójną implantacje jonów F+, a następnie jonów B+ o energiach (34 i 7,6) keV oraz odpowiadającymi im dozami (2,5 i 3,0)x1015cm-2. Symulowano i testowano fizyczne i elektryczne parametry fotodiod wytworzonych w różnych wariantach.