PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fotodetektory
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Wybrane zastosowania układów detekcji promieniowania optycznego w nowoczesnych systemach optoelektronicznych
Mikołajczyk Janusz, Prokopiuk Artur, Szabra Dariusz, Pietrzyk Beata, Nowakowski Mirosław, Achtenberg Krzysztof, Bielecki Zbigniew, Wojtas Jacek
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2019
|
Vol. 60, nr 1
16--22
PL
Artykuł dotyczy wybranych wyników prac badawczo-rozwojowych realizowanych w Zespole Detekcji Sygnałów Optycznych IOE WAT. Prace te dotyczą głównie fotoodbiorników na różne zakresy widmowe, ultraczułych analizatorów gazów do wykrywania materiałów wybuchowych i biomarkerów chorób w ludzkim oddechu oraz bezpiecznych łączy laserowych w otwartej przestrzeni. W pracy opisano przykładowe układy detekcji promieniowania optycznego z zakresu od ultrafioletu do dalszej podczerwieni, które powstały w ramach prac statutowych i projektów badawczo-rozwojowych. Szczególną uwagę zwrócono na aspekty aplikacyjne uzyskanych wyników wskazując jednocześnie właściwości technologii, dla których zostały one zaprojektowane.
EN
The article presents a brief description of research and development works carried out by Group of Optical Signal Detection at the Institute of Optoelectronics, MUT. These activities mainly concern the construction of photoreceivers operated in various spectral ranges, ultra-sensitive gas analyzers for detection of explosives and diseases biomarkers in human breath, and free space optical data link. Some exemplary detection systems of radiation spectra from ultraviolet to longer infrared, which were designed as a part of academic works or R&D projects, are described. Some practical aspects of these results for some optoelectronic technologies are discussed.
2
Badania układów detekcji promieniowania optycznego w zakresie od skrajnego nadfioletu do dalekiej podczerwieni
Mikołajczyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 11
48--51
PL
W artykule przedstawiono wyniki prac zrealizowanych w laboratorium detekcji sygnałów optycznych Instytutu Optoelektroniki WAT. Dotyczą one badań, które były realizowane w ramach projektów naukowych, jak również współpracy z innymi zespołami naukowymi. Przedstawiono rezultaty parametryzacji układów detekcji pracujących w różnych zakresach widma promieniowania optycznego z uwzględnieniem ich praktycznego zastosowania.
EN
The article presents selected research carried out at the Laboratory of Optical Detection Systems, IOE MUT. There were underlined works related to investigation of different generations of detectors and detection modules. The scope of research results from the framework of science projects, as well as from other team’s cooperation. Descriptions concern the detection systems characterization at different spectra of optical radiation taking into consideration their dedicated applications.
3
Content available Silicon-on-Insulator technology for imaging and application to a switching photodetector
Abdo N., Sallin D., Koukab A., Estribeau M., Magnan P., Kayal M.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2015
|
Vol. 6, nr 4
136--141
EN
This paper analyzes some advantages of Silicon-on-Insulator (SOI) based photodetectors for low light imaging. It shows that SOI based sensors not only solve the bulk carriers problem, it can also act as a very selective spectral filter by acting as a resonant cavity, which is useful in application with a very narrow spectrum of interest, such as bioluminescence imaging. The SOI implementation of a switching photodetector based with an hybrid MOS-PN structure is presented and its advantages in terms of dark current minimization and SNR improvement highlighted.
4
Barierowe struktury detekcyjne : nowe możliwości
Martyniuk P., Kowaleski A., Gawron W., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 11
102-105
PL
Detektory promieniowania podczerwonego z wąską przerwą energetyczną wymagają chłodzenia celem ograniczenia prądów ciemnych generowanych w strukturze detekcyjnej wśród których najważniejszymi są: procesy generacyjno - rekombinacyjne Shockley-Read-Halla i procesy Augera. Obecnie, zwiekszenie temperatury pracy urządzeń detekcyjnych bez ograniczenia ich osiągów jest głównym celem wielu zespołów badawczych. Procesy generacyjno - rekombinacyjne Augera można ograniczyc poprzez budowę urządzęń detekcyjnych z supersieci II rodzaju (type II superlattice - T2SLs) z związków AIIIBV należących do rodziny 6.1 L. Implementacja barier do struktur detekcyjnych pozwala zredukować niekorzystny wpły procesów Shockley-Read-Halla. Ograniczenie wpływu obu mechanizmów pozwoli zwiększyć temperaturę pracy detektora. Artykuł przedstawia osiągi unipolarnych detektorów nBn z T2SLs InAs/GaSb/B- AI₀.₂Ga₀.₈Sb i HgCdTe oraz ich potencjalne możliwości w rozwoju detektorów promieniowania podczerwonego.
EN
The narrow band gap infrared detectors require cryogenic cooling to suppress dark current, which is typically limited by Shockley-Read-Hall (SRH) and Auger generation-recombination processes. Currently, increasing the operating temperature of the infrared detection systems without sacrificing its performance remains to be a crucial objective of the research groups. Intrinsic Auger thermal generation recombination process could be controlled by implementation of the type II superlattices (T2SLs) AIIIBV 6.1 L family to the detectors architecture while extrinsic SRH process could be suppressed by the barrier's incorporation into detector's structure respectively. Both SHR and Auger suppression lead to increase of the device's operating temperature. The paper reports on the unipolar barrier infrared detector (UBIRD) medium wavelength infrared (MWIR) HgCdTe nBn/B-n type and T2SLs nBn lnAs/GaSb/B-AI₀.₂Ga₀.₈Sb detector's photoelectrical performance and their potential possibilities in the field of infrared detectors development.
5
Zjawiska fotoelektryczne w złożonych heterostruturach HgCdTe stosowanych w konstrukcjach niechłodzonych detektorów podczerwieni
Gawron W., Rogalski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
28-31
PL
Artykuł przedstawia wybrane wyniki prac badawczych nad udoskonaleniem konstrukcji niechłodzonych detektorów podczerwieni z warstw epiaksjalnych HgCdTe uzyskiwanych w technologii MOCVD na podłożu GaAs. Badania te zrealizowano w Instytucie Fizyki Technicznej Wojskowej Akademii Technicznej w ramach realizacji zadania nr 6 grantu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007.
EN
The paper presents selected results of studies connected with development of uncooled HgCdTe infrared detectors fabricated using MOCVD epitaxial deposition on GaAs substrates. This paper has been done in Institute of Applied Physics Military University of Technology under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.
6
Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe
Pawluczyk J., Piotrowski J., Gawron W.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
54-56
PL
Artykuł prezentuje wyniki badań nad rozwojem niechłodzonych detektorów podczerwieni, zrealizowanych w VIGO System SA w ramach realizacji zadania nr 5 pt. "Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe", grantu zamawianego PBZ - MNiSW 02/I/2007 pt.: "Zaawansowane technologie dla półprzewodnikowej optoelektroniki podczerwieni". Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe to jeden z niewielu produktów optoelektronicznych produkowanych obecnie w Polsce i eksportowanych do wielu krajów świata. Przyrządy te znajdują zastosowania praktyczne w nowoczesnej aparaturze naukowej i medycznej, w przemyśle, ochronie środowiska naturalnego, technice wojskowej.
EN
Uncooled infrared photodetectors made from HgCdTe are one of few optoelectronic products manufactured currently in Poland and exported to many countries worldwide. The devices have found important applications for scientific and medical instruments, in industry, environment protection and military technique. The paper presents the current state of the art in the field of uncooled HgCdTe photodetectors in Poland. This paper has been done in VIGO System SA under financial support of the Polish Ministry of Sciences and Higher Education, Key Project PBZ - MNiSW 02/I/2007.
7
Moduły detekcyjne dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni
Gawron W., Gutowska M., Łach J., Paliwoda R., Rzeczkowski M., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
73-76
PL
W pracy zaprezentowano wyniki badań szerokopasmowych modułów detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych. Jako element detekcyjny wykorzystano w nich immersyjne fotodiody długofalowego (≈10 µm) promieniowania podczerwonego pracujące z chłodzeniem czterostopniową chłodziarką termoelektryczną. Przedstawione zostały dwa typy modułów detekcyjnych. Pierwszy z immersyjną fotodiodą pracującą bez zasilania i drugi z immersyjną fotodiodą zasilaną napięciem wstecznym.
EN
The paper presents the test results of a long-term radiation detector modules for Free Space Optical communication operated at the waveiength range of 8... 12µm. The modules are based on optically immersed photodiodes operating with Peltier coolers manufactured in the company VIGO System SA High sensitivity of the detection module was achieved through a multi-layered hete-rostructure HgCdTe with immersion lens, which is optimized for the detection of radiation with a wavelength of 10 µm. Developed optical radiation detection modules will be used in a next-generation optical link, with a greater range in difficult weather conditions in relation to the links currently offered.
8
Heterostruktury w niechłodzonych detektorach podczerwieni
Gawron W., Rogalski A., Madejczyk P., Pawluczyk J., Piotrowski J., Piotrowska A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
106-109
PL
Niechłodzone detektory podczerwieni z HgCdTe to jeden z niewielu produktów optoelektronicznych produkowanych obecnie w Polsce i eksportowanych do wielu krajów świata. Przyrządy te znajdują zastosowania praktyczne w nowoczesnej aparaturze naukowej i medycznej, w przemyśle, ochronie środowiska naturalnego, technice wojskowej. Artykuł prezentuje obecny stan rozwoju niechłodzonych detektorów podczerwieni w Polsce.
EN
Uncooled infrared photodetectors from HgCdTe are one of few optoelectronic products manufactured currently in Poland and exported to many countries worldwide. The devices have found important applications for scientific and medical instruments, in industry, environment protection, and military technique. The paper presents the state-of-art in the field of uncooled photodetectors from HgCdTe in Poland.
9
Długofalowe detektory podczerwieni dla telekomunikacji optycznej w otwartej przestrzeni
Gawron W., Gutowska M., Pędzińska M., Pawluczyk J., Piotrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
76-79
PL
Praca pokazuje zasady projektowania i właściwości detektorów podczerwieni dla szerokopasmowych modułów detekcyjnych przeznaczonych dla otwartych łączy optoelektronicznych. Są to heterostrukturalne fotodetektory długofalowego (8...12 µm) promieniowania podczerwonego pracujące bez chłodzenia kriogenicznego. Podstawą konstrukcji fotodetektorów są złożone heterostruktury HgCdTe wytwarzane metodą MOCVD.
EN
Long wavelength infrared photodetectors from HgCdTe for the second generation free-space optical links are reported. The photodetectors are based on optically immersed photodiodes operating with Peltier coolers. The photodiodes are based on HgCdTe heterostructure. The devices have been grown using Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD).
10
Fotonika krzemowa : nowe perspektywy
Mroziewicz B.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2006
|
Vol. 47, nr 10
35-44
PL
Skojarzenie fotoniki z technologią opartą na stosowaniu krzemu wydawało się do niedawna niedościgłą utopią, choć było oczywiste, że przyniosłoby w efekcie ogromne korzyści zarówno mikroelektronice, jak i samej fotonice. Wytrwałe badania doprowadziły jednak w ostatnich latach do radykalnej zmiany w opinii na temat perspektyw takiego skojarzenia. W artykule omówiono podstawowe podzespoły fotoniczne, w tym źródła światła, modulatory i fotodedektory, wytwarzane z krzemu pod kątem zastosowań przede wszystkim w układach połączeń optycznych prze­znaczonych do komunikacji między i wewnątrz komputerów.
EN
To combine photonics with the silicon-based technology seemed in a not distant past beyond the reach, although it has been clear that it would be beneficiary for both microelectronics and photonics. However, persistent research has lead in recent years to a radical change in opinions on that matter. In this paper silicon based photonic devices are discussed including light sources, modulators and photodetectors, all essential for optical interconnects between - and within computers.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.