The gas sensors can be produced from the semiconductor thin layer that starts to be gas sensitive when heated. The change of sensor DC resistance is utilized as a signal of the gas detection, that can not enable to distinguish between many different gas mixtures. The improved gas sensitivity and selectivity can be obtained when the semiconductor layer consists of semiconductor nanoparticles. The inhomogeneous and porous structure of this layer is a source of different fluctuation phenomena that can be exploited for enhanced gas selectivity. The observed noise phenomena should give a feasibility to discriminate possible non-gaussian components characteristic for different gases enabling their detection. The problems of different noise parameters and characteristics measurements that have to be solved when noise is treated as the main or additional source of information about the gas object have been considered in the paper.
PL
Czujniki gazu mogą być wytwarzane z cienkiej warstwy półprzewodnika, która po podgrzaniu do odpowiedniej temperatury staje się czuła na gaz. Jako wskaźnik detekcji gazu wykorzystuje się zmianę rezystancji stałoprądowej czujnika, co nie pozwala na rozróżnienie mieszanin gazów. Zwiększenie czułości i selektywności dyskryminacji można uzyskać, jeśli warstwa półprzewodnika składa się z nanocząstek półprzewodnika. Niejednorodna i porowata struktura takiej warstwy jest źródłem różnorodnych zjawisk o charakterze fluktuacyjnym, co można wykorzystać w celu zwiększenia selektywności dyskryminacji określonego gazu. Obserwowane zjawiska szumowe powinny umożliwić wykrycie ewentualnych składowych o charakterze niegaussowskim, charakterystycznych dla różnych gazów, co umożliwia ich detekcję. Traktując szumy jako główne bądź uzupełniające źródła informacji o obiektach gazowych, w opracowaniu rozważono problemy pomiaru różnych parametrów i charakterystyk obserwowanych szumów.
The heat-balance integral method is applied to solve the solidification problem involving a small spatial periodic fluctuations in the mold temperature. These initial irregularities lead to perturbations in the temperature field and the planar solidification line. The problem is reduced to linear differential equations for amplitudes of the interface perturbations and solutions are presented in closed forms. The numerical analysis is performed for a sinusoidal perturbation. Presented results show the oscillations in the solidification front as a function of time and parameters of the problem. The stability of an interface between solid and liquid phases is investigated.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.