Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: flash memories

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Składowanie danych w pamięci Flash - studium przypadku

Wilczek A.

Studia Informatica

2010

Vol. 31, nr 2B

449-458

Klasyczne, magnetyczne nośniki pamięci masowej stosowane w systemach komputerowych są coraz częściej zastępowane układami pamięci flash. Dyski SSD (ang. Solid State Disc) zbudowane w oparciu o pamięci flash zastępują dyski twarde HDD (ang. Hard Disk Drive). Dyski SSD osiągają zdecydowanie krótsze czasy dostępu, kilkudziesięciokrotnie niższe w porównaniu do dysków HDD przy odczycie losowym. Niestety, odczyt sekwencyjny, a szczególnie zapis danych na dyskach SDD nie jest już równie szybki. Praca zawiera analizę zastosowania pamięci flash do składowania danych w przykładowej konfiguracji systemu zarządzania bazą danych.

Flash memory replaces classic, magnetic mass memory storage used in computer systems. SDD (Solid State Disc) disks based on flash memory replace hard discs drives (HDD). SDD discs offer much shorter access times, tens times shorter in respect to HDD discs where random access is considered. Unfortunately sequential access and write operations are not so effective. This work aims to analyze profits of using flash memory storage in sample database system configuration.

Scaling of nonvolatile memories to nanoscale feature sizes

Mikolajick T., Nagel N., Riedel S., Mueller T., Kusters K. H.

Materials Science Poland

2007

Vol. 25, No. 1

33--43

he market for nonvolatile memory devices is growing rapidly. Today, the vast majority of nonvolatile memory devices are based on the floating gate device which is facing serious scaling limitations. Material innovations currently under investigation to extend the scalability of floating gate devices are discussed. An alternative path is to replace the floating gate by a charge trapping material. The combination of charge trapping and localized channel hot electron injection allows storing two physically separated bits in one memory cell. The current status and prospects of charge trapping devices are reviewed, demonstrating their superior scalability. Floating gate as well as charge trapping memory cells suffer from severe performance limitations with respect to write and erase speed and endurance driving system overhead. A memory that works like random access memory and is nonvolatile would simplify system design. This, however, calls for new switching effects that are based on integrating new materials into the memory cell. An outlook to memory concepts that use ferroelectric switching, magnetic switching, phase change, or other resistive switching effects is given, illustrating how the integration of new materials may solve the limitations of today's semiconductor memory concepts.