PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  fizyka półprzewodników
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Wspomnienia. Marian Grynberg (1940-2017)
Łusakowski Jerzy, Witowski Andrzej, Wasik Dariusz
Postępy Fizyki
|
2021
|
T. 72, z. 2
36--37
PL
Mijają trzy lata od niespodziewanej śmierci Profesora Mariana Grynberga – niekwestionowanego autorytetu w dziedzinie fizyki ciała stałego, docenianego w Polsce i za granicą. Był jednym z najważniejszych twórców cieszącego się prestiżem na całym świecie polskiego środowiska fizyki półprzewodników. Swoje zawodowe życie związał z Uniwersytetem Warszawskim rozpoczynając studia fizyki w 1957 r. Po ich ukończeniu w 1962 r. został zatrudniony na UW, gdzie pracował do ostatnich swoich dni.
2
Content available remote Profesor Stanisław Łęgowski (1931-2015)
Zaremba J.
Postępy Fizyki
|
2016
|
T. 67, z. 3
147--148
PL
Dnia 4 marca 2015 zmarł Profesor Stanisław Łęgowski, emerytowany profesor w Instytucie Fizyki Uniwersytetu Mikołaja Kopernika, wybitny fizyk, organizator nauki i życia akademickiego, wychowawca wielu pokoleń fizyków.
3
Content available remote Jan Gaj (1943-2011)
Grynberg M., Nawrocki M.
Postępy Fizyki
|
2011
|
T. 62, z. 2
89-91
PL
19 lutego 2011 r. po krótkiej, ciężkiej chorobie odszedł prof. dr hab. Jan Gaj. Urodził się 28 kwietnia 1943 r. w Krakowie w rodzinie farmaceutów. Już od dzieciństwa poznawał pracę chemiczną rodziców, która Go fascynowała. W 1960 roku był laureatem Olimpiady Fizycznej. Studiował na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego. Tam też po ukończeniu studiów rozpoczął pracę naukową. Cała Jego kariera naukowa związana była z tym Wydziałem. Był fizykiem eksperymentatorem. Zajmował się fizyką półprzewodników.
4
Content available remote Fizyka półprzewodników: historia i perspektywy
Gałązka R. R.
Postępy Fizyki
|
2008
|
T. 59, z. 5
194-199
EN
The most important events from the history of semiconductor physics are described. Current trends and future perspectives are discussed. The close, continuous connection between semiconductor physics, material processing, technological possibilities and applications is underlined.
5
Content available Elektronowe zjawiska zachodzące przy powierzchni półprzewodników oraz ich interpretacja dla różnych obszarów ładunku przestrzennego
Wojas W., Wojas J.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
2007
|
Vol. 56, nr 3
21-45
PL
W pracy dokonano omówienia istotnych dla fizyki ciała stałego wielkości i parametrów fizykalnych związanych z powierzchniami ciał stałych, a mianowicie gęstości stanów powierzchniowych, ładunku elektrycznego w warstwach przypowierzchniowych, zmian potencjałów w tych warstwach i potencjałów na powierzchni. Rozpatrzono wygięcia pasm i przebiegi barier potencjału, również w przypadkach istnienia barier Schotky’ego. Do matematycznego opisu różniących się kształtów barier zastosowano równania Poissona. Wykonano przykładowe obliczenia grubości warstwprzypowierzchniowych w metalu i półprzewodniku.
EN
The paper reports important parameters which are related to the surface of solids, namely: densities of the occupied electron states in surface-charge regions and potentials of surface monolayers. The band-bending and shapes of potential distribution in a surface-charge region were considered including the shapes of the Schottky barrier. For mathematical presentation of different surface barriers, the Poisson’s equations are used. An individual calculation of the surface-layer width for metal and semiconductor was made.
6
Content available remote Andrzej Jonscher (1921-2005)
Weron K., Bąk G., Ulański J.
Postępy Fizyki
|
2005
|
T. 56, z. 3
135-136
7
Content available remote Spintronika
Wilamowski Z.
Postępy Fizyki
|
2004
|
T. 55, z. 3
115-118
EN
Basic ideas and recent developments in the new field of spintronics are discussed.
8
Content available remote Kronika
Nowina-Konopka M., Mostowski J., Karpińska A., Dobrowolski W., Ajduk Z.
Postępy Fizyki
|
2004
|
T. 55, z. 6
287-291
PL
Tytuły profesorskie. Nagrody FNP. Nowa Rada FNP. Honorowy doktor ZIBJ. Honorowy profesor IFJ PAN. Nagrody EPS. Uczczenie pamięci Mieczysława Frąckowiaka. 35. Międzynarodowa Olimpiada Fizyczna. Signum temporis? Duńskie centrum nanonauki. Ruch bez tarcia. Fizyka półprzewodników w Postępach Fizyki i Pracach ITE. Nauka w Polsce
9
Content available remote Międzynarodowa Konferencja Fizyki Półprzewodników, Osaka 2000 [Ze zjazdów i konferencji]
Story T., Dobaczewski L.
Postępy Fizyki
|
2001
|
T. 52, z. 3
156-157
PL
W dniach 17-22 września 2000 r. w Osace odbyła się 25. Międzynarodowa Konferencja Fizyki Półprzewodników. Komitetowi Organizacyjnemu przewodniczył prof. Hiroshi Kamimura, a pracami Komitetu Programowego kierował prof. Tsuneya Ando. W konferencji wzięło udział 1054 fizyków z 38 krajów świata. Najliczniejszą grupę stanowili gospodarze. Ze zgłoszonych blisko 1300 prac Komitet Programowy zaakceptował (po zasięgnięciu opinii recenzentów) 997 prac (w tym 43 referaty na zaproszenie). 17-osobowa delegacja polska była 10. pod względem liczebności. Przedstawiliśmy 1 referat na zaproszenie (prof. Roman Stępniewski z Uniwersytetu Warszawskiego), a także ok. 20 krótkich referatów i plakatów.
10
Content available remote Półwzględność w półprzewodnikach
Zawadzki W.
Postępy Fizyki
|
1998
|
T. 49, z. 5
237-246
EN
A theoretical and experimental analogy is traced between behaviour of electrons in narrow-gap semiconductors and that of relativistic electrons in vacuum. Beginning with the similarity of energy-momentum realations for both systems, we consider various effects in the presence of a magnetic field and in crossed electric and magnetic fields. Finally, the relativistic "Zitterbewegung" of electrons in semiconductors is described and its possible cosequences are discussed.
11
Content available remote Schemat iteracyjny dla rozwiązywania równań transportu w wąskoprzerwowych strukturach półprzewodnikowych o silnych niejednorodnościach. Przypadek stacjonarny i jednowymiarowy
Jóźwikowski K.
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
|
1998
|
Vol. 47, nr 7-8
161-185
PL
W pracy zaprezentowano schemat interacyjny dla rozwiązywania układu równań transportu w strukturach półprzewodnikowych o silnych niejednorodnościach. Linearyzację równań przeprowadzono metodą Newtona. Prezentowana metoda numeryczna może być zastosowana dla obliczania parametrów fotoelektrycznych przyrządów półprzewodnikowych wykorzystujących zjawiska nierównowagowe, zachodzące w miejscach silnych niejednorodności (w heterostrukturach, złączach p-n, złączach l-h i obszarach zmiany przerwy energetycznej). Dla jej zilustrowania zaprezentowano obliczenia przestrzennych rozkładów koncentracji nośników, potencjału elektrostatycznego, struktury pasmowej i charakterystyki prądowo-napięciowej w wybranych strukturach półprzewodnikowych z (InA)Sb. Obliczenia wykonano dla geometrii jednowymiarowej.
EN
It is presented an iteration scheme for solution of transport equations in narrow-band semiconductor structures with strong inhomogenities. The Newton method for linearization is applied. The numerical method can be applied for calculation of photoelectric parameters of semiconductor devices using nonequilibrium effects occurring in strong inhomogeneous regions (in heterostructures, p-n and l-h junctions and in the band-graded regions). The method is illustrated by presenting the results of spatial calculation of distribution of charge carries concentration, electrostatic potential, the band structure and current-voltage characteristics of the selected semiconductor structures with (InAs)Sb. The one dimensional case is considered.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.