Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: fizyka laserów

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Lasery półprzewodnikowe

Nakwaski W., Sarzała R. P.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 9

147-149

W artykule przedstawiono sprzężone zjawiska fizyczne, tj. wzajemnie powiązane procesy optyczne, elektryczne i cieplne, a niekiedy również mechaniczne, decydujące o działaniu laserów półprzewodnikowych różnych typów. Szczególnie dokładnie opisano struktury i własności półprzewodnikowych laserów o emisji krawędziowej (laserów EEL), głównie laserów paskowych. Przytoczono również opis głównych konstrukcji i najlepszych osiągnięć laserów o emisji powierzchniowej (laserów VCSEL). Ponadto opisano procesy odpowiedzialne za degradację tych przyrządów.

The paper presents coupled physical phenomena, i.e. interrelated optical, electrical, thermal and sometimes also mechanical processes crucial for an operation of various types of semiconductor lasers. Structures and properties of edge-emitting semiconductor lasers (EELs) are described scrupulously, stripe-geometry lasers in particular. Some details concerning operation and properties of the best vertical-cavity surfaceemitting lasers (VCSELs) are also given. Besides, processes responsible for laser degradation are characterized.

Fizyka jest wyłącznie nauką przyszłości – rozmowa z profesorem Franciszkiem Kaczmarkiem

Marciniak M., Kaczmarek F., Malinowski Ł.

Postępy Fizyki

2012

T. 63, z. 5

234--240

Lasery niebieskie

Baranowski J.

Postępy Fizyki

1999

T. 50, z. 6

292-296

Development of blue light emitting electroluminescence diode and blue laser is presented. It is shown that these developments are directly related to heteroepitaxial growth of nitrides. Epitaxial Lateral Overgrowth technique has been a breakthrough in nitride heteroepitaxy and finally led to creation of blue laser with a long lifetime. The mechanism responsible for the laser action connected with formation of localized states due to indium fluctuation in InGaN quantum well is discussed.

Ultrakrótkie impulsy laserowe

Radzewicz C., Wiewiór P.

Postępy Fizyki

1998

T. 49, z. 4

181-213

We review the current state of ultra fast laser physics and technology. A brief description of ultra short laser pulse generation, amplification, compression and frequency conversion is presented together with the basic diagnostic tools used in the field. Applications of ultra short light pulses in science and technology are presented using selected examples of research results in physics, chemistry and telecommunications.