W artykule przedstawiono pasmowoprzepustowy zespolony filtr pośredniej częstotliwości OTA-C 14-go rzędu odbiornika Bluetooth. Filtr zaprojektowano w technologii BiCMOS 0,35 mm. Szerokość pasma przepustowego filtru wynosi 1,1 MHz, a częstotliwość środkowa 3 MHz. Osiągnięto tłumienie filtru w pasmie zaporowym ponad 50 dB, tłumienie sygnałów lustrzanych większe niż 40 dB, a nierównomierność opóźnienia grupowego w pasmie przepustowym mniejszą niż 1,1 μs. Symulowana wartość IIP3 (in-band) wynosi 13,5 dBm (50 W). Filtr pobiera 10,5 mW mocy ze źródła zasilającego o wartości 3 V.
EN
This paper describes a BiCMOS complex 14-th order OTA-C IF filter for Bluetooth receiver. The filter was designed in 0.35 μm BiCMOS technology from AMS. The filter bandwidth is 1.1 MHz, the center frequency is 3 MHz. The stopband attenuation is at least 50 dB, the image band rejection is at least 40 dB and the in-band group variation is less than 1.1 μs. The simulated IIP3 for in-band signals is 13.5 dBm. The filler's power consumption is 10.5 mW from a 3 V single power supply.
W artykule przedstawiono niskonapięciowy dolnoprzepustowy filtr CMOS Czebyszewa trzeciego rzędu wykorzystujący nowy konwerter ujemnoimpedancyjny odwracający prąd (CNIC). Wyniki symulacji wykonane dla technologii CMOS 0,35 mm wykazały, że filtr może osiągnąć pasmo 10 MHz przy jednoczesnym poborze mocy 400 mW ze źródła zasilającego o wartości 2 V.
EN
A low-voltage 3-order low-pass CMOS filter based on the novel current inversion type negative impedance converter (CNIC) is presented. It shows a bandwidth of 10 MHz at 400 mW power consumption and 2 V supply voltage when realized in a 0.35 mm CMOS process.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.