Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: filtry interferencyjne

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Thin SixCyNz:H coatings deposited with the RF PECVD method

Oleśko K., Szymanowski H., Gazicki-Lipman M., Balcerzak J., Sobczyk-Guzenda A.

Inżynieria Materiałowa

2018

Vol. 39, nr 4

140--147

Coatings of hydrogenated silicon nitride and silicon carbonitride find numerous applications stemming from their various useful properties which can be easily modified during the deposition process. In this work, the effect of discharge power on the physical properties of the coatings synthesized from organosilicone precursors is presented. Compared to explosively flammable silane, these precursors are safe and do not require costly safety measures installed in the equipment. The coatings investigated were deposited from hexamethyldisilazane (HMDSN) using radiofrequency plasma enhanced chemical vapour deposition in an atmosphere of such working gases as nitrogen, ammonia and hydrogen. HMDSN constitutes a valuable precursor since its saturated vapour pressure is relatively high (1.8 kPa at 25°C) and its molecule contains both silicon and nitrogen atoms. The coatings synthesized were broadly investigated with the help of such analytical techniques as variable angle spectroscopic ellipsometry (VASE), UV-Vis spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The effect of the glow discharge power on the coatings chemical structure and, therefore, on the magnitude of their refractive index was studied. It has been demonstrated that the discharge power strongly affects quantitative proportions between Si–N, Si–NH–Si, Si–O chemical bonds in the resulting films which, in turn, determine their index of refraction.

Celem pracy było wytworzenie uwodornionych powłok węglikoazotku krzemu (SixNyCz:H) i zbadanie ich składu, struktury oraz właściwości optycznych. Materiały te są planowane jako składnik o wysokiej wartości współczynnika załamania światła (n) filtra optycznego z gradientem tego współczynnika. Składnikiem o małym współczynniku n będzie w tym układzie powłoka SiOxCy:H. Przejście od jednego materiału do drugiego będzie można uzyskać przez zmianę składu gazowej mieszaniny reakcyjnej z NH3/N2 na O2, przy zachowaniu stałego przepływu par prekursora krzemorganicznego. W pracy jako związek wyjściowy dla krzemu wykorzystano heksametylodisilazan (HMDSN). Do wytwarzania tego typu powłok metodą RF PECVD (Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Desposition) najczęściej jest stosowany silan (SiH4). Ze względu na to, że jest to gaz wybuchowy doskonałą alternatywę dla tego prekursora stanowią związki krzemoorganiczne. We wcześniejszych badaniach autorów nad powłokami SixNyCz otrzymanymi z HMDSN, w optymalnych warunkach nanoszenia warstw uzyskano współczynnik n na poziomie 1,9. Głównym powodem tak małej wartości n była pozostałość ugrupowań węglowych w strukturze powłoki pochodzących od zastosowanego związku wyjściowego. Z punktu widzenia przyszłych zastosowań tych powłok jest to stanowczo za mała wartość. Z tego powodu zostały podjęte próby zwiększenia wartości współczynnika n przez dodawanie do mieszaniny reakcyjnej wodoru.

Szerokopasmowe filtry i pokrycia antyrefleksyjne na germanie dla zakresu 8÷12 µm

Ciosek J., Firak J.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2002

Vol. 51, nr 6

125-139

Przedstawiono wyniki badań szerokopasmowych (8÷12 µm) pokryć antyefleksyjnych na podłożu germanowym oraz charakterystyki spektalne interferencyjnych filtrów szerokopasmowych dla zakresu spektralnego 8÷12 µm. Do projektowania filtrów i powłok antyrefleksyjnych przyjęto materiały warstwowe: Ge (nH = 4,0), ZnS (nM = 2,2) i Mirę (nL = 1,47) oraz materiały podłoża: Ge dla powłok antyrefleksyjnych oraz ZnSe dla filtrów interferencyjnych. Filtr szerokopasmowy w zakresie 8÷12 µm. wymaga zastosowania dwóch filtrów odcinających promieniowanie z zakesu 1÷7 µm. Filtry odcinające są filtrami interferencyjnymi, do konstukcji których zastosowano również german, Mirę i ZnS. Konstrukcje filtrów podstawowego i odcinających zaprojektowane zostały z uwzględnieniem możliwości technicznych urządzenia próżniowego BAK 550 firmy Balzers.

The study presents the results of investigation of broadband antireflection coatings on the germanium substrate and the spectral characteristics of broadband interference filter for 8÷12 µm. To design of filters and antireflection of broadband folowing layer materials weve taken: Ge (nH = 4,0), ZnS (nM = 2,2), Mira (nL = 1,47) and substrate materials: Ge for antireflection coatings and ZnSe for interference filters. The broadband filter for 8÷12 µm demands to use two filters cutting the radiation in the range 1÷7 µm. For the cutting filters there are used the materials: Ge, Mira and ZnS. There were considered technical possibility of BAK 550 Balzers equipment in the design of main and cutting filters construction.