Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2000

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: films deposition

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cienkie warstwy germanowo-węglowe

Szymanowski H., Gazicki M.

Inżynieria Materiałowa

2000

R. XXI, nr 3

127-129

W ostatnich latach wzrasta zainteresowanie cienkimi warstwami zawierającymi atomy germanu. Cenne właściwości, jak i łatwość plazmowego procesu nakładania powodują gwałtowny rozwój badań tych materiałów. Prezentowana praca zawiera skrót wyników badań prowadzonych przez naszą grupę w ciągu ostatnich kilku lat. Badania te prowadzone były w dwóch kierunkach: 1 - badania mechanizmu nakładania, wyjaśnienia reakcji chemicznych zachodzących w wyładowaniu, powiązaniu mechanizmu procesu z warunkami jego prowadzenia; 2 - badania struktury cienkich warstw, wyjaśnienie ich budowy chemicznej w zależności od warunków powstawania. Zastosowano nowoczesne techniki badawcze. Spektrometria masowa i emisyjna spektroskopia optyczna jako jedne z nielicznych technik umożliwiły prowadzenie badań w trakcie procesu nakładania. Badania FTIR oraz rezonansu magnetycznego ciała stałego C13 pozwoliły na zbadanie struktury chemicznej otrzymanych warstw.

Optical emission spectroscopy (OES) and quadrupole mass spectrometry (QMS) have been applied to the characterization of RF plasma of organogermanium used for the deposition of a-GexCy:H films. QMS analysis show that under low power input condition, the gas phase consists primarily of monomer molecules and their largest fragments. In contrast, at high power input tetraethylgermanium undergoes nearly complete fragmentation forming atomic germanium, atomic and molecular hydrogen, and a number of hydrocarbon species. A dramatic increase of molecular hydrogen concentration with the increasing RF power is confirmed by OES actinometric measurements. Fourier transform infrared spectroscopy of a series carbon-germanium films are presented. It is shows that IR absorption of the films varies dramatically depending on the RF power. Various C-H bands as well as strong Ge-O absorption are characteristic for samples produced at low power. Films deposited at hogh RF power conditions are characterized by a lack of Ge-O signals, considerable Ge-H absorption and substantial broadening of all bands.