PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  falownik klasy EF
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z ćwierćfalową linią długą
Legutko Piotr, Kaczmarczyk Zbigniew
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 7
107--112
PL
W artykule przedstawiono podstawowe właściwości i badania laboratoryjne wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF (20 MHz, 400 W, 91,2%) z ćwierćfalową linią długą dołączoną po stronie zasilania. Falownik ten zawiera jeden tranzystor, przebieg napięcie tranzystora zbliżony jest do prostokątnego oraz występuje przełączanie miękkie tranzystora typowe dla klasy E. Zastosowany tranzystor MOSFET serii DE sterowany jest za pomocą dedykowanego, niskostratnego sterownika bramkowego własnej konstrukcji. Wyjaśniono metodę optymalizacji parametrów falownika klasy EF ze względu na sprawność, którą zrealizowano z wykorzystaniem oprogramowania ANSYS Simplorer i wbudowanego algorytmu genetycznego. Koncepcja falownika klasy EF została pozytywnie zweryfikowana laboratoryjnie. Zarejestrowano przykładowe przebiegi czasowe napięć tranzystora oraz wyznaczono wybrane parametry falownika.
EN
Some basic properties and laboratory tests of high-frequency Class EF inverter (20 MHz, 400 W, 91.2%) with quarter-wave transmission line on the supply side are presented in the article. The inverter contains one transistor, the transistor voltage waveform is close to a rectangular one and the soft-switching of the transistor is realized as typically in Class E. The applied DE-series MOSFET transistor was controlled by a dedicated, low-loss driver of its own design. The optimization method of the Class EF inverter parameters to maximize efficiency was explained. It was implemented using ANSYS Simplorer software and a built-in genetic algorithm. The concept of the Class EF inverter was positively verified in the laboratory. Examples of transistor voltage waveforms were recorded and selected inverter parameters were determined.
2
Content available remote Model i metoda projektowania wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF
Kaczmarczyk Z.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 6
73--78
PL
W artykule przedstawiono model i metodę projektowania wysokoczęstotliwościowego falownika klasy EF z dołączoną ćwierćfalową linią długą po stronie zasilania. Zwiększanie częstotliwości pracy falowników rezonansowych wymaga stosowania dedykowanych metod do ich analizy i projektowania. Koniecznym staje się uwzględnienie parametrów pasożytniczych ich istotnych podzespołów. Zaproponowana koncepcja została wyjaśniona oraz zweryfikowana. Dwa falowniki klasy EF (20 MHz, 400 W) zostały zaprojektowane i przebadane.
EN
A model and design method of high-frequency Class EF inverter using a quarterwave transmission line on the supply side is presented in the article. With increasing operating frequency of resonant inverters, more sophisticated methods for their analysis and design are required. In this case, parasitic parameters of their main components cannot be omitted. The proposed concept was explained and verified. Two Class EF inverters (20 MHz, 400 W) was designed and tested.
3
800 W, 16 MHz laboratory class E inverter
Kaczmarczyk Z., Grzesik B.
Zeszyty Naukowe. Elektryka / Politechnika Śląska
|
2003
|
z. 187
71-78
PL
W pracy przedstawiono opis konstrukcji i właściwości wysokoczęstotliwościowego falownika klasy E (800 W, 16MHz) bez zewnętrznego kondensatora równoległego. W konstrukcji falownika wykorzystano tranzystor typu DE-SERIES MOSFET ze sterownikiem dedykowanym, oba firmy Directed Energy, Inc. (DEI). Wyniki pomiarów laboratoryjnych falownika zostały porównane z wynikami symulacji w programie SPICE. W celu poprawy właściwości falownika klasy E przeanalizowano jego zmodyfikowaną wersję, nazwaną falownikiem klasy EF.
EN
The paper describes the design and performance of a high-efficient, 800 W, 16MHz Class E inverter without an external shunt capacitor. The inverter is built employing a DE-SERIES MOSFET and a gate driver from Directed Energy, Inc. (DEI). Inverter design and inverter performance characteristics are presented and compared to the results obtained from SPICE simulation. A slightly different configuration. Class EF inverter, is analysed as an example of possibility for improvement of the Class E inverter performance.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.