Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: epitaxy MBE

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Struktury detektora podczerwieni na bazie supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaSb

Kaniewski J., Jasik A., Regiński K., Sankowska I., Pierścińska D., Pierściński K., Papis E., Wawro A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 10

18-21

W artykule przedstawiono aktualny stan technologii detektorów podczerwieni na bazie supersieci II-rodzaju ze związków InAs/GaSb. Detektory te wytwarzane są metodą epiaksji z wiązek molekularnych MBE w Instytucie Technologoii Elektronowej (ITE) w Warszawie.

Present state of technology of infrared detectors based on InAs/GaSb type-II superlattice is presented. Detectors of this type are fabricated by molecular beam epitaxy MBE at the Institute of Electron Technology (IET) in Warsaw.