PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 16

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  epitaksja z wiązek molekularnych
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Technologia MBE struktur fotorezystorów LWIR na bazie SL II rodzaju
Jasik Agata, Sankowska Iwona, Czuba Krzysztof, Smoczyński Dariusz, Kotowski Mateusz
Przegląd Elektrotechniczny
|
2019
|
R. 95, nr 9
115--118
PL
W artykule przedstawiono wybrane aspekty dwuetapowej optymalizacji supersieci II rodzaju InAs/GaSb stosowanych w konstrukcji fotodetektorów długofalowego promieniowania podczerwonego. Pierwszy etap miał na celu opracowanie wzrostu struktur periodycznych potwierdzonych badaniami dyfrakcyjnymi, natomiast drugi redukcję defektów punktowych na ich powierzchni. Zademonstrowano wpływ grubości obszarów międzyfazowych InSb na gęstość defektów oraz wpływ defektów na właściwości fotorezystorów. Uzyskano przyrządy o krawędzi absorbcji ok. 9,3 μm pracujące bez chłodzenia kriogenicznego (do 225 K).
EN
The article presents selected aspects of the two-stage optimization of type II InAs/GaSb superlattice for the use in photodetectors of the long-wavelength-infrared radiation. The first stage was to develop the growth of the periodic structures confirmed by x-ray diffraction studies, and the second one to reduce density of the point defects on the superlattice surface. The effect of the thickness of InSb interfaces on the defect density and the impact of defects on the photoconductor properties was shown. The photoconductors with absorption cut-off wavlength of about 9.3 μm and an current responsivity (Ri) detecteble in a wide temperature range of up to 225 K were obtained.
2
Technologia epitaksji z wiązek molekularnych struktur laserów kaskadowych InAlAs/InGaAs/InP na pasmo średniej podczerwieni
Gutowski P., Pierściński K., Karbownik P., Morawiec M., Bugajski M., Sankowska I., Pierścińska D., Serebrennikova O., Pruszyńska-Karbownik E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 9
14--18
PL
Prezentowana praca zawiera opis opracowania i optymalizacji technologii wzrostu heterostruktur kwantowych laserów kaskadowych emitujących promieniowanie z zakresu 9÷10 µm wykonanych w oparciu o układ materiałowy In0.52Al.0.48As/In0.53Ga0.47As oraz z zakresu 4÷5,5 µm bazujących na naprężonym skompensowanym obszarze aktywnym z In0.36Al.0.64As/In0.68Ga0.32As. Do wzrostu heterostruktur półprzewodnikowych wykorzystano technikę epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Dzięki tej metodzie wytworzono pełne struktury przyrządowe jak również obszary aktywne, przeznaczone do wzrostu falowodów z InP metodą epitaksji z fazy gazowej ze związków metalo-organicznych MOVPE. Przeprowadzono charakteryzację heterostruktur oraz przeprowadzono dyskusję stabilność i powtarzalność wykonanych procesów epitaksjalnych. Pomiary charakterystyk elektrooptycznych kwantowych laserów kaskadowych wykazały pracę impulsową w temperaturach powyżej 300K, co umożliwia zastosowanie ich w układach do detekcji śladowej ilości substancji gazowych.
EN
In this paper we present an optimization of growth process technology of quantum cascade lasers (QCL). Heterostructures were based on a lattice matched active region grown of In0.52Al.0.48As/In0.53Ga0.47As with emitting range of 9÷10 µm or, alternatively, a strain compensated active region of In0.36Al.0.64As/In0.68Ga0.32As emitting in 4÷5,5 µm range. For growing the laser heterostructures, solid state molecular beam epitaxy (MBE) was used. This method allows to grow full laser heterostructures and also the active regions for the regrowth of InP waveguide by metalo-organic vapor phase deposition (MOVPE). The characterization of achieved structures parameters and discussion about the growth processes stability and reproducibility is presented. Electro-optical measurements of the quantum cascade lasers demonstrate their operation in the temperature higher than 300 K in the pulse mode, which gives possibility to use such devices in trace gas sensing.
3
Detektory supersieciowe InAs/GaSb : wybrane aspekty technologii wytwarzania
Czuba K., Sankowska I., Jasik A., Jureńczyk J., Papis-Polakowska E., Kaźmierczak P., Kaniewski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2016
|
Vol. 57, nr 9
3--9
PL
Specyficzne własności supersieci II rodzaju (T2SL) z InAs/GaSb mogą spowodować w przyszłości dominację tego materiału w produkcji detektorów podczerwieni. Istotnym argumentem stosowania detektorów na bazie supersieci stanowi fakt, że ze względu na zagrożenie dla środowiska w najbliższych latach przewiduje się stopniową eliminację rtęci (Hg) i kadmu (Cd) z technologii półprzewodnikowych. Ciągła poprawa jakości podłóż i materiału supersieci, konstrukcji detektorów oraz technik „processingu” połączona z poznaniem fundamentalnych procesów fizycznych pozwalaja obecnie na wytwarzanie przyrządów dyskretnych i matryc pracujących w obszarze widmowym średniej, dalekiej i bardzo dalekiej podczerwieni. W pracy przedstawiono aktualny stan wiedzy na temat detektorów T2SL oraz przedyskutowano przyczyny degradacji ich parametrów.
EN
InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) have the potential to become main material used in production of infrared detection and imaging devices. Mostly due to their properties such as easy bandgap engineering or suppression of Auger processes. Moreover, the use of mercury and cadmium, most commonly used elements in present photodetectors, is being more and more restricted due to environmental and health hazards. In this work, selected aspects of T2SL detectors technology have been described.
4
Epitaksja struktur laserów kaskadowych
Gutowski P., Sankowska I., Kubacka-Traczyk J., Gołaszewska-Malec K., Bugajski M., Grzonka J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 11
31-33
PL
W artykule opisano wzrost struktur kwantowych laserów kaskadowych, wykonanych w czterech różnych wariantach konstrukcji falowodu, przy wykorzystaniu tego samego schematu budowy obszaru aktywnego. Każda z konstrukcji falowodu została zasymulowana z wykorzystaniem modelu Drudego- Lorentza. Trzy z nich, które otrzymane zostały wyłącznie przy pomocy metody epitaksji z wiązek molekularnych, zostały poddane szczegółowej analizie. Charakteryzację struktur wykonano za pomocą wysokorozdzielczej dyfrakcji Rentgenowskiej (HRXRD), transmisyjnego mikroskopu skaningowego (TEM) oraz mikroskopu sił atomowych (AFM). Pozwoliło to na określenie parametrów wzrostu obszaru aktywnego lasera. Zaprezentowano porównanie parametrów wykonanych struktur laserów kaskadowych pokazało trudności w uzyskaniu dobrej jakości grubych warstw falowodowych InAlAs. Uzyskane struktury laserów kaskadowych charakteryzowały się dobrą precyzją i powtarzalnością wykonania.
EN
In this work we present molecular beam epitaxial growth of the quantum cascade lasers heterostructures with the same active region but four waveguide constructions, with increasing difficult level and device performance. Each design was calculated using Drude-Lorentz model, but only first three structures were presented in this work. Structure quality was measured based on High Resolution X-Ray Diffraction measurement. Also Transmission Scanning Microscopy and Atomic Forces Microscopy was used to determinate the active region superlattice interfaces and surface roughness. Suitable comparison of the structures show difficult in InAlAs growth of thick waveguide layers. High quality and precision, with good reproducibility of QCL structures was shown.
5
Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si
Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A., Tchutchulashvili G.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 9
14-15
PL
W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.
EN
We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.
6
Mechanizm wzrostu warstw GaN techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Kłosek K., Sobańska M., Żytkiewicz Z. R.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
85-88
PL
W pracy omówiono metodę określenia optymalnych parametrów procesu wzrostu warstw azotku galu techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Przedstawiono również metodę kontroli parametrów pracy źródła plazmowego. Przeprowadzone doświadczenia doprowadziły do precyzyjnej kontroli proporcji Ga/N na powierzchni rosnącej warstwy, co pozwoliło na uzyskanie stabilnego dwuwymiarowego wzrostu warstw GaN o wysokiej jakości.
EN
A method that allows determination of optimal conditions of growing GaN epilayers by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source is presented. A way of controlling parameters of the nitrogen plasma source is also discussed. Procedure elaborated allowed precise adjustment of Ga/N ratio on the surface of growing layer, which is crucial for stable, two-dimensional growth of high quality GaN layers.
7
Krystalizacja i właściwości warstw GaN osadzanych na podłożach Si(111) techniką epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu
Żytkiewicz Z. R., Sobańska M., Łusakowska E., Kłosek K., Borysiuk J., Wierzbicka A., Reszka A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
27-30
PL
W pracy przedstawiono szczegóły procesu wzrostu warstw GaN na podłożach Si(111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono również wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych warstw.
EN
In this work details of procedure of GaN growth on Si(111) substrates by molecular beam epitaxy with the use of RF plasma nitrogen source are presented Influence of growth conditions on properties of the layers is discussed.
8
The multiscale modelling of thin films growth
Kopernik M., Kot R.
Hutnik, Wiadomości Hutnicze
|
2010
|
Vol. 77, nr 8
403-406
EN
The multiscale model of layers growth in systems of nanocoatings characterized by properties of functionally graded materials, which is based on the cellular automata method, is presented in the paper. Simulations performed using the developed program allowed the analysis of the structure of generated layers. It was observed that main processes active in coatings deposition, like adsorption and surface diffusion, depend on intensity of the cell flux and the substrate temperature. Numerical tests were performed for various parameters of the growth process and predictive capabilities of the model are evaluated in the paper.
PL
W pracy przedstawiono wieloskalowy model wzrostu warstw w układach nanopowłok o własnościach materiałów gradientowych, który oparto na metodzie automatów komórkowych. Symulacje przeprowadzone we własnym oprogramowaniu pozwoliły na wykonanie analiz związanych ze strukturą powstałej warstwy. Stwierdzono, że dominujące w napylaniu powłok procesy, takie jak adsorpcja i dyfuzja powierzchniowa, zależą od natężenia strumienia cząstek oraz temperatury podłoża. Wykonano zestaw symulacji testowych dla generowanych powłok dla różnych wartości kluczowych parametrów.
9
Morfologia powierzchni międzyfazowych w wielowarstwowych strukturach periodycznych AlGaAs/GaAs
Barańska A., Kosiel K., Kubacka-Traczyk J., Bugajski M., Pasternak I., Płociński T., Kurzydłowski K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
112-115
PL
Artykuł przedstawia wyniki badań morfologii powierzchni międzyfazowych heterostruktur epitaksjalnych AlGaAs/GaAs. Struktury zostały wykonane metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE). Charakteryzację struktur przeprowadzono stosując mikroskopię sił atomowych (AFM) oraz wysokorozdzielczą transmisyjną mikroskopię elektronową (HRTEM). Badano warstwy GaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs oraz wielowarstwowe struktury periodyczne AlGaAs/GaAs, osadzane na podłożach o orientacji (100).
EN
The paper presents some results of investigation of interfacial morphology in AlGaAs/GaAs epitaxial heterostructures. The structures were grown by molecular beam epitaxy (MBE). Their characterisation was performed by atomie force microscopy (AFM) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The simple GaAs/GaAs, AlGaAs/GaAs as well as multilayer, periodic AlGaAs/GaAs heterostructures deposited on (100) GaAs substrates were studied.
10
Lasery kaskadowe na zakres średniej podczerwieni
Kosiel K., Szerling A., Karbownik P., Kubecka-Traczyk J., Pruszyńska-Karbownik E., Trajnerowicz A., Pierścińska D., Bugajski M
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 10
99-102
PL
Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego opiera się na wewnątrzpasmowych optycznych przejściach nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie szerokiej gamy półprzewodnikowych materiałów epitaksjalnych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego zakresu emisyjnego podczerwieni. Warunkiem sukcesu jest sprostanie wymaganiom skrajnie wysokiej precyzji podczas realizacji założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza tych dotyczących geometrii krawędzi pasma przewodnictwa obszaru aktywnego. Prezentujemy tu opracowaną przez nas technologię wytwarzania laserów kaskadowych AlGaAs/GaAs, emitujących wiązkę (∼ 9,4 µm) o mocy ponad 1 W piku (77K) oraz moc optyczną - 12 W w temperaturze pokojowej.
EN
Quantum cascade lasers are unipolardevices, in which the machanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers, The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission spectrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of layers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 µm) with over 1W peak powers (77K). Lasers work at the room-temperature generating optical power - 12 mW.
11
Lasery kaskadowe z AlGaAs/GaAs na pasmo średniej podczerwieni (∼ 9 μm)
Kosiel K., Szerling A., Muszalski J., Bugajski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 5
43-48
PL
Lasery kaskadowe są przyrządami unipolarnymi, w których mechanizm emisji promieniowania koherentnego wykorzystuje wewnątrzpasmowe optyczne przejścia nośników. Istota ich działania pozwala na zastosowanie różnych rodzajów epitaksjalnych materiałów półprzewodnikowych, w celu otrzymania długości fali wybranej z bardzo szerokiego dostępnego zakresu emisyjnego. Jednocześnie jednak jedynie skrajnie wysoka precyzja realizacji właściwych założeń konstrukcyjnych, zwłaszcza dotyczących grubości, składu i domieszkowania warstw heterostruktury epitaksjalnej pozwala osiągnąć sukces w tej dziedzinie. Odpowiednie opracowanie i realizacja technologii epitaksji z wiązek molekularnych MBE oraz zastosowany perfekcyjny processing przyrządowy pozwoliły na wykonanie laserów kaskadowych Al­GaAs/GaAs, emitujących wiązkę ∼ 9 μm o mocy ponad 1 W w piku (77K).
EN
Ouantum cascade lasers are unipolar devices, in which the mechanism of emission of coherent radiation is based on the intraband optical transitions of carriers. The idea of QCL enables the application of a wide range of epitaxial semiconductor materials in order to extract the needed wavelength, which is obtainable from the very wide emission speetrum. However only the extremely precise realisation of the appropriate constructional assumptions (towards the thicknesses, compositions and the doping levels of Iayers of the heterostructure) promotes the success in the field. The adequate MBE technology development as well as the perfect device processing elaboration enabled us to obtain AlGaAs/GaAs quantum cascade lasers emitting the radiation (∼ 9 μm) with over 1 W peak powers (77K).
12
Analiza wymiarów samozorganizowanych kropek kwantowych z InAs/GaAs wykonanych techniką MBE
Kaczmarczyk M., Piotrowski T., Kaniewska M., Engström O., Pisicator J., Sadeghi M., Pawłowski S.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 2
39-42
PL
Samozorganizowane kropki kwantowe wykonano z InGa/GaAs na podłożu (100) GaAs metodą epitaksji z wiązek molekularnych w modzie Strańskiego-Krastanowa techniką przerywanego wzrostu. Do charakteryzacji kropek i oceny ich jednorodności wykorzystano mikroskop sił atomowych. Analiza statystyczna rozmiarów kropek wykazała bimodalny rozkład wielkości, który wskazuje na obecność dwóch grup kropek kwantowych istotnie różniących się wymiarami i gęstością. Dominująca grupa kropek miała wymiary 5,9 i 35,4 nm odpowiednio dla wysokości i średnicy, a niejednorodność w stosunku do średnich rozmiarów była na dobrym poziomie 10%. Natomiast duże kropki były bardzo nieregularne, jednak miały małą gęstość powierzchniową około 1 × 109 cm-2 i o rząd wielkości mniejszą w porównaniu do gęstości mniejszych kropek kwantowych. Technika przerywanego wzrostu w zoptymalizowanych warunkach pozwala uzyskać grupę dobrze zdefiniowanych kropek kwantowych.
EN
Self-organized InAs/GaAs quantum dots were prepared on (100) GaAs substrates by a solid source molecular beam epitaxy in Stranski-Krastanov growth mode using growth interruption technique. Atomie force microscopy was used to characterize the dots and to conclude on the dot size uniformity. Statistical analysis of the dot size variation revealed a bimodal size distribution, which indicates the presence of two dot families differing significantly in their size and density. The dominating dots were 5.9 and 35.4 nm in height and diameter, respectively and were uniform to within 10% of the average sizes. By contrast larger dots were extremely irregular however, they were fo-und at a Iow areał density of about 1 × 109 cm-2, which was one order of the magnitude lower comparing to density of the smaller dots. On the basis of the obtained results, it is concluded that the growth interruption technique is a powerful tool in obtaining well defined quantum dots when growing under optimized conditions.
13
Wpływ grubości epitaksjalnych warstw InAs na GaAs wykonywanych w technologii MBE, na ich parametry transportu ładunków elektrycznych
Wolkenberg A., Przesławski T.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2007
|
Vol. 48, nr 7
39-44
PL
Otrzymywanie czystych epitaksjalnych warstw InAs/GaAs o dużej perfekcji krystalograficznej jest możliwe metodą epitaksji z wiązek molekularnych [2]. W warstwach tych obserwowane jest anomalne zachowanie R H (T) tj. występowanie maksimum w temperaturach około 50K i spadek wartości poniżej tej temperatury, co odpowiada anomalnej zależności n H (T). W warstwach InAs w niskich temperaturach w wyniku występowania naprężeń (skutkiem niedopasowania sieciowego) występują anomalne zjawiska transportu [3]. Stwierdzono w przypadku występowania anomalnych wartości R H w InAs, że dla poprawnego rozwiązania równania neutralności należy dodać do koncentracji elektronów dodatkowy składnik X, związany ze stanami typu donorowego i akceptorowego [2]. Składnik X mogą stanowić domieszki o różnych energiach aktywacji położonych pod dnem lub nieco ponad dnem pasma przewodnictwa.
EN
Molecular beam epitaxy allow to obtain pure InAs layers with big crystallographic perfection [2]. We observed in this layers anomalous behaviour of R H (T) ie. Maximum value at temperature ~50K and decrease in temperature lower as 50K what is equivalent to anomalous increase of n H (T). In the epitaxial layers of InAs at low temperatures as a result of of strain between the layer and GaAs substrate we observe the transport by two or more charge carriers [3]. It was stated, that in the case of anomalous values of R H (T) we must add to concentration of charges the component X during solving of the neutrality equation. This component may be acceptor or donor like [2]. X component may be energetically localized little under bottom of conductivity band or above it.
14
Content available remote Pola quasi-elektryczne i przesunięcia pasmowe, czyli jak nauczyć elektrony nowych sztuczek
Kroemer H.
Postępy Fizyki
|
2002
|
T. 53, z. 1
1-15
15
Urządzenie do epitaksjalnego wzrostu metodą WIBE warstw azotków metali III grupy układu okresowwego pierwiastków
Marks J., Cyrański R., Pastuszka B., Kaczorek K., Kaufman E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2002
|
Vol. 43, nr 12
46-48
PL
Urządzenie MBE03 przeznaczone jest do wytwarzania warstw azotków takich metali jak: aluminium, gal i ind. Jako źródło azotu zastosowano amoniak. Istnieje także możliwość domieszkowania wytwarzanych warstw magnezem (domieszka typu p) i krzemem (domieszką typu n).
EN
The homemade MBE03 system for III group nitrides growth by molecular beam epitaxy is described. The MBE03 system is used for gallium, indium and aluminium nitrides growth with ammonia as the nitrogen gas source. The growing layer can be doped by magnesium (type p) and silicon (type n).
16
Content available remote Kronika
Miłosz A., Arodź H., Średniawa B., Janiuk R. M., Szydłowski H.
Postępy Fizyki
|
2001
|
T. 52, z. 4
216-222
PL
PTF: Informacje o podręcznikach. Nominacje profesorskie. FNP. Medale Boltzmanna. Nagroda za epitaksję z wiązek molekularnych. DataGrid. Przysięga Hipokratesa fizyków? Zarobki amerykańskich fizyków w przemyśle rosną. Kłopoty z "naj". Pamięci Chien Shiung Wu. Zakusy na gal. Wystawa w Sztokholmie. Yvette Cauchois (1908-1999). Lochlainn O'Raifeartaigh (1933-2000). Komisja ds. Edukacji Przyrodniczej. Do wszystkich przyrodników i ludzi zatroskanych przyszłością o poparcie zmian nauczania w gimnazjum.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.