Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badanie kinetyki wzrostu epitaksjalnych warstw lateralnych dla zastosowań fotowoltaicznych

Gułkowski S., Cieślak K., Olchowik J. M., Paprota M., Syroka M., Głowienka R.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2012

|

z. 59, nr 2/II/I

297-302

PL

W artykule przedstawiono rezultaty badań dotyczących kinetyki wzrostu warstw epitaksjalnych otrzymywanych techniką ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth – lateralny wzrost warstw epitaksjalnej). Omówiona została metoda przeprowadzenia eksperymentu. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu tj. szybkości chłodzenia, rozmiarów okien Si, na kinetykę wzrostu lateralnego na podłożu krzemowym.

EN

Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) may be promising technique in photovoltaics application due to possibility of producing high quality Si epitaxial layers on silicon substrates. The advantage of this method is that density of the dislocations in new layer is less than in the substrate. The main goal of this method is to obtain as wide and as thin structures as possible. For this reason our research was concentrated on technological parameters of the growth process and its influences on width of the layer.

2

Wpływ wewnętrznego lustra na wydajność kwantową fotoogniw wytwarzanych w oparciu o krzemowe warstwy lateralne

Cieślak K., Olchowik J. M., Gułkowski S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

20-21

PL

W pracy przedstawiono rezultaty badań krzemowych ogniw słonecznych, wytwarzanych za pomocą, epitaksji z fazy ciekłej LPE (Liquid Phase Epitaxy). Epitaksja z fazy ciekłej pozwala w ekonomiczny sposób uzyskiwać cienkie monokrystaliczne warstwy, które mają również zastosowania w fotowoltaice. W prowadzonych badaniach zastosowano pewną modyfikację klasycznej metody LPE - wzrost na częściowo maskowanym dielektrykiem podłożu krzemowym. Taki sposób nosi nazwę epitaksji lateralnej ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) i pozwala na uzyskanie warstw o znacznie mniejszej gęstości defektów w stosunku do gęstości defektów w podłożu wzrostowym [1], co więcej warstwa dielektryka obecna wewnątrz struktury fotoogniwa stanowi lustro dla niezaabsorbowanych fotonow, co pozwala na wydłużenie ich drogi optycznej. W pracy porównano wpływ wewnętrznego lustra z dielektryka SiO₂ na wydajność kwantową, badanych fotoogniw.

EN

This work contains research of silicon thin film solar cells obtained from a lateral overgrowth liquid phase epitaxy (LPE). Liquid phase epitaxy is an economic method that enables to produce thin, monocrysallic films for photovoltaic applications. Presented research are based on some modification of the LPE method - it uses partially masked by dielectric, growing silicon substrates. This modification is called epitaxial lateral overgrowth (ELO) and enables to obtain lower defects density in a growing layer comparing to a growing substrate [1]. Moreover dielectric layer inside a solar cell structure forms an inner mirror for photons which are not absorbed in the active layer. This work presents influence of the inner mirror formed from SiO₂ efficiency of the solar cells.

3

Optymalizacja procesu epitaksji z fazy ciekłej do zastosowań fotowoltaicznych

Cieślak K., Olchowik J. M., Gułkowski S.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2010

|

z.57[271], nr 4

83-88

PL

W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania cienkich warstw krzemowych do zastosowań fotowoltaicznych. Proces oparty jest o technologię epitaksji z fazy ciekłej. Analiza rezultatów przedstawiająca gęstość prądu zwarcia w zależności od parametrów epitaksji z fazy ciekłej pozwala na znalezienie optymalnych warunków technologicznych dla procesu.

EN

This work present a technology of producing thin film silicon layers for photovoltaic applications which is based on a liquid phase epitaxy. Analysis of the results obtained in the experiment enables to establish a short circuit current density dependence on the liquid phase epitaxy parameters. This can be used to find optimal conditions for the process.

4

Technologia wytwarzania krzemowych warstw lateralnych dla zastosowań PV

Jóźwik I., Olchowik J. M.

Zeszyty Naukowe Politechniki Rzeszowskiej. Budownictwo i Inżynieria Środowiska

|

2006

|

z. 40 [229]

247-254

PL

Niniejsza praca prezentuje technikę epitaksji z fazy ciekłej jako ekonomiczną metodę uzyskiwania cienkich warstw krzemowych dla zastosowań PV. W rezultacie przeprowadzonych badań stwierdzono, że możliwe jest optymalne dobranie warunków technologicznych procesu wzrostu tak, aby otrzymywane warstwy charakteryzowały się minimalną gęstością defektów przy maksymalnej wartości wydłużenia warstw.

EN

This work presents liquid phase epitaxy as a technique of growth of silicon thin layers for PV applications. Results of the investigation show that it is possible to set the experimental conditions of the process of growth to obtain layers characterized by minimum defect density and maximum aspect ratio at the same time.

5

Epitaxial films of GaInPAsSb quinary solid solutions

Kuznetsov V. V., Rubtsov E. R., Kognovitskaya E. A.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 4

1057--1066

EN

The method of the obtaining quinary solid solutions on the basis of A IIIBV compounds (GalnPAsSb) with specified properties was developed. New GaInPAsSb/GaSb, GalnPAsSb/InAs heterostructures were obtained to create optoelectronic devices for the 2-5 urn spectral range. The broken-gap type II hetero junction was formed at the InAs/Ga0.92In 0.08P0.05As0.08Sb0.87 heterostructure, and a light-emitting diode was fabricated with the emission intensity maximum at 1.9 žm.

6

Analysis of the processes of silicon epitaxial lateral overgrowth in Ar ambient gas

Jóźwik I., Olchowik J. M.

Materials Science Poland

|

2006

|

Vol. 24, No. 4

967--973

EN

Liquid phase epitaxy (LPE) and, in particular, epitaxial lateral overgrowth (ELO) is an attractive method of thin film deposition, owing to the simplicity of its technology and a reduced growth temperature. In this paper, we present recent results of the ELO of silicon layers carried out by means of LPE using Ar as an ambient gas, without any addition of hydrogen, potentially explosive gas, which makes this deposition technique a very safe process. The aim of the this work focused on the silicon ELO growth on partially masked substrates was to determine optimal conditions of growth resulting in ELO layers of the maximum aspect ratio and minimum defect density. Data presented herein clearly show that the epitaxial layers characterized by the maximum value of the aspect ratio can be obtained by application of the 0.25°C/min cooling rate. Noteworthy is the fact that in the same conditions the defect density achieves the minimum value of 1.07×104 cm-2, which is the amount smaller by the factor of 10 than the defect density of Si substrates used (1.7×105 cm-2). It confirms the ELO technique as a promising tool for the fabrication of low-defect density silicon layers of good morphology.

7

Struktury epitaksjalne do mikrolaserów z pasywną modulacją dobroci rezonatora

Sarnecki J., Kopczyński K., Mierczyk Z., Skwarcz J., Młyńczak J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2005

|

Vol. 46, nr 2-3

71-72

PL

Pasywne modulatory dobroci mikrolaserów Cr⁴⁺:YAG, Cr⁴⁺:GGG i Co²⁺:YAG otrzymano metodą epitaksji z fazy ciekłej. Cienkowarstwowe struktury o nieliniowej absorpcji tworzyły modulatory mikrolaserów. Otrzymane warstwy charakteryzowano z wykorzystaniem pomiarów XRD, badań spektroskopowych i generacyjnych.

EN

Liquid phase epitaxy technique was used to grow Cr⁴⁺:YAG, Cr⁴⁺: GGG and Co²⁺:YAG thin films as a saturable absorber for passively Q-switched microchip lasers. X-ray diffraction analysis, optical transmission spectra measurements and passive Q-switching experiments were performed to characterize the obtained layers.