Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: epitaksja krzemu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Krzemowe struktury epitaksjalne dla krawędziowych ogniw słonecznych

Sarnecki J., Kozłowski R., Teodorczyk M., Gawlik G., Jeremiasz O., Lipiński D., Brzozowski A., Krzyżak K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 5

65-68

W pracy przedstawiono technologię wytwarzania krzemowej struktury planarnej ze złączem p-n przeznaczonej do konstrukcji paskowego ogniwa słonecznego oświetlanego krawędziowo, współpracującego z luminescencyjnym koncentratorem słonecznym. Planarną strukturę krzemową ogniwa wykonano metodą epitaksji z fazy gazowej. Omówiono kolejne operacje technologiczne służące otrzymaniu ogniw krawędziowych. Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów elektrycznych struktur epitaksjalnych i paskowych ogniw krawędziowych.

The presented work reports on epitaxialy grown silicon structures with p-n junction designed for fabrication an edge illuminated solar cells. In this kind of photovoltaic devices sun-light illuminates directly a p-n junction through the edge of the structure. The edge illuminated PV cell can cooperate with a luminescent solar concentrator consisted of a polymer foil doped with a luminescent material. We have proposed a new concept of edge illuminated solar cells based on silicon epitaxial technique. The technological factors affecting the cells I-V characteristics and efficiency are discussed.