Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2012

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: epitaksja MOVPE

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Parametry detektorów MSM wykorzystujących heterostruktury GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs

Zborowska-Lindert I., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Boratyński B., Tłaczała M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 2

52-54

W artykule przedstawione zostały parametry fotodetektorów MSM wykonanych na warstwach czynnych GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs. Wszystkie warstwy czynne optycznie wykonane zostały w technologii epitaksji MOVPE. W warstwach GaAsN/GaAs struktura czynna GaAsN miała grubość 100...330 nm, a zawartość atomów azotu mieściła się w zakresie 0,85...2,2%. Struktury MQW InGaAsN/GaAs stanowiły trzy studnie InGa-AsN o grubości 15 nm i zawartości 11% indu rozdzielone barierami GaAs o grubości 30 nm. W pracy przedstawiono charakterystyki prądowo-napięciowe detektorów MSM bez i z oświetleniem, co pozwala określić podstawowe parametry wykonanych fotodetektorów. Z uzyskanych wyników widać bardzo wyraźny wpływ składu materiałowego wykonanych heterostruktur na fotoprąd i czułość wykonanych fotodetektorów MSM.

In this paper the comparison of GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs MSM photodetectors has been presented. All of the devices were made by MOVPE technology. The GaAsN/GaAs MSM devices were made on undoped GaAsN layers with concentration of nitrogen varied from 0.85...2.2%. The thickness of these layers was from 100...330 nm. The InGaAsN/GaAs active layer for MSM detectors consisted of triple InGaAsN MQW with 11% of indium in 15 nm thick QWs layers and 30 nm thick GaAs barrier layers. The dark and illuminated l-V characteristics of the designed devices were presented. The photoresponse characteristics have shown a strong influence of material composition on the MSM photocurrent for both GaAsN/GaAs and InGaAsN/GaAs heterostructures.