Within the framework of Keldysh impact ionization model the calculation of effective threshold energy for silicon MOSFET with 100 nm channel length by means of ensemble Monte-Carlo simulation is performed. The possibility of impact ionization rate treatment with one-parameter Keldysh model in pre-breakdown and breakdown transistor operation mode using calculated effective threshold energy value is proposed.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
Modelowy układ, składający się z wyizolowanej typowej samolotowej belki podskrzydłowej i podwieszonej pod nią bomby lotniczej, poddano działaniu impulsu prądu, symulującego uderzenie pioruna. W artykule przedstawiono wyniki pomiarów natężenia prądu indukowanego w obejmującej spłonkę gałęzi obwodu elektrycznego mechanizmu podawania impulsu bomby. Przedstawiono również wyniki pomiarów energii progowej zadziałania spłonki dla impulsów pobudzających o różnych czasach trwania. Energia, wydzielana w spłonce w czasie trwania impulsu piorunowego, przewyższa energię progową o kilka rzędów wielkości, co powoduje konieczność opracowania odpowiednich urządzeń zabezpieczających.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.