Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: emission spectrum

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Influence of WO3 content on the optical properties of Eu3+-doped Bi2O3-B2O3-WO3 glasses

Wang Z., Tong R., Lin H., Yang D.

Materials Science Poland

2009

Vol. 27, No. 2

493--499

Eu3+-doped bismuth borate based glasses with various contents of WO3 were fabricated by melt quenching. Optical properties of Eu3+ ions in these ternary systems and their dependence on the WO3 content were investigated: absorption and emission spectra were studied as the WO3 molar ratio was adjusted from 1 to 5 mol %. The Judd-Ofelt parameters were calculated from the emission spectra and expressed in terms of reduced matrix U t (t = 2, 4, 6) characters for optical transitions. The influence of WO3 content on the Judd-Ofelt intensity parameter ?2 was also investigated. Experimental results lead us to conclude that the optimum luminescence of Eu3+-doped bismuth borate based glasses is achieved if the WO3 content is 3 mol %.

Diody laserowe dużej mocy i matryce diod laserowych na pasmo 800 nm

Maląg A., Strupiński W., Teodorczyk M., Dobrzański L., Dąbrowska E., Grodecki K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 11

108-112

Artykuł przedstawia wyniki prac nad optymalizacją konstrukcji diod laserowych dużej mocy i liniowych matryc diod laserowych na pasmo 800 nm. Przedstawione są charakterystyki elektrooptyczne diod laserowych o mocy emitowanej do 2,5 W i do 5 W w pracy ciągłej (CW), zależnie od rozmiarów rezonatora oraz matryc złożonych z 8. emiterów o mocy optycznej do 12 W (CW). Dla poprawy sprawności sprzężenia optycznego (np. ze światłowodem) zredukowano rozbieżność wiązki promieniowania diod do ok. 15° przez odpowiednie przeprojektowanie heterostruktury z naprężoną studnią kwantową GaAsP/(AlGa)As.

The paper presents the results of studies on design optimisation of high power laser diodes and arrays for 800 nm wavelength range. Electrooptical characteristics of laser diodes emitting optical power up to 2.5 W and to 5 W (CW), depending on cavity size and of 8-emitter-arrays emitting up to 12 W (CW) are presented. Emitted beam divergence has been reduced down to some 15° by using modified design of tensile-strained GaAsP/(AlGa)As heterostructure.