PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 24

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  emisja polowa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
1
Content available Druga rewolucja w konstrukcji lamp rentgenowskich
Jezierski Grzegorz
Postępy Techniki Jądrowej
|
2022
|
z. 4
23--30
PL
W artykule przedstawiono najnowsze osiągnięcia w konstrukcji lamp rentgenowskich, które można określić drugą rewolucją. Mianowicie podstawowy problem jaki stwarzają dotychczasowe rozwiązania wynikające ze stosowania termicznego źródła elektronów (m.in. problem chłodzenia, sterowania pracą lampy) został rozwiązany poprzez wykorzystanie nanotechnologii do konstrukcji innowacyjnych źródeł elektronów w oparciu o emisję polową (nanorurki węglowe czy mikro-ostrza).
EN
The article presents the latest achievements in the design of X-ray tubes, which can be described as the second revolution. Namely, the basic problem posed by the current solutions resulting from the use of a thermal electron source (including the problem of cooling, tubes control) has been solved by using nanotechnology to construct innovative electron sources based on field emission (carbon nanotubes or micro-tips).
2
Content available Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Schwarz Mike, Calvet Laurie E., Snyder John P., Krauss Tillmann, Schwalke Udo, Kloes Alexander
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2018
|
Vol. 9, nr 1
1--8
EN
In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
3
Content available Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Schwarz M., Calvet L. E., Snyde J. P., Krauss T., Schwalke U., Kloes A.
International Journal of Microelectronics and Computer Science
|
2017
|
Vol. 8, nr 2
72--79
EN
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
4
Content available remote Wpływ przygotowania powierzchni na elektronową emisję polową powłok TiO2 natryskanych plazmowo z zawiesin
Znamirowski Z., Kozerski S., Łatka L., Pawłowski L.
Przegląd Spawalnictwa
|
2016
|
R. 88, nr 3
27--31
PL
W pracy badano elektronową emisję polową z powłok TiO2 na podłożach ze stali austenitycznej. Powłoki natryskiwano plazmowo z użyciem zawiesin. Zawiesiny sporządzano na bazie mieszaniny alkoholu etylowego 50% i wody 50%. Powierzchnie próbek toczono lub poddawano obróbce strumieniowo-ściernej. Stwierdzono, że emitery polowe natryskane na powierzchnie poddane wcześniej obróbce strumieniowo-ściernej charakteryzują się lepszą stabilnością emisji elektronowej.
EN
The electron field emission of TiO2 coatings on substrates made of austenitic steel has been investigated. Plasma sprayed coatings using suspensions. The suspensions were prepared based on a mixture of 50% ethyl alcohol and 50% water. The surfaces of the samples machined or subjected to abrasive blasting. It has been found that the field emitters been sprayed onto the surface before blasting, they have better stability of electron emission.
5
Wykorzystanie metody elementu skończonego (MES) do analizy wyników emisji polowej
Rymarczyk J., Stępińska I.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 1
12-17
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacji oraz badań emisji polowej elektronów z warstw węglowo-niklowych zawierających nanorurki węglowe (warstwy CNT-Ni). Warstwy CNT-Ni otrzymuje się w wyniku procesu fizycznego jednoczesnego osadzania z fazy gazowej (metoda PVD) fulerenu C₆₀ i octanu niklu. Takie warstwy są modyfikowane metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (metoda CVD) ksylenu w podwyższonej temperaturze. Tak otrzymane warstwy nanorurek węglowych z nanoziarnami Ni wykazują emisję polową. Na podstawie symulacji metodą elementu skończonego (MES) rozkładu pola elektrycznego w układzie emitera z katodą z warstwy CNT-Ni można wnioskować, o rozkładzie wartości natężenia pola elektrycznego. Symulacje przeprowadzono przy zastosowaniu programu ANSYS. Zostało pokazane, że właściwości emisyjne warstw CNT-Ni zależą od morfologii i gęstości upakowania nanorurek na powierzchni.
EN
In this paper we present results of comparison of numerical simulation and experimental data for field emission studies of carbon-nickel nanocomposite films with different carbon nanotubes on surface (CNT-Ni film). Films were obtained by PVD method and next CVD modification. Finite Element Method (FEM) and ANSYS program (Ansys, Inc) were used to simulation of electric field distribution. Studies have shown that the emission properties of the CNT-Ni films depend on their morphology and topography. The experimental results and the modeling show that the better emission property has a film of rare spaced nanotubes than film with many nanotubes on surface.
6
Lampy z zimną katodą
Czerwosz E., Biernacki K., Stępińska I., Rymarczyk J., Waszuk S., Wódka T., Wronka H.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 1
6-11
PL
W artykule przedstawiono propozycję budowy nowego typu lampy opartej na emiterach polowych zbudowanych z wielościennych nanorurek węglowych. Emiter polowy, zwany „zimnym emiterem”, stanowi katodę emitującą elektrony na anodę w postaci ekranu pokrytego luminoforem. Emisja polowa jest najefektywniejszą formą emisji elektronów, które mogą zostać użyte do otrzymywania luminescencji z luminoforu. W pracy przedstawiamy szczegóły dotyczące konstrukcji modelu lampy fluorescencyjnej z zimną katodą, zaprojektowanego i wykonanego w naszym laboratorium. Prezentowane rezultaty pokazują, że wydajność świetlna takich lamp jest na tyle duża, że mogą one osiągnąć współczynnik efektywności energetycznej klasy A++. Stwarza to duże możliwości potencjalnych ich zastosowań.
EN
In this paper we propose new type of lighting based on multiwall carbon nanotubes field emitters and phosphors. In our laboratory such vacuum lamp was designed and constructed. The field emitter, so called “cold emitter” is a carbonaceous- carbon nanotubes film. The field emission is most effective source of electron which could be used for obtain luminescence from phosphors as it is realized in fluorescence lamps. The details of lamp construction will be discussed in the paper. The lamp with proposed form have a chance to be of a class A++ of energy efficiency class standards.
7
Content available remote Miniaturowe źródła promieniowania rentgenowskiego
Górecka-Drzazga A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 11
108--112
PL
W artykule przedstawiono przegląd literaturowy na temat konstrukcji i technologii różnego typu miniaturowych lamp rentgenowskich. Opisano przykłady źródeł rentgenowskich wykorzystujących efekt piroelektryczny oraz źródeł z termiczną i polową wyrzutnią elektronów. Artykuł zakończono prezentacją koncepcji zintegrowanej lampy rentgenowskiej on-chip, wytworzonej metodami mikroinżynierii. W konstrukcji wykorzystano miniaturowe polowe źródło elektronów z katodą z nanorurek węglowych oraz ostatnio opracowaną mikropompę wysokiej próżni.
EN
The article presents an overview of literature on the design and technology of various types of miniature X-ray tubes. Examples of the Xray tubes using the pyroelectric effect and tubes with the thermal and field-emission electron sources have been described. At the end the concept of X-ray source integrated on-chip made by the use of microengineering methods is presented. In the construction a miniature field-emission electron source with carbon nanotube cathode and a recently developed high-vacuum micropump are applied.
8
Content available remote Mikropompa dla urządzeń nanoelektroniki próżniowej
Grzebyk T., Górecka-Drzazga A.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 10b
114-116
PL
Rozwój urządzeń nanoelektroniki próżniowej jest ograniczony brakiem możliwości wytworzenia wysokiej i ultra wysokiej próżni w objętości mniejszej niż 1 cm3. W pracy przedstawiono konstrukcję i technologię mikropompy jonowo-sorpcyjnej, która może być zintegrowana z każdym urządzeniem wytworzonym technikami mikroinżynieryjnymi. Wykonano struktury testowe mikropompy i zmierzono ich właściwości.
EN
The development of vacuum nanoelectronics devices is limited due to an unsolved problem of high and ultrahigh vacuum generation inside cavity smaller than 1 cm3. In the work construction and technology of the ion-sorption vacuum micropump, which can be integrated with each microdevice that is fabricated using microingineering techniques, is described. The test structures of the micropump have been produced and preliminary characterized.
9
Nowa metoda pomiaru wysokich napięć przy wykorzystaniu materiałów nanokompozytowych
Czopik A., Krawczyk S., Olszewska K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 8
69-71
PL
W artykule opisano nową metodę pomiaru wysokiego napięcia wykorzystującą zjawisko emisji polowej elektronów. Przedstawiono wyniki badań warstw nanokompozytowych Ni-C pod kątem zastosowania ich w przyrządach pomiarowych opartych o wspomniane zjawisko.
EN
The new method of high voltage measurement using field emission phenomena is described in the paper. There are presented results of research on Ni-C nanocomposite layers in order to application in measuring instruments based on mentioned phenomena.
10
Porous silicon : obtainig, properties and applications
Craciunoiu F., Miu M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
24-27
EN
Silicon wafer during electrochemical etching process is changed into a sponge structure named porous silicon. Porous silicon due to the well-developed surface area can be used in many applications. The present paper tries to review some of our recent results related to porous silicon, a special attention being dedicated using it as the substrate for cold field emitters.
PL
W czasie trawienia elektrochemicznego płytka krzemu jest przekształcana w strukturę typu gąbka zwaną porowatym krzemem. Porowaty krzem z powodu dobrze rozwiniętej powierzchni właściwej może być stosowany w wielu aplikacjach. W artykule przedstawiono wyniki ostatnich badań wykonanych w IMT-Bucharest, dotyczących porowatego krzemu, zwłaszcza jego zastosowania jako podłoża dla emiterów polowych.
11
Miniaturowa pompa próżniowa
Grzebyk T., Górecka-Drzazga A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
16-18
PL
W artykule przedstawiono problem wytwarzania wysokiej próżni w mikrourządzeniach o objętości roboczej mniejszej niż 1 cm³ oraz propozycję jego rozwiązania. Brak odpowiednich technik hamuje rozwój mikrosystemów próżniowych typu MEMS/MOEMS (Mikro-Elektro-Mechaniczne Systemy/ Mikro-Opto-Elektro-Mechaniczne Systemy) oraz uniemożliwia wytwarzanie złożonych urządzeń Mikro- i Nanoelektroniki Próżniowej. Wydaje się, że optymalnym rozwiązaniem byłoby wytworzenie mikropompy próżniowej, która mogłaby być w pełni zintegrowana z mikrourządzeniem próżniowym. Przedstawiono opisane w literaturze miniaturowe pompy próżniowe, które zostały wykonane z zastosowaniem technologii mikroelektronicznych i mikroinżynieryjnych. Żadne z opublikowanych rozwiązań nie pozwala na uzyskanie wysokiej i ultrawysokiej próżni Przedyskutowano możliwości miniaturyzacji różnych typów pomp, ze szczególnym uwzględnieniem pomp sorpcyjnych oraz związane z tym ograniczenia technologiczne. W pracy przedstawiono koncepcję konstrukcji krzemowo-szklanej mikropompy orbitronowej, która powinna umożliwić wytworzenie wysokiej próżni w mikroobjętości. Prace technologiczne rozpoczęto od opracowania głównego elementu mikropompy orbitronowej, czyli źródła elektronów. Wykonano polowe, planarne źródło elektronów oraz zmierzono jego właściwości emisyjne. Uzyskano napięcie progowe emisji poniżej 30 V oraz prąd elektronowy przekraczający 100 µA (przy ok. 100 V). Wydaje się, że opracowane źródło umożliwi wykonanie demonstratora orbitronowej mikropompy próżniowej. Rozpoczęto badania nad technologią mikropompy.
EN
In this article a problem of high vacuum generation in microdevices (with volume less then 1 cm³) has been introduced. The inability to obtain and maintain high vacuum level within a microcavities inhibits further development of complex vacuum microsystems and nanoelectronics devices. It is assumed that the optimal solution would be to fabricate a micropump fully integrated with other microdevices. MEMS-type micropumps presented in the literature are only able to generate low vacuum (pressure above 1 kPa). Possibilities of miniaturization of different kind of pumps (especially sorption pumps) and associated with it limitations have been described. In this article a novel concept of a silicon-glass orbitron micropump has been presented. In our opinion, it could be integrated with other microsystems and be able to generate high vacuum. The experimental work started with elaboration of a thin-film planar electron source, which is the most important element of a micropump. Obtained data: high current (over 100 µA) and low threshold voltage (less then 30 V) give a chance for future implementation in a complete micropump's structure.
12
Metoda pomiarów i analizy wyników badań emisji polowej z nanokompozytowych warstw Ni-C
Czerwosz E., Krawczyk S., Wronka H.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 7
118-120
PL
Badanie emisii polowej nanokompozytowych warstw Ni - C wymaga rejestrowania charakterystyk prądu emisji w funkcji czasu oraz prądu emisji w funkcji napięcia anodowego. Zapisywanie odczytywanych danych "ręcznie" jest żmudne, czasochłonne i mało precyzyjne dlatego celowe jest zastosowanie komputerowego rejestrowania wyników pomiarów. W tym celu użyty został w naszym instytucie mikrokontroler z muitipleksowanym przetwornikiem A/C jako urządzenie pomiarowe oraz komputer PC do gromadzenia, przetwarzania i zapisywania wyników. Łączność między mikrokontrolerem a komputerem odbywa się poprzez łącze RS232. Mikrokontroler pracuje w oparciu o dedykowany program napisany w języku "C". Komputer PC pracuje pod kontrolą systemu Windows XP oraz program napisany w środowisku LabView.
EN
Field emission studies require research current - voltage characteristics as well as a current of emission vs. of time enrollment characteristics for a studied material. Data acquisition with "manually" manner is time - consuming and not precised whereas employment of computer measurement for data acquisition enable performing better and more precise data acquisition. Microcontroller with multiplexed converter A/C and computer for collecting and processing of results have been used in our set - up. Computer - microcontroller link was realized by RS232. Microcontroller is programmed in the language "C". Computer system was windows XP and program was written in environment LabView.
13
Field emission from spindt-like Ni-C films obtained on Si
Czerwosz E., Kowalska E., Radomska J., Wronka H.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
80-81
EN
Field emission from films with short, rarely displaced carbon nanotubes on the nanocomposite C-Ni layer (Spindt-like Ni-C films) surface was studied. Films were deposited on Si substrate by two steps method consisted of Physical Vapor Deposition (PVD) process as the first step and Chemical Vapor Deposition (CVD) technique with xylene as the second step. These films were characterized by Scanning Electron Microscope (SEM). These films showed stable field emission starting at electric field lower than 15 V/µm. The efficiency of emission depends on the distribution and length of nanotubes.
PL
Badano emisję polową z nanokompozytowych warstw Ni-C zawierających rozmieszczone na powierzchni nanorurki węglowe (warstwy Ni-C typu Spindta). Warstwy otrzymano dwuetapową metodą wykorzystując proces fizycznego odparowania w próżni, (PVD) jako etap pierwszy i chemicznego osadzania z par ksylenu, (CVD) jako etap drugi. Otrzymane warstwy charakteryzowano metodą elektronowej mikroskopii skaningowej (SEM). Warstwy wykazywały stabilną emisję rozpoczynającą się przy polu elektrycznym poniżej 15V/µm. Wydajność emisji zależy od gęstości rozłożenia nanorurek na powierzchni oraz od ich długości.
14
Emisja polowa z warstw węglowo-niklowych : model i doświadczenie
Rymarczyk J., Stępińska I.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
39-40
PL
Zjawisko emisji polowej z nanorurek węglowych jest przedmiotem badań niniejszej pracy. Warstwy nanorurek otrzymano za pomocą dwustopniowej metody opracowanej w Instytucie Tele- i Radiotechnicznym. Zostały one scharakteryzowane poprzez mikroskopię elektronową, modelowanie komputerowe oraz pomiary emisji polowej. Następnie oceniono wpływ morfologii nanorurek węglowych na jakość emisji zimnych elektronów.
EN
The phenomenon of field emission is presented in this work. Carbon nanotubes films were synthesized by two - step method developed at Tele and Radio Research Institute. Obtained films were characterized by electron microscopy, computer modeling and field emission measurements. The influence of morphology of carbon nanotubes on quality of cold electron emission was rated.
15
Emisja polowa w rodzinie lamp fluorescencyjnych z zimną katodą z nanokompozytowych warstw Ni-C
Krawczyk S., Wronka H., Waszuk S., Czerwosz E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
35-37
PL
W pracy omówiono badania emisji polowej dla katod wykorzystanych w konstrukcji lamp fluorescencyjnych oraz dla lamp, w których zamontowano te katody. Badania pokazały, że najsilniejsza emisja obserwowana jest dla katod o strukturze litej matrycy z kompozytu węglowego z nanorurkami wystającymi z wyrw w tej matrycy. Nanorurki w takiej matrycy rozmieszczone są rzadko, tzn. ich długość jest znacznie mniejsza od odległości między nimi.
EN
Field emission studies were performed for cathodes used in a construction of a fluorescent lamp and for lamps in which these cathodes were mounted. investigations exhibited that a most intensive emission is observed for a cathode that was composed of film basing on carbonaceous matrix in which carbon nanotubes are placed in a holes. These nanotubes are rarely distributed in the matrix what means that their length is much smaller than distance between them.
16
Content available Miniaturowy krzemowo-szklany mikrocytometr zintegrowany z miniaturowym źródłem światła
Cichy B., Górecka-Drzazga A., Dziuban J. A.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2010
|
R. 56, nr 5
437-439
PL
W pracy przedstawiono krzemowo-szklany chip mikrofluidyczny tzw. mikrocytometr. Jest to miniaturowe urządzenie do analizy parametrów różnych komórek (przepływającego obiektu biologicznego) wprowadzonych do układu mikrokanałów. Prezentowany mikrocytometr przystosowany jest do wprowadzania światła prostopadle do kierunku przepływu badanej próbki. Do oświetlania próbki opracowano miniaturowe krzemowo-szklane źródło światła. Źródło to wykorzystuje emisję polową elektronów z wielościennych nanorurek węglowych oraz wzbudzanie luminescencji w nanokrystalicznym luminoforze tlenkowym. Ze względu na kompatybilność technologiczną obu miniaturowych urządzeń jest możliwa ich pełna integracja. Opracowany chip został zastosowany do analizy właściwości pojedynczych komórek zwierzęcych metodą pomiaru wzbudzonej fluorescencji. Wstępne testy wykazały, że krzemowo-szklany mikrocytometr umożliwia ocenę stanu biologicznego oocytów zwierzęcych poddanych indukowanej apoptozie.
EN
A new silicon-glass microfluidic chip called microcytometer is presented in the paper. It is a miniature device for examining parameters of microscopic particles, such as cells which are suspended in a stream of fluid flowing by microchannel. This chip allows introduction of light beam vertically to the sample flow direction. Miniature light source for lighting the analysed cell was elaborated. The light source makes use of electron emission for cold cathode as an effect of a very high electrical field. Field-emitted electrons from multiwall carbon nanotubes excite luminescence from nanocrystalline oxide phosphors. Because of technological compatibility of both miniature devices, they can be fully integrated. The microcytometer was used for fluorimetric measurements of single living, animal cells. The first results showed that the silicon-glass microcytometer allowed estimation of biological conditions of animal oocytes which were subjected to induced apoptosis.
17
Planarne polowe źródło elektronów
Grzebyk T., Górecka-Drzazga A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 6
108-110
PL
W pracy przedstawiono konstrukcję i technologię planarnego, polowego źródła elektronów. Planarny emiter polowy został fotolitograficznie uformowany z cienkiej warstwy złota naniesionej na utlenione podłoże krzemowe. Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych wykazały, że źródło elektronów w konfiguracji diodowej charakteryzuje się niskim napięciem progowym emisji i dużym prądem. Uzyskane wyniki pozwolą w przyszłości na zastosowanie opracowanego źródła elektronów w miniaturowych urządzeniach próżniowych typu MEMS.
EN
In the paper a construction and technology of the lateral, field-emission electron source are presented. Lateral nanoemitter is made from a thin gold layer, which has been deposited onto oxidized silicon wafer and photolitographically patterned. The obtained diode type structures were tested in oil-free vacuum chamber under the pressure of 2·10 ⁻³ Pa. Measurements of the current-voltage curves showed that the source has a Iow threshold voltage of field-emission (about 15 V) and high emission current (about 1 mAfor 100 V). In future, the presented results allow integration of the lateral field-emission source with miniature MEMS type vacuum devices.
18
Miniaturowe źródła światła wykorzystujące emisję polową z nanorurek węglowych
Cichy B., Górecka-Drzazga A., Dziuban J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2008
|
Vol. 49, nr 6
133-134
PL
Przedstawiono miniaturowe źródło światła z emisja polową. Katodę polową wykonano w postaci chipu krzem-ITO (tlenek indowo-cynowy), na którym osadzono nanorurki węglowe metodą elektroforetyczną. Anoda źródła światła została wykonana ze szkła pokrytego warstwą ITO i luminoforem. Uzyskano niskie napięcie startu emisji polowej oraz wydajną emisję światła. Zaletą opracowanego źródła jest możliwość integracji on-chip z krzemowo-szklanym chipem mikrofluidycznym.
EN
The miniature field-emission light source is presented. Silicon-ITO layer (Indium-Tin Oxide) chip electrophoretically covered with carbon nanotubes has been applied as a field-emission cathode. Anode of light source consisted of glass and ITO layer was covered with phosphor using electrophoretic method. Low threshold electron emission voltage and efficient light emission have been obtained. The main advantage of this light source is the on-chip integration with silicon-glass microfluidic chip.
19
Content available remote Electroforming and electroerosion of DLC films in cold electron emission process
Jarzyńska D., Staryga E., Znamirowski Z., Dłużniewski M.
Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology
|
2006
|
Vol. 26
55-60
EN
Diamond-like carbon films were deposited onto silicon substrates by RF PCVD technique. The measurements of the emission current carried out in vacuum using diode configuration system. SEM examinations carried out after current emission measurements indicate on a defect of DLC surface morphology. The analysis both no defected and defected areas of DLC films during film emission measurements was made by Raman Spectroscopy technique. The Raman spectra showed sharp peak of amorphous silicon and no peaks characteristic for DLC films D and G bands in the damage region. The results indicate that DLC films may undergo electroforming and electroerosion processes during film emission measurements.
PL
Warstwy diamentopodobne osadzono na podłożu krzemowym przy użyciu techniki RF PCVD. Pomiary emisji wykonano w próżni 10-4 Pa, w układzie diodowym, w którym warstwa DLC stanowiła katodę. W trakcie emisji elektronów może zachodzić lokalne przegrzanie materiału, prowadzące, w kolejnych cyklach pomiarowych, do odparowania, bądź sublimacji warstwy DLC i zdefektowania jej powierzchni. Do analizy niezdefektowanych oraz zdefektowanych obszarów warstw DLC użyto spektroskopii Ramana oraz mikroskopii elektronowej SEM.
20
Diamond-like carbon and diamond films as source of electron emission
Staryga E., Znamirowski Z., Jarzyńska D., Fabisiak K., Banaszak A., Cłapa M.
Karbo
|
2005
|
Nr 4
244-251
EN
We investigated electron field emission from diamond-like carbon and diamond thin layers. DLC and diamond films were deposited onto Si substrate using Radio Frequency Chemical Vapour Deposition process and Hot Filament Chemical Vapour Deposition technique, respectively. The field emission characteristics were described using the Fowler-Nordheim model. To analyze the surface morphology Raman spectroscopy, Electron Spin Resonance (ESR) and Scanning Electron Microscopy (SEM) was used. We obtained well-defined Raman spectrum peak for diamond films at 1332 cm-1.The Raman spectrum, for DLC layers, showed asymmetric peak consist of D and G-band around 1550 cm-1. It indicate for existence of sp3 (diamond) and s2 (graphite) phase in these films. The field emission for DLC films was obtained at turn-on electric field between 70-90 V/μ while for diamond films in a range between 60-140 V/μ. It seems that changes of turn-on field values and emissive properties of thin carbon layers may be cause by different content graphite phase in carbon films.
PL
Przebadano elektronową emisje polową węgla diamentopodobnego(DLC) i cienkich warstw diamentowych. Charakterystyki emisji polowej zostały opisane w oparciu o model Fowlera-Nordheima. Do analizy morfologii powierzchni zastosowano spektroskopię Ramana, elektronowy rezonans spinowy (ESR) oraz skaningowa mikroskopie elektronowa (SEM). Otrzymano wyraźne widma Ramana dla cienkich warstw diamentowych z maksimum przy 1332 cm-1. Widmo Ramana dla warstw DLC przedstawia asymetryczne składoweDorazG(1550 cm-1). Ta ostatnia świadczy o istnieniu faz sp3 (diament) oraz sp2 (grafit) w tych warstwach. Emisja polowa dla warstw DLC uzyskana była przy ustalonym na 70-90 V/μ.m natężeniu pola elektrycznego, zaś dla warstw diamentowych w przedziale 60-140 V/μm. Pomiary wskazują, że zmiany wartości przyłożonego pola i właściwości emisyjnych cienkich warstw węgla mogą być wywołane różną zawartością fazy grafitowej w warstwach węglowych.
first rewind previous Strona / 2 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.