Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: emisja elektronowa

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ przygotowania powierzchni na elektronową emisję polową powłok TiO2 natryskanych plazmowo z zawiesin

Znamirowski Z., Kozerski S., Łatka L., Pawłowski L.

Przegląd Spawalnictwa

2016

R. 88, nr 3

27--31

W pracy badano elektronową emisję polową z powłok TiO2 na podłożach ze stali austenitycznej. Powłoki natryskiwano plazmowo z użyciem zawiesin. Zawiesiny sporządzano na bazie mieszaniny alkoholu etylowego 50% i wody 50%. Powierzchnie próbek toczono lub poddawano obróbce strumieniowo-ściernej. Stwierdzono, że emitery polowe natryskane na powierzchnie poddane wcześniej obróbce strumieniowo-ściernej charakteryzują się lepszą stabilnością emisji elektronowej.

The electron field emission of TiO2 coatings on substrates made of austenitic steel has been investigated. Plasma sprayed coatings using suspensions. The suspensions were prepared based on a mixture of 50% ethyl alcohol and 50% water. The surfaces of the samples machined or subjected to abrasive blasting. It has been found that the field emitters been sprayed onto the surface before blasting, they have better stability of electron emission.

Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method

Jarzyńska D., Staryga E., Znamirowski Z., Fabisiak K., Gotszalk T., Woszczyna M., Strzelecki W., Dłużniewski M.

Scientific Bulletin. Physics / Lodz University of Technology

2007

Vol. 28

13-26

Electron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.

Przeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.

Zimna emisja elektronowa z warstw ukladu C(sub60)/C(sub70)+Ni

Czerwosz E., Adydan M., Dłużewski P., Gierałtowski W., Kozłowski M., Starnawska E., Wronka H.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

1999

z. 123

83-86

We investigated cold electron emission from C60/C70+Ni films deposited on fused silica and molybdenum substrates. Films were characterised before and after electron emission measurements by TEM, ED, SEM and EDS. Films were composed of nanocrystalline Ni objects dispersed in carbon/fullerrenes matrix. I-V characteristics for electron emission obtained in diode geometry for several films with various Ni contents (3 - 12wt% of. Ni) exhibited the dependence on Ni contents. The bias voltage applied along the surface enhanced electron emission from films with Ni contents higher than 3wt% and caused the formation of conducting paths in films with 3wt% of Ni.