PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 19

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  elementy półprzewodnikowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Wykorzystanie ogniw Peltiera do budowy układów chłodzących w transporcie
Sadowski E., Kowalik R., Pniewski R.
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
|
2016
|
R. 17, nr 12
1335--1338
PL
W artykule omówiono budowę modułów termoelektrycznych i zjawisko Peltiera. Położono nacisk na analizę zjawiska zachodzącego na elemencie półprzewodnikowym. Zaprezentowano także ułożenie ogniw w stos oraz model matematyczny wykorzystany do opracowania programów symulacyjnych. Przedstawiono również aktualne zastosowania ogniw oraz omówiono możliwości wykorzystania modułów Peltiera jako elementów chłodzących w transporcie.
EN
The article discusses the construction of thermoelectric modules and Peltier effect. Emphasis on the analysis of the phenomena occurring on the semiconductor element. Also presented configuration of cells in the stack and a mathematical model used to develop simulation programs. It also presents the current cell use, and discussed the possibility of using modules as a Peltier cooling elements in transport.
2
Content available remote Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną
Górecki K., Zarębski J.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2014
|
z. 1
57--64
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań wpływu sposobu mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną. Opisano zastosowaną przez autorów metodę pomiaru tego parametru oraz wyniki pomiarów cza-sowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej wybranych typów tranzystorów pracujących przy różnych warunkach mocowania. Przy wykorzystaniu autorskiego programu ESTYM wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej i przeanalizowano wpływ sposobu mocowania na wartości tych parametrów. Badania przeprowadzono zarówno dla elementów pracujących pojedynczo, jak i dla analogowego układu scalonego oraz tranzystorów pracujących na wspólnym radiatorze.
EN
In the paper some results of investigations of the influence of the manner of mounting semiconductor devices on its transient thermal impedance are presented. The applied by the authors the method of measurements of this parameter is described and some results of measurements of waveforms of the transient thermal impedance of selected types of transistors operating at different mounting conditions are shown. With the use of the authors’ program ESTYM the values of parameters of the model of the transient thermal impedance were estimated. The influence of the manner of mounting manner on the value of these parameters is analysed. Investigations were passed both for devices operating one by one, as and for the analog integrated circuit and transistors situating on the common heat-sink.
3
Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu : pomiary, modelowanie i aplikacje
Zarębski J., Bisewski D., Dąbrowski J., Górecki K., Bargieł K., Patrzyk J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2014
|
Vol. 55, nr 8
22-25
PL
W artykule zaprezentowano wybrane wyniki prac naukowo-badawczych prowadzonych w Katedrze Elektroniki Morskiej (KEM) Akademii Morskiej w Gdyni w zakresie pomiarów oraz modelowania przyrządów półprzewodnikowych wykonanych z węglika krzemu, a także przykładowych układów elektronicznych z tymi przyrządami.
EN
In this papers, selected results of scientific research performed in the Department of Marine Electronics of Gdynia Maritime University in the field of measurements and modelling of semiconductor devices made of silicon carbide are presented. Some results of analyses and calculations of electronic circuits containing such devises are shown, as well.
4
System pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych
Zarębski J., Górecki K., Dąbrowski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 12
32-35
PL
W pracy zaprezentowano autorski system pomiarowy do wyznaczania parametrów termicznych przyrządów półprzewodnikowych przy wykorzystaniu metod elektrycznych. Przedstawiono koncepcję działania proponowanego systemu oraz zaprezentowano przykładowe rozwiązanie konstrukcyjne do pomiaru parametrów termicznych diod oraz tranzystorów JFET. Poprawność działania opracowanego systemu pomiarowego zweryfikowano poprzez porównanie wyników pomiarów przejściowej impedancji termicznej diody Schottky’ego i diody MPS oraz tranzystora JFET, uzyskanych za pomocą opracowanego systemu pomiarowego oraz przy wykorzystaniu metody pirometrycznej.
EN
In the paper the measuring system, elaborated by the authors, for determining thermal parameters of semiconductor devices with the use of electrical methods, is presented. The concept of operation of the system and sample circuits solution dedicated for measurements of diodes and JFET s are described. Correctness of the system operation was verified by comparing the results of transient thermal impedance measurements of some semiconductor devices: Schottky diode, MPS diode and JFET, obtained through the developed measuring system and pyrometric method.
5
Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 1
22-25
PL
W pracy przedstawiono metodykę opisu transportu ciepła ze struktury półprzewodnikowej elementu elektronicznego do otoczenia. Uwzględniono wielodrogowość transportu ciepła oraz zaproponowano uniwersalną postać modelu termicznego elementu półprzewodnikowego stanowiącego część urządzenia elektronicznego znajdującego się w obudowie. Pokazano postać modeli termicznych elementu półprzewodnikowego z dwoma różnymi systemami chłodzenia oraz zaproponowano sposób wyznaczania wartości parametrów takiego modelu.
EN
In the paper the methodics of description of the heat transport from the interior of semiconductor devices to the surroundings is presented. The universal form of the thermal model of semiconductor device operating in any electronic equipment located inside any box with multipath heat transfer taken into account is proposed. Moreover, the form of the thermal model of the semiconductor device operated with two different cooling conditions is described. For this model also the manner of obtaining the values of parameters of such model is shown.
6
Content available remote Wpływ promieniowania jonizującego na elementy półprzewodnikowe i układy scalone
Stepowicz W.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2012
|
nr 75
201--213
PL
W pracy opisano źródła narażeń elementów półprzewodnikowych i układów scalonych na promieniowanie jonizujące, a następnie omówiono klasyfikacje mechanizmów uszkodzeń wywołanych tym promieniowaniem. Podano przykłady szkodliwego wpływu promieniowania jonizującego na wybrane elementy i układy. Pokazano zastosowanie promieniowania neutronowego do wytwarzania domieszkowanego krzemu oraz wykorzystanie krzemu do konstrukcji półprzewodnikowych detektorów promieniowania jonizującego.
EN
In the paper sources of ionization radiation exposures of semiconductor devices and integrated circuits are presented, and classifications of failures caused by radiation are disscused. Some examples of destcructive influence of radiation on semiconductor devices and integrated circuits are given. Application of neutron radiation to obtain doped n-type silicon and use of silicon to construct ionization detectors are described as well.
7
Paths of the heat flow from semiconductor devices to the surrounding
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2012
|
Vol. 53, nr 12
13-15
EN
In the paper paths of the heat flow generated inside a semiconductor structure to the surrounding are considered. On the basis of the literature information, typical construction of semiconductor devices cooling systems are analysed. Apart from this, the results of measurements of the thermal resistance and transient thermal impedance of such devices illustrating the influence of some factors on the value of thermal parameters are discussed. The general form of the device thermal model including the multipath of the heat flow and thermal properties of the elements of the heat flow path is proposed.
PL
W pracy rozważane są drogi przepływu ciepła generowanego w strukturze półprzewodnikowej do otoczenia. W oparciu o informacje literaturowe przeanalizowano typowe konstrukcje układów chłodzących elementów półprzewodnikowych oraz przedstawiono wyniki pomiarów rezystancji termicznej takich elementów ilustrujące wpływ wybranych czynników na wartość tego parametru. Zaproponowano ogólną strukturę modelu termicznego elementu półprzewodnikowego uwzględniającego wielodrogowość przepływu ciepła oraz właściwości cieplne elementów toru przepływu ciepła.
8
Content available remote Trójfazowy falownik quasi-Z do współpracy z baterią ogniw fotowoltaicznych - analiza symulacyjna i projekt
Rąbkowski J., Zdanowski M., Supronowicz H.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2011
|
R. 87, nr 1
147-152
PL
Artykuł przedstawia zagadnienia symulacji i projektowania modelu trójfazowego falownika typu quasi-Z (qZ), który jest przeznaczony do współpracy z baterią ogniw fotowoltaicznych o mocy 2kW. Omówiono zasadę działania układu oraz jego sterowanie przy pomocy modulacji szerokości impulsów. Podstawowe przebiegi wartości chwilowych prądów i napięć wyznaczono w drodze symulacji w pakiecie SABER. Pokazano także metody doboru parametrów elementów półprzewodnikowych i biernych z wykorzystaniem modelu symulacyjnego.
EN
In this paper simulation and design issues of the three phase quasi-Z inverter for the photovoltaic application are presented. Operation principles of the inverter are presented as well as its pulse width modulation based control methods. Basic waveforms of the currents and voltages are obtained by SABER simulations. Methods of the semiconductor devices and passive elements are also shown in this paper.
9
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost
Zarębski J., Górecki K.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 10
79-81
PL
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk przetwornicy boost z półprzewodnikowymi elementami kluczującymi wykonanymi z krzemu oraz z węglika krzemu. Przeprowadzono badania rozważanej przetwornicy, zawierającej krzemowy tranzystor MOS oraz krzemową diodę Schottky'ego, krzemowy tranzystor MOS oraz diodę Schottky'ego z węglika krzemu oraz tranzystor MESFET i diodę Schottky'ego z węglika krzemu. W oparciu o uzyskane wyniki pomiarów wskazano warunki pracy przetwornicy boost, przy których zasadne jest stosowanie elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu.
EN
In the paper some results of measurements of the boost converter characteristics including switching semiconductor devices produced from silicon and silicon carbide were presented. The investigations were performed for three converters containing: the silicon MOS transistor and the silicon Schottky diode, the silicon MOS transistor and the silicon carbide Schottky diode as well as the MESFET transistor and the Schottky diode produced from silicon carbide. The obtained results of measurements are discussed.
10
Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy buck
Górecki K., Zarębski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 8
124-127
PL
W pracy zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych i pomiarowych przetwornicy buck zawierającej elementy półprzewodnikowe wykonane z krzemu oraz z węglika krzemu. Obliczenia wykonano przy wykorzystaniu elektrotermicznych hybrydowych modeli tranzystorów polowych oraz diod. Poprawność uzyskanych wyników symulacji zweryfikowano doświadczalnie. Przedyskutowano wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na uzyskane charakterystyki rozważanej przetwornicy.
EN
In the paper the results of simulations and measurements of a buck converter operating with silicon and silicon carbide devices are presented. SPICE simulations were performed with the use of electrothermal hybrid models of unipolar transistors and Schottky diodes. The simulation results were verified experimentally. The influence of selection of the considered semiconductor devices on the buck converter characteristics is discussed.
11
Modelowanie szumów RTS
Cichosz J., Szewczyk A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 9
161-163
PL
Przytoczono charakterystyczne parametry szumu wybuchowego RTS (Random Telegraph Signal). Przedstawiono algorytm programowego generatora szumów RTS. Algorytm został wyposażony w możliwość dodawania do wygenerowanych impulsów RTS szumu białego oraz szumu typu 1/f. Przedstawiono przykładowe realizacje wygenerowanych przebiegów.
EN
There are parameters of Random Telegraph Signal (RTS) noise are described in the paper. Also there is the algorithm of software RTS generator. The presented algorithm allows to generate the RTS noise with 1/f noise and white noise components. In the paper the examples of generated process are quoted.
12
Analiza strat mocy w elementach półprzewodnikowych falownika typu Z dla różnych metod PWM
Rąbkowski J., Morkowski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 2
28-32
PL
Artykuł omawia warunki pracy łączników oraz wynikające z nich straty mocy w trójfazowym falowniku typu Z w zależności od zastosowanej metody modulacji. W zestawieniu uwzględniono pięć metod pokazując charakterystyczne sekwencje stanów łączeniowych oraz przebiegi wartości chwilowych prądów i napięć. Wyjaśniono wpływ zastosowanych metod modulacji na starty łączeniowe układu, co zostało potwierdzone badaniami sprawności modelu o mocy 2 kVA. Stosowanie ulepszonych metod modulacji pozwala poprawić sprawność układu o 2,5%.
EN
This paper describes operating conditions of semiconductor devices in a three-phase Z-source converter depending upon the method of modulation. In comparison five methods are presented through specific switching tables and currents and voltages waveforms. Influence on switching losses of Z-source inverter is described and confirmed by efficiency tests of 2 kVA laboratory model. Improved PWM methods lead to the efficiency rise up to 2,5%.
13
Węglik krzemu - nowe perspektywy w energoelektronice
Janke W.
Nowa Elektrotechnika
|
2005
|
nr 7 (11)
28--30
14
Ocena niezawodności elementów półprzewodnikowych
Spiralski L., Konczakowska A.
Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
|
2003
|
Vol. 23, nr 2
2-5
15
Aktywne układy kompensacji mocy biernej
Zając W.
Rynek Energii
|
2001
|
nr 1
30-35
PL
Omówiono zasady i sposoby kompensacji mocy biernej. Rozpatrzono współczesne metody kompensacji uwzględniając ich zalety i wady oraz tendencje rozwojowe. Podjęto próbę prognoz rozwoju techniki półprzewodnikowej w zastosowaniu do układów przekształtnikowych mających na celu regulację, transmisję, przemianę energii elektrycznej. Na progu nowego tysiąclecia urządzenia energoelektroniczne do regulacji mocy biernej, poziomu napięć, fazy kąta w sieciach NN, ŚN i nn są już rzeczywistością. Liczne zastosowania na całym świecie potwierdzają, że za rozwojem elementów półprzewodnikowych GTO, IGBT, SiC nadąża rozwój teorii obwodów oraz techniczna adaptacja w systemach elektroenergetycznych w konkretnych zastosowaniach.
EN
This paper presents principles and ways to compensate reactive (Or non active) power. The autor considers new methods of reactive compensation and takes into consideration advantages and drawbackof them also gives future trends. Based on the present state, this paper tries to give some proposal future progress of semiconductor devices in application to power electronic systems of converters to control, transmission and converse of electrical energy. From the beginning of Millennium power electronic system low voltage, medium voltage and high voltage to reactive compensation, voltage regulation, impedance regulation, phase angle regulators thyristor controlled are the reality. Numerous applications using semiconductor devices like GTO, IGTB confirm that development of semiconductors draws development of circuit theories and technical applications in power systems.
16
Content available remote Komputerowe określanie podstawowych charakterystyk wybranych elementów półprzewodnikowych.
Noga K., Przytarski G.
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
|
1998
|
nr 12
121-128
PL
Program do określania wybranych charakterystyk podstawowych elementów półprzewodnikowych umożliwia badanie następujących elementów półprzewodnikowych: ramki NAND, bramki OPEN COLLECTOR, diody prostowniczej, Zenera, tranzystorów bipolarnych, polowych. Charakterstyki rejestrowane są za pomocą dwóch mierników typu METEX połączonych z komputerem poprzez porty szeregowe. Rejestracja odbywa się metodą statyczną, to jest tzw. metodą punk po punkcie. Program jest rozbudowanym narzędziem do rejestracji i graficznego przedstawiania danych pomiarowych. Zawarte w nim funkcje pozwalają sporządzać wykresy, zapisywać je w postaci wydruków lub zbiorów dyskowych.
17
Content available remote Nieizotermiczne parametry małosygnałowe elementów półprzewodnikowych
Stepowicz W. J., Zarębski J.
Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji
|
1998
|
Vol. 44, nr 3
345-364
PL
Zjawiska termiczne wpływają w istotny sposób na własności i parametry elementów półprzewodnikowych oraz układów scalonych. Dotyczy to zarówno ich modeli sałoprądowych jak i modeli dla prądu zmiennego. W sytuacjach, kiedy zjawiska termiczne odgrywają istotną rolę, modele elementow różnią się zasadniczo, zarówno jakościowo jak i ilościowo, od ich odpowiedników znanych z klasycznej teorii nie uwzględniającej tych zjawisk. Z kolei, postać modeli elementów wpływa na parametrty robocze, określające własności funkcjonalne, układów elektronicznych skonstruowanych z wykorzystaniem tych elementów. W pracy przedstawiono metodę wyznaczania nieizotermicznych modeli małosygnałowych elementów półprzewodnikowych i pokazano takie modele dla wybranych elementów, uzyskane na podstawie tej metody. Na kilku przykładach zilustrowano wpływ nieizotermicznej postaci modeli małosygnałowych elementów na własności układów, a także przytoczono inne konsekwencje i korzyści wynikające ze stosowania takich modeli.
EN
The thermal phenomena influence models of semiconductor devices considerably; it concerns the d.c. characteristics and the small - signal circuits as well. In the well - known models the effect of the ambient temperature is only taken into account, and therefore these models can be denominated as isothermal. In fact, due to the selfheating phenomenon, the junction (inside) temperature differs from the ambient temperature. Under steady - state, the junction temperature rise above the ambient temperature depends on the thermal resistance of the device and on the dissipated power. Under any a. c. current or voltage exitation, the a. c. component of the junction temperature appears. The models including selfheating can be denominated as nonisothermal. In some cases in ICs, the mutual thermal interactions between the devices have to be taken into considerations, additionally. In this paper the a. c. nonisothermal small - signal models of some semiconductor devices are discoussed. Due to the thermal effects, in the low frequency range the small - signal nonisothermal parameters of the devices become complex. Since in this range the electrical inertia resulting in the diffusion and junction capacitances can be neglected, the thermal inertia leads to the small - signal circuits with the new capacitances and inductances. In the paper the influence of the nonisothermal small - signal parameters on the performance of some circuits: the voltage amplifier and current source is shown. As well, some results concerning the 1/f noise model of the pn diode are given, and a new method of the thermal resistance measurement sof the BJT, based on its nonisothermal uotput conductance, is presented.
18
Wyznaczanie generacyjnego czasu życia nośników mniejszościowych struktur SOI z elektrycznych charakterystyk diody z bramką
Gibki J., Jakubowski A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1998
|
Vol. 39, nr 6
14-18
PL
Przedstawiono rezultaty badań diod z bramką zrealizowanych w technologii SOI. Analiza kształtu charakterystyk prądowo-napięciowych tych diod pozwala na wyznaczenie parametrów procesów generacyjno-rekombinacyjnych w strukturach, takich jak generacyjny czas życia oraz prędkości generacji powierzchniowej na dolnej i górnej granicy Si-SiO2. Opracowana metoda wydaje się być bardzo dokładnym i efektywnym narzędziem charakteryzacji technologii.
EN
In this paper a study of gate-controlled diodes fabricated in SOI technology has been presented. I-U and C-V measurements of gatecon-trolled diodes allowed the generation-recombination parameters to be determined, such as carrier lifetime and the generation velocity for both the front and back Si-SiO2 interfaces. The developed method seems to be an accurate and effective tool for technology characterisation.
19
Content available remote Automatyczny system laboratoryjny do pomiarów charakterystyk stałoprądowych (dc) elementów półprzewodnikowych w różnych temperaturach
Poręba T., Sokołowski M.
Automatyka / Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie
|
1998
|
T. 2, z. 2
161--171
PL
Przedstawiona praca miała na celu zaprojektowanie oraz wykonanie stanowiska laboratoryjnego, które umożliwiałoby automatyczny pomiar i wizualizację charakterystyk statycznych i dynamicznych podstawowych elementów półprzewodnikowych - diod prostowniczych i Zenera oraz tranzystorów bipolarnych i polowych, a także badanie wpływu temperatury na właściwości tych elementów. Obecnie wykonanie takiej aparatury jest ułatwione dzięki dostępności dokładnych przetworników analogowo-cyfrowych i cyfrowo-analogowych, przeznaczonych do współpracy z systemami mikroprocesorowymi. Zastosowanie komputera do nadzorowania pracy stanowiska laboratoryjnego umożliwiło łatwy i szybki pomiar oraz rejestrację danych, ich przetwarzanie i wizualizację wyników.
EN
The purpose of this paper was designing and making laboratory position, which can be used in automatic measurements and visualization of static and dynamic characteristics of basic semiconductor devices - reetification and stabilization diodes, bipolar junetion and junetion field-effect transistors. As well we examined temperature influence on properties of these devices. The results of measurements are presented in this paper.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.