Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Rozwój techniki światłowodowej w kraju 2009-2011

Dorosz J., Romaniuk R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 4

109-113

PL

W artykule przedstawiono rozważania na temat kierunków rozwoju techniki światłowodowej w kraju w ostatnim czasie (lata 2009-2011) na podstawie materiałów naukowych i technicznych nadesłanych na XIII Krajowe sympozjum pt. Światłowody i ich zastosowania, które odbyło się w Białymstoku i Białowieży w dniach 26-29 stycznia 2011. Sympozjum zgromadziło ok. 80 osób z uczelni i jednostek badawczo-rozwojowych. Przedstawiono łącznie ok. 60 prac przyczynkowych oraz 6 referatów plenarnych. Tematyka Sympozjum dotyczyła: materiałów dla optoelektroniki, technologii światłowodów, elementów i układów optoelektronicznych, metrologii światłowodów oraz elementów i układów optoelektronicznych, zastosowań światłowodów, zastosowań źródeł DEL. Poprzednie XII sympozjum światłowodowe odbyto się w Krasnobrodzie w październiku 2009, a następne XIV odbędzie się ponownie w Krasnobrodzie w październiku 2012.

EN

The paper presents considerations concerning the development directions of optical fiber technology in Poland during the last period (2009-2011) basing on the research and technical material submitted to the XIIIth National Symposium on Optical Fibers and Their Applications, which was held in Biatystok and Biatowieza on 26-29 January 2011. The symposium has gathered more than 80 persons from academia and industry. There were presented 60 papers and 6 plenary presentations. Subjects of the symposium were: materials for optoelectronics, technologies of optical fibers, optoelectronic components and circuits, metrology of optical fibers and optoelectronic components, applications of optical fibers and DELs. The previous XIIth symposium was held in Krasnobrod in October 2009 and the next one XIVth will be also in Krasnobrod in October 2012.

2

Element optoelektroniczny o charakterystykach i(u) typu S

Stepowicz W. J., Górecki K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 10

28-30

PL

W pracy przedstawiono model oraz wyniki obliczeń i pomiarów charakterystyk statycznych i(u) nietypowego elementu optoelektronicznego powstałego na bazie transoptora, w którym połączono szeregowo spolaryzowaną przewodzącą diodę LED z kolektorem fototranzystora. Otrzymany w ten sposób element posiada charakterystyki statyczne i(u) typu S, co jest efektem występującego w nim dodatniego sprzężenia zwrotnego o charakterze elektryczno-optycznym.

EN

In the paper the model and the results of the measurements and calculations of the i(v) characteristics of an optoelectronic device are shown. This non-typical device is made on the basis of the optocoupler by connecting the LED diode in series with the collector of the phototransistor. The optoelectronic device has the S-shaped i(v) characteristics, what results from the positive opto-electrical feedback.

3

Łącza optyczne w otwartej przestrzeni

Holejko K.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

|

2005

|

nr 4

118-124

PL

Przedstawiono przegląd najważniejszych problemów wpływających na działanie i zasięg otwartych łączy optycznych działających w warunkach atmosfery ziemskiej. Omówiono niektóre sposoby redukcji wpływu tych czynników. Zasadniczym wnioskiem płynącym z dokonanego przeglądu jest pewność, że optyczne linie otwarte będą silniej rozwijane w kierunku zastosowania średniej i dalszej podczerwieni. Kierunek ten narzucają względy bezpieczeństwa dla wzroku i słabsze oddziaływanie mgły na tłumienie. Aktualny stan technologii laserów półprzewodnikowych nie pozwala jeszcze na spełnienie tego postulatu.

EN

The paper deals with the problems of the optical links operation and the range problems in the real ambient conditions. Some methods of improving the system operation were also presented. The review clearly shows that the optical wireless communication should apply the middle and far infrared radiation, due to the eye risk safety and lower influence of fog on the beam attenuation. At the present time the state of optoelectronic technology is not yet completely ready to perform that task.