Praca dotyczy problemu modelowania nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET w programie SPICE. W pracy zaproponowano stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET, słuszny dla dowolnej polaryzacji tego elementu. Model uwzględnia podstawowe zjawiska zachodzace w tym elemencie oraz efekty drugorzędne, takie jak: przebicie złącza bramka-dren, prądy generacyjne złączy i samonagrze- wanie. Poprawność rozważań teoretycznych zweryfikowano eksperymentalnie.
EN
This paper concerns problem of the modelling of the nonisothermal d.c. JFET characteristics by the use of SPICE software. The lumped d.c. electrothermal model of JFET, based on Shichman-Hodges model, is proposed. This model takes into consideration the basic phenomena, which occur in the considered device, the generation current, the avalanche breakdown, the drain and source series resistances and the selfheating. The theoretical considerations are verified by measurements.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.