Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Prace Naukowe Instytutu Materiałoznawstwa i Mechaniki Technicznej Politechniki Wrocławskiej. Monografie
1 Zeszyty Naukowe Politechniki Świętokrzyskiej. Mechanika

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: elektrony rozproszone wstecznie

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Detektory elektronów w elektronowych mikroskopach skaningowych wysoko próżniowych

Hejna J.

Prace Naukowe Instytutu Materiałoznawstwa i Mechaniki Technicznej Politechniki Wrocławskiej. Monografie

2010

Vol. 66, nr 27

3-215

Omówiono detektory elektronów stosowane w elektronowych mikroskopach skaningowych w warunkach wysokiej próżni w komorze preparatowej. Przedstawiono detektory przeznaczone do otrzymywania kontrastu topograficznego i materiałowego. Główny nacisk położono na detektory elektronów rozproszonych wstecznie, przeznaczone do otrzymywania kontrastu topograficznego. Podano rozwiązania konstrukcyjne, analiz: działania, wyniki test6w eksperymentalnych oraz zastosowania detektorów. Przedyskutowano wpływ rodzaju zbieranych elektron6w (wtórych lub rozproszonych wstecznie), rodzaju elementu detekcyjnego (scyntylator, dioda półprzewodnikowa, powielacz elektronowy), usytuowania detektora w komorze mikroskopu, efektywności zbierania elektronów wyemitowanych z próbki oraz cech powierzchni próbki na sygnał detektora. Opisano metody stosowane podczas projektowania i optymalizacji detektorów, a mianowicie metod;: Monte Carlo do symulacji rozproszenia elektron6w w próbce i obliczania sygnałów detektorów oraz metody testów doświadczalnych. Przedstawiono wyniki obliczeń elektronooptycznych, wyniki obliczeń sygnałów oraz wyniki testów dla różnych próbek i różnych detektorów. Przedstawiono sposób obliczania oraz wyniki pomiar6w wsp6lczynnika szumów różnych detektorów. Głównym kierunkiem badan autora było opracowanie nowych detektorów kontrastu topograficznego wykorzystujących elektrony rozproszone wstecznie wyemitowane z próbki pod małymi kątami w stosunku do powierzchni. Wyniki testów pokazują, że nowe detektory zapewniają uzyskanie wysokiego poziomu kontrastu topograficznego w obrazach mikroskopowych, zarówno w zakresie elektronowej mikroskopii skaningowej standardowej (napięcie przyspieszające wyższe od 5 kV), jak i niskonapięciowej (napięcie przyspieszające niższe od 5 kV).

Electron detectors used in scanning electron microscopes with high vacuum in the specimen chamber are described. Detectors used for obtaining topographic and material contrast are presented, electron detectors of backscattered electrons used for obtaining topographic contrast are emphasized. Construction solutions, functional analysis, results of experimental tests and applications of detectors are presented. A dependence of the detector signal on the type of collected electrons (secondary or backscattered electrons), on the type of a detection element (scintillator, semiconductor diode, electron multiplier), on position of the detector in a microscope chamber, on efficiency of collection of electrons emitted from the specimen surface and on specimen surface features is discussed. Methods used in a stage of design and optimization of the detector, i.e. Monte Carlo method of simulation of electron scattering in the specimen and computation of detector signals and methods of experimental tests are described. Results of electro-optical and signal computations and results of experimental tests for different specimens and different detectors are presented. A method of computation of detector noise coefficient and results of its measurements for different detectors is presented. The main direction of author's research was development of new topographic contrast detectors utilizing backscattered electrons emitted at low angles in respect to the specimen surface. Tests results show, that new detectors enable to obtain high level of topographic contrast in micrographs, in the range of standard scanning electron microscopy (accelerating voltage higher than 5 kV), as well as in the range of low voltage scanning electron microscopy (accelerating voltage lower than 5 kV).

Kompleksowa analiza mikrostrukturalna i krystalograficzna stopów metali z wykorzystaniem elektronów rozproszonych wstecznie

Śmieszek Z., Woch M., Kubica L.

Zeszyty Naukowe Politechniki Świętokrzyskiej. Mechanika

2000

Z. 72

165-170

Przedstawiono wyniki badań mikrostrukturalnych trudno przerabialnego plastycznie stopu Cu Mn38Ni9,5 przeznaczonego do wytwarzania spoiw twardych, stosowanych do połączeń metali z częścią roboczą narzędzi (węglik spiekany, cermet). Badania mikrostrukturalne i krystalograficzne wykonano za pomocą mikroanalizatora rentegenowskiego wyposażonego w spektrometr elektronów wstecznie rozproszonych. Wyniki badań potraktowano jako przykład możliwości, które stwarza analiza widm dyfrakcyjnych elektronów wstecznie rozproszonych (tzw. metoda EBSD- Electron Backscatter Diffraction). Na przykładzie opisanych wyników badań wykazano podstawowe mozliwości spektrometru EBSD, typu OPAL, który - wraz z odpowiednim oprogramowaniem - zainstalowany jest w mikroanalizatorze rengenowskim JCXA 733, w Instytucie Metali Nieżelaznych.

The results of microstructural investigations of Cu Mn38Ni9,5 alloy used for manufacturing of hard solders destined for metal/cermet (or metal/sintered carbide) binding, were performed. The investigations had been carried out by using the electron probe microanalyzer, equiped with electron backscatter diffraction system (EBSD). The results were treated as the example of possibilities which gives the analysis of electron backscatter diffraction patterns. On the basis of performed results the main options offered by OPAL spectrometer were revealed. This spectrometer and suitable software for EBSD patterns (Kikuchi patterns) analysis is installed in JCXA 733 microprobe in the Non-Ferrous Institute.