PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  elektronika morska
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod Schottky'ego mocy
Dąbrowski J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2004
|
nr 53
66-75
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ temperatury na charakterystyki statyczne diod mocy. Porównano zarówno izotermiczne, jak i nieizotermiczne charakterystyki diod Schottky'ego, wykonanych w tradycyjnej technologii krzemowej oraz w nowoczesnej technologii bazującej na węgliku krzemu. Pomierzone dla zakresu zaporowego charakterystyki diod Schottky'ego porównano także z charakterystykami katalogowymi. Wyznaczono wartości wybranych parametrów elektrycznych.
EN
In this paper the influence of the temperature on d.c. characteristics of the Schottky diodes has been investigated. The characteristics of the silicon Schottky diode and silicon carbide (SiC) Schottky diodes were measured at the broad range of the ambient temperature. Measured characteristics in the reverse range have been compared with the catalog's characteristics. The parameter values of the Schottky diodes were extracted.
2
Content available remote Pomiary rezystancji termicznej monolitycznych regulatorów napięcia
Posobkiewicz K., Górecki K., Zarębski J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2004
|
nr 53
105-112
PL
Artykuł dotyczy problematyki pomiarów rezystancji termicznej monolitycznych regulatorów napięcia z wykorzystaniem metody elektrycznej i pirometrycznej. Zamieszczono wyniki pomiarów rozważanego parametru w funkcji mocy wydzielanej w elemencie oraz porównano wyniki otrzymane za pomocą obu wymienionych metod. Zbadano także nierównomierność rozkładu temperatury na powierzchni obudowy badanych elementów.
EN
The paper concerns the problem of measurements of the thermal resistance of the monolithic voltage regulators using electrical and pyrometric (infrrared) methods. Results of measurements of the thermal resistance as the function of the dissipated power in considered regulators are presented and discussed. Results obtained using both the electrical and pyrometric method are compared. Distributions of the temperature on the surface of the regulators case are also investigated and discussed.
3
Content available remote Pomiary parametrów termicznych monolitycznego stabilizatora napięcia MAA723
Górecki K., Zarębski J., Piotrowicz M.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2004
|
nr 53
121-128
PL
Artykuł dotyczy pomiarów parametrów termicznych monolitycznego stabilizatora napięcia o działaniu ciągłym MAA723. Zaproponowano sposób realizacji pomiarów metodą elektryczną oraz pirometryczną. Zbadano wpływ warunków polaryzacji rozważanego układu scalonego na jego rezystancję termiczną. Oceniono także wpływ, niezbędnej do przeprowadzania pomiarów parametrów termicznych metodą pirometryczną, obróbki mechanicznej obudowy na wartość tych parametrów.
EN
This paper deals with the problem of measurements of the monolithic voltage regulator MAA723. The known electrical and optical methods of measurements of the thermal resistance of any device have been adopted to the considered IC. Some aspects - the influence of the bias operation condition and the black painting of the tested device on the obtained results of measurements have been investigated.
4
Content available remote Pomiary charakterystyk przepustowej przetwornicy ZCS
Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2004
|
nr 53
96-104
PL
W artykule przedstawiono budowę oraz zasadę działania przepustowej przetwornicy ZCS, jak również wyniki pomiarów jej charakterystyk i parametrów roboczych. Zbadano wpływ wartości rezystancji obciążenia oraz doboru typów elementów składowych przetwornicy na wartość jej napięcia wyjściowego i sprawność. Przedstawiono również przebiegi czasowe napięć i prądów w rozważanym układzie, ilustrujące miękkie przełączanie klucza tranzystorowego.
EN
This paper deals with the problem of investigation of ZCS forward dc-dc converter. The structure and the principle of operation of this converter are described as well as the results of converter characteristics measurements are presented. The influence of the load resistance, the regulation voltage and the types of semiconductor and magnetic devices on the output voltage and efficiency of the considered converter are discussed.
5
Content available remote Nowa metoda szybkiego wyznaczania przebiegu temperatury wnętrza tranzystora w układzie klucza równoległego
Górecki K., Zarębski J.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2004
|
nr 53
113-120
PL
W artykule zaproponowano nową metodę wyznaczania czasowego przebiegu temperatury wnętrza tranzystora pracującego w układzie klucza równoległego. Metoda ta zapewnia skrócenie czasu obliczeń w stosunku do klasycznych algorytmów analizy elektrotermicznej. Realizacja metody wymaga określonych relacji między wartościami elektrycznych i termicznych stałych czasowych tranzystora oraz wartością okresu sygnału sterującego tranzystor. Poprawność algorytmu zweryfikowano na przykładzie klucza równoległego z tranzystora Darlingtona.
EN
In the paper a new method of fast calculations of the junction temperature of the transistor operating in the parallel switch circuit is proposed. The realisation of the method is possible only for the adequate relations between the transistor electrical and thermal time constants and the period of the controlling signal. The correctness of the method was verified for the parallel switch circuit with the Darlington transistor.
6
Content available remote Modelowanie pojemności tranzystora MOS w programie SPICE
Zarębski J., Bisewski D.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2004
|
nr 53
76-86
PL
W artykule przedstawiono badania analitycznych zależności opisujących pojemności modelu tranzystora MOS mocy w programie SPICE, opartego na modelu Danga (LEVEL = 3). Zwrócono uwagę na rozbieżności występujące pomiędzy zależnościami analitycznymi a wynikami symulacji, otrzymanymi z programu PSPICE. Wykazano, że przedstawione w literaturze opisy pojemności modelu Danga zawierają nieścisłości i błędy. W odniesieniu do wybranego tranzystora MOS mocy dokonano porównania przebiegów pojemności, obliczonych w programie PSPICE z przebiegami katalogowymi, podanymi przez producenta.
EN
In this paper the capacitances of the Dang model built-in in PSPICE is considered. The simulated by SPICE and the calculated with use of analytic formula [1-5], and catalog capacitances of the power MOS transistor are compared. The International Rectifier IRF150 transistor has been investigated. The discrepancies between the simulated and calculated capacitances of the considered transistor is especially examined.
7
Content available remote Badanie właściwości elektrotermicznego makromodelu tranzystora CoolMOS przeznaczone dla programu SPICE
Zarębski J., Górecki K., Jasicki P.
Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni
|
2004
|
nr 53
87-95
PL
W artykule przeanalizowano właściwości elektrotermicznego makromodelu tranzystora CoolMOS dla programu SPICE, opracowanego przez firmę Infineon Technologies. Opisano szczegółowo postać tego makromodelu oraz przedstawiono wyniki weryfikacji eksperymentalnej poprawności rozważanego makromodelu na przykładzie tranzystora SPP11N60C2, porównując wyniki obliczeń elektrotermicznych oraz pomiarów.
EN
In the paper the CoolMOST electrothermal macromodel for SPICE, proposed by Infineon Technologies is described in detailed way and tested. The usefulness of this macromodel has been investigated on the example of SPP11N60C2 transistor. The selected SPICE characteristics and measured ones have been compared and discussed.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.