Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: elektronika mocy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

Taube A., Kamińska E., Ekielski M., Piotrowska A., Wojtasiak W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 8

90--97

W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono-GaN m.in. wykonywanie izolacji za pomocą implantacji jonów oraz wykonywanie kontaktów omowych w procesie rewzrostu warstw GaN. Omówione zostaną wyniki prac nad zwiększeniem napięcia przebicia tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym.

In this work the results of development of GaN-based HEMTs at Institute of Electron Technology are presented. The device structure suitable for application in microwave and power electronics will be discussed. Key technological steps, especially planar isolation by ion implantation and formation of low resistivity ohmic contacts are discussed along with the results of DC and RF electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Ammono-GaN. The results of works devoted to increasing the breakdown voltage of AlGaN/GaN-on-Si HEMTs will also be presented.

Konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy

Taube A., Kamińska E., Sochacki M., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 10

23-26

Parametry elektrofizyczne azotku galu wytwarzanego w postaci warstw epitaksjalnych na krzemie oraz dostępność podłoży krzemowych o dużej średnicy sprawiają, że tranzystory HEMT AlGaN/GaN/Si stanowią poważną konkurencję dla przyrządów krzemowych w układach dla energoelektroniki nowej generacji. W pracy omówiono różne konstrukcje tranzystorów HEMT AlGaN/GaN/Si przeznaczonych dla elektroniki mocy. Przedstawiono podstawowe operacje technologiczne prowadzące do uzyskania tranzystorów z kanałem wzbogacanym o dużej wartości napięcia przebicia i możliwie małym prądzie zaporowym.

It is believed that, owing to excellent electro-physical parameters of gallium nitride and availability of large diameter silicon substrates, AlGaN/GaN/Si HEMTs will replace silicon transistors in the next generation power electronic devices. In this work we discusse the Al- GaN/GaN/Si HEMT structures design for power electronics and give an overwiev of basic methods of obtaining normally-off operation and increasing the breakdown voltage as well as reducing the impact of the silicon substrate on the leakage currents.