Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  elektron
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Profil gęstości ładunków jonosfery jest podstawą dla modelowania i analizy jakości transmisji sygnałów w łączach KF (fale krótkie) dalekiego zasięgu. Niniejszy artykuł dotyczy oceny dokładności odwzorowania krzywej gęstości ładunków na bazie pięciu wybranych modeli profili. Opisano miarę i metodę analizy porównawczej warunkujące ocenę błędu aproksymacji danych pomiarowych. Prezentowane wyniki są podstawą do wyboru modelu profilu, który zapewnia skuteczne odwzorowanie wpływu warunków propagacyjnych jonosfery na transmitowane sygnały.
EN
The ionosphere charge density profile is the basis for modeling and analyzing the quality of signal transmission in long-range HF (ang. High Frequency) links. This article concerns the assessment of the accuracy of mapping the charge density distribution based on five selected profile models. The measure and method of comparative analysis conditioning the assessment of the measurement data approximation error are described. The presented results are the basis for the selection of a profile model that provides an effective representation of the influence of ionosphere propagation conditions on the transmitted signals.
EN
Theoretical and numerical analyses are presented concerning the conditions at which the charged particles of different masses can be accelerated to significant kinetic energy in the circularly polarized laser or maser beams and a static magnetic field. The studies are carried out using the analytical derivations of the particles dynamics and theirs kinetic energy. The presented illustrations enabled interpretation of the complex motion of particles and the possibilities of their acceleration. At the examples of an electron, proton and deuteron, the velocity, kinetic energy and trajectory as a function of the acceleration time at the resonance condition are illustrated in the appropriate graphs. The particles with larger masses require the application of enhanced magnetic field intensity at the resonance condition. However, this field intensity can be significantly reduced if the particles are preaccelerated.
PL
Stosując metody teoretyczną i numeryczną przebadano warunki, w których naładowane cząstki o rożnych masach można przyspieszać do znacznej energii w kołowo spolaryzowanej laserowej bądź maserowej wiązce z dodatkowym statycznym polem magnetycznym. Badania przeprowadzono za pomocą wyprowadzonych analitycznych relacji dotyczących dynamiki i kinetycznej energii cząstek. Dzięki stosunkowo licznym wykresom stała się możliwa interpretacja dość złożonego ruchu cząstek oraz przebiegu ich akceleracji. Na przykładach elektronu, protonu i deuteronu zostały zilustrowane zależności od czasu trwania akceleracji takich wielkości jak kształt trajektorii oraz kinetyczna energia. Wszystkie ilustracje dotyczą warunku rezonansu, czyli synchronizacji ruchów obrotowych cząstki i wektora natężenia pola elektrycznego. Czym większa masa cząstki, tym większe natężenie stałego pola magnetycznego jest niezbędne do uzyskania warunku synchronizacji. Jednak to natężenie można znacznie zredukować, jeśli cząstka będzie posiadała prędkość początkową.
PL
Domieszkowany borem krzem otrzymany metodą Czochralskiego (Cz-Si), o orientacji (001) i o koncentracji domieszki tlenowej ok. 9x1017 cm-3, został napromieniowany elektronami o energii 40 keV i dawkach do 2.5x1016 cm-2. W wyniku wygrzewania w temperaturze do 1400 K, także pod wysokim ciśnieniem (do 1,2 GPa) argonu, ulega wydatnej zmianie koncentracja elektronów przewodnictwa oraz struktura defektowa Cz-Si. Podano wyjaśnienie tego zjawiska i zaproponowano jego wykorzystanie do ujawnienia napromieniowania krzemu elektronami.
EN
Boron doped (001) orientated Czochralski grown silicon (Cz-Si) with concentration of oxygen interstitials of about 9x1017 cm-3, was irradiated with electrons (energy 40 keV, doses up to 2.5x1016 cm-2). In effect of annealing at 1400 K, also under high hydrostatic Ar pressure, up to 1.2 GPa, concentration of carriers in the conduction band and defect structure of Cz-Si are changing markedly. Explanation of this effect is proposed and its application for revealing the electron irradiation history of Cz-Si is suggested.
PL
W pracy przedstawiono definicje błędów ułożenia (BU) i energii błędu ułożenia, rozróżniając energię hipotetycznego (nieograniczenie rozciągłego) błędu ułożenia, na który nie wpływają dyslokacje (EBU) od energii błędu ułożenia ograniczonego dyslokacjami częściowymi (efektywna energia błędu ułożenia EEBU). Przedyskutowano również ograniczenia traktowania energii błędu ułożenia jako miary względnej stabilności struktur krystalicznych. Krótko przedstawiono podstawy związku EBU z oddziaływaniami atomów i elektronów oraz przedyskutowano przyczyny wyznaczonych zależności EBU od składu chemicznego stopów i od temperatury.
EN
The concept of the stacking faults (SF), the stacking energy (SFE) and selected examples of typical SFs in the face-centered cubic (fcc) structure and in the hexagonal close-packed (hcp) structure is presented. The sequence of stacking and SFs have been described by some letters which designate position of the successive atomic planes. Additionally, Frank notation system as well as notation introduced by Jagodziński were explained and used. Some experimental SFE values for selelcted metals are collected.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.