Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  elektromagnetyczny ultrakrótki impuls wysokiej mocy
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacyjnych badań numerycznych polaryzacji zewnętrznego subnanosekundowego impulsu elektromagnetycznego dużej mocy wytworzone przez silne pole elektromagnetyczne (EM) we wnętrzu metalowej obudowy komputerowej z otworem technologicznym. Symulacje numeryczne przeprowadzono w środowisku CST Studio. Zbadano wpływ dwóch polaryzacji zewnętrznego pola EM na wartości pola elektrycznego i magnetycznego wewnątrz obudowy komputerowej z otworem na USB. Przypadek polaryzacji pionowej oznacza, że wektor natężenia pola elektrycznego fali padającej jest skierowany prostopadle do dłuższych ścianek otworu, natomiast w przypadku polaryzacji poziomej wektor natężenia elektrycznego jest skierowany równolegle do dłuższych ścianek otworu. Przeprowadzono analizę zagrożenia jakie stanowi długotrwałe pole indukowane w obudowie komputerowej z otworem w porównaniu z czasem trwania zewnętrznego impulsu zaburzającego. Wniosek końcowy z symulacji: wartości amplitud natężenia pola elektrycznego wewnętrznych impulsów EM są wyższe dla polaryzacji pionowej. Wartości amplitud maleją odpowiednio dla polaryzacji pionowej i poziomej 100 i 250 razy w stosunku do amplitudy padającego impulsu płaskiej fali elektromagnetycznej.
EN
The article presents the results of numerical simulation studies of the polarization of an external sub-nanosecond electromagnetic impulse of high power generated by a strong electromagnetic (EM) field inside a metal computer case with a technological aperture. The numerical simulations were carried out in the CST Studio environment. The impact of two external EM field polarizations on the values of the electric and magnetic fields inside the computer case with a USB aperture was investigated. In the case of vertical polarization, the vector of the electric field intensity of the incident wave is directed perpendicularly to the longer walls of the aperture, while in the case of horizontal polarization, the vector is directed parallel to the longer walls of the aperture. The analysis of the threat posed by the prolonged induced field in the computer case with an aperture compared to the duration of the external disturbing pulse was conducted. The final conclusion of the simulation is that the amplitude values of the internal EM impulse electric field are higher for vertical polarization. The amplitude values decrease accordingly for vertical and horizontal polarization by 100 and 250 times, respectively, compared to the amplitude of the incident flat electromagnetic wave pulse.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań numerycznych pozwalających na określenie skuteczności ekranowania ultrakrótkich impulsów elektromagnetycznych przez obudowę z otworem. W symulacjach numerycznych wykorzystano program CST Studio. Wyniki symulacji zaprezentowane w formie obrazów 2D pola EM wykazały istnienie dwóch faz rozwoju tego pola w obudowie tj.: fazy falowej i fazy interferencyjnej. Obserwacja czasowych zmian pola EM w dwóch charakterystycznych punktach A i B wewnątrz obudowy wykazała, że w obu fazach pola elektryczne i magnetyczne mają postać impulsów falowych przechodzących przez te punkty w czasie znacznie dłuższym niż czas trwania impulsu zaburzającego.
EN
This paper presents results of the numerical simulation of shielding effectiveness of an ultrashort electromagnetic pulses by an enclosure with aperture. The simulation was performed using CST Studio software. In the numerical simulation, the results presented in the form of 2D images of the EM field revealed the existence of two phases of the development of the EM field in the housing: the wave phase and the interference phase. The observation of the changes of the EM field at two characteristic points A and B in an enclosure with aperture showed that induced field is long-lasting compared to the exposure time of the external disturbing pulse.
PL
W artykule przedstawiono wyniki symulacji numerycznej zależności skuteczności ekranowania wnętrza obudowy z otworem w funkcji częstotliwości od wyboru punktu obserwacji w tej obudowie. Analizę morfologii modów i zagrożenie EM, jakie stanowią we wnętrzu obudowy podzielono na dwie tematyczne sekcje. W pierwszej sekcji wyznaczono numerycznie częstotliwości rezonansowe i dokonano wizualizacji przestrzennej morfologii poszczególnych modów wewnątrz zamkniętej obudowy. W drugiej sekcji przeanalizowano zależność efektywności ekranowania od położenia punktu obserwacji wewnątrz obudowy z otworem. Wykonana symulacja wykazała, że efektywność ekranowania pola elektrycznego SEE jest funkcją miejsca w obudowie i częstotliwości. Spotykane w literaturze całościowe oceny skuteczności ekranowania na podstawie symulacji dla jednego punktu obserwacyjnego są zazwyczaj niemiarodajne.
EN
The article presents the results of a numerical simulation of the numerical simulation of the dependence of the shielding effectiveness inside the enclosure with aperture as a function of frequency on the selection of the observation point in this enclosure. The analysis of the morphology of the mods and the EM threat posed inside the enclosure are divided into two thematic sections. In the first section, the resonance frequencies were numerically determined and the spatial morphology of individual modes inside the closed enclosure was visualized. In the second section, the dependence of the shielding effectiveness on the position of the observation point inside the enclosure with aperture was analyzed. The simulation performed showed that the SEE is a function of the space in the casing and the frequency. The overall assessments of the shielding effectiveness based on simulations for one vantage point, found in the literature, are usually unreliable.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.