Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: elektrody metalowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Environmental Pollution Monitoring by Thin Metal Electrodes Prepared by Physical Vapor Deposition

Briancin Jaroslav, Kolcunova Iraida, Dolnik Bystrik, Kurimsky Juraj, Dzmura Jaroslav, Cimbala Roman, Fabian Martin

Inżynieria Mineralna

2020

no. 1, vol. 2

13--16

This work is focused on environmental pollution monitoring utilizing thin metal electrodes on glassy/ceramic substrates prepared by physical vapour deposition. Besides others, it is well known that environmental pollution on electrical insulation is one of the problems faced by distribution utilities and electricity transmission system. Due to this reason there is a need to deal with monitoring of environmental pollution as it strongly influences their capability to withstand the high-voltage stress without the breakdown. It is the aim of present work to propose new system for environmental pollution monitoring based on application of extra-thin metal electrodes. The influence of morphology and chemical composition of pollutants on the surface resistance and conductivity of selected insulators is also discussed.

Artykuł dotyczy monitorowania zanieczyszczenia środowiska za pomocą cienkich elektrod metalowych na szklanych/ceramicznych podłożach przygotowanych przez fizyczne osadzanie z fazy gazowej. Widomym jest, że zanieczyszczenie środowiska odpadami izolacji elektrycznej jest jednym z problemów, przed którymi stoją firmy dystrybucyjne i system przesyłu energii elektrycznej. Z tego powodu istnieje potrzeba monitorowania zanieczyszczenia środowiska, ponieważ ma to duży wpływ niezawodność sieci wysokiego napięcia i jej awaryjność. Celem przedstawionych prac jest zaproponowanie nowego systemu monitorowania zanieczyszczenia środowiska w oparciu o zastosowanie bardzo cienkich elektrod metalowych. Omówiono także wpływ morfologii i składu chemicznego zanieczyszczeń na rezystancję powierzchniową i przewodnictwo wybranych izolatorów.

System pomiarowy do wyznaczania histogramów przewodności

Wawrzyniak M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2000

Vol. 41, nr 3

13-17

Przedstawiono system pomiarowy do wyznaczania histogramów przewodności. Histogramy przewodności są wyznaczane w badaniach kwantowania przewodności w nanodrutach. Część mechaniczns opisanego systemu jest uąywana do formowania nanodrutów pomiedzy metalowymi elektrodami. Pozycjonowanie metalowych elektrod jest wykonane za pomocą przetwornika piezoelektrycznego. System pomiarowy umożliwia pomiar przewodności elektrycznej nanodrutów dla szerokiego zakresu predkości oddalania elektrod i różnicy potencjałów pomiędzy elektrodami. Przedstawiono także wpływ nieliniowości różniczkowej przetwornika a/c na wyznaczane histogramy. Aby wyniki pomiarów i wyznaczania histogramów były poprawne należy usunąć wpływ nieliniowości różniczkowej przetwornika a/c poprzez zastosowanie zaproponowanej procedury korekcyjnej.

The paper presents a measurements system for calculation of conductance histograms. Conductance histograms are made in the investigation of the quantization of conductance in nanowires. The machanical setup of the system is used for formatting nanowires between metallic electrodes. Finer adjustments of metallic electrodes are performed by applying a suitable voltage to the piesoelectric conductance of potential difference between electrodes. In is showed how differential nonlineary of analog-to-digital converters introduced significant error in the corresponding conductance histograms. It is described the way of compensation for defferential nonlinearity of the ADC.

Badania numeryczne rozkładu potencjału w kropce kwantowej ze sterowaną barierą

Mączka M., Pawłowski S., Kusy A., Machowska - Podsiadło E.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1998

Vol. 39, nr 4

16-19

Przedstawiono schemat struktury oraz model metalowych elektrod dla tranzystora jednoelektronowego ze sterowaną barierą. W celu numerycznego wyznaczenia rozkładu potencjału w takim modelu dokonano w pierwszej kolejności jego dyskretyzacji a następnie rozwiązano dla niego równanie Laplace'a stosując metodę elementów brzegowych. Przedstawiono przykładowe wyniki obliczeń rozkładu gęstości ładunku na powierzchni metalowej bramki dolnej. Na wysokości występowania gazu elektronowego w tranzystorze jednoelektronowym pokazano uzyskane wyniki obliczeń rozkładu potencjału. Przeprowadzono analizę wpływu wybranych napięć międzyelektrodowych na dwa parametry określające kształt potencjału w kierunku transportu ładunku: wysokość barier (Vb) i głębokość studni (Vo). Stwierdzono, że Vb i Vo są w głównej mierze zdeterminowane przez napięcia pomiędzy bramką dolną i źródłem UGS oraz pomiędzy elektrodami górnymi a źródłem UUS. W oparciu o uzyskane wyniki obliczeń przeprowadzono także analizę wpływu konfiguracji elektrod górnych na kształt potencjału w kierunku transportu ładunku.

The structure and model of the metallic electrodes for the controlled-barrier one-electron transistor have been presented. To evaluate the potential distribution in such a model it has been first discretized and next the Laplace's equation formulated for it has next been numerically solved using edge elements method. As an example the results of surface charge density calculations on the surface of the bottom metal gate have been presented. The results of the potential distribution calculations have been shown for the height in the one-electron transistor where the electron gas exists. The influence of the selected interelectrode voltages on the barrier height (Vb) and the well depth (Vo) determining the potential distribution in the direction of the electrical transport has been analysed on the basis of the obtained numerical results. It has been found that Vband Vo are mainly determined by the voltages UGS between the bottom gate and the source and UES between the upper electrodes and source. On the basis of the obtained numerical results the influence of the upper electrodes shape on potential distribution in the transport direction has been analysed. It has been found that the most important is in this area the size of the protrusions in the upper electrodes. When the size of these protrusions is small enough the barrier height can diminish to zero.