Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture
1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: elektroda przezroczysta

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakterystyka AFM cienkich warstw SnO2 uzyskanych podczas sputteringu magnetronowego przy wybranych warunkach procesu

Grudniewski T., Lubańska Z., Czernik S.

Czasopismo Inżynierii Lądowej, Środowiska i Architektury / Journal of Civil Engineering, Environment and Architecture

2015

z. 62, nr 2

99--106

Mikroskopia sił atomowych (AFM-Atomic Force Microscopy) znajduje obecnie szerokie zastosowanie w dziedzinie charakteryzacji materiałów elektronicznych [1,2]. Oprócz precyzyjnego pomiaru topografii powierzchni z rozdzielczością umożliwiającą obserwowanie warstw atomowych, współczesne urządzenia tego typu oferują wiele dodatkowych możliwości, obejmujących badanie właściwości elektrycznych, magnetycznych jak i zmian zachodzących przy wahaniach temperatury. Jednym z zastosowań może być charakteryzacja otrzymanych warstw na podstawie obserwowanych obrazów struktur oraz powiązanie obserwowanej struktury z parametrami elektro-optycznymi. Szczególnie interesujące są struktury przewodzące prąd, przeźroczyste oraz takie, które absorbują jak najwięcej energii z padającego promieniowania [3-7]. Autorzy w niniejszej pracy wykonali badania metodą mikroskopii sił atomowych (AFM NT-MDT Ntegra Spectra C – Rys.1.) cienkich warstw SnO2 otrzymanych w procesie napylania w Line 440 Alliance Concept. Postanowiono zbadać zależności pomiędzy topografią warstw a temperaturą procesu napylania, ilością gazów biorących udział w procesie oraz równolegle własnościami elektrycznymi. Starano się odszukać zależności umożliwiające charakteryzowanie parametrów elektro-optycznych warstw SnO2 (uzyskiwanych w różnych temperaturach) w oparciu o obrazy pozyskane techniką AFM. Autorzy uważają, że badania struktur z wykorzystaniem AFM usprawnią dobór procesów napylania celem otrzymania oczekiwanych własności elektrycznych i optycznych. Otrzymane podczas prac rezultaty pozwalają na chwilę obecną skorelować własności elektro-optyczne warstw z ich topografią oraz procesami wytwarzania. Przeprowadzone eksperymenty pozwoliły w fazie finalnej na otrzyanie przezroczystych tlenków SnO2 o zakładanej rezystancji.

Atomic force microscopy is one of the most popular method used in surface imaging. This method allows to measure the surface topography and determine the dimensions of the structures in the subatomic resolution [1]. Due to its properties, it can be applied to the measurement of conductors and semiconductor surfaces prepared in various processes. The experiment is focused on SnO2 and ITO thin layers which can be used as transparent electrodes [2]. The authors are trying to illustrate the correlation between process parameters - creation of semiconductor in magnetron sputtering by different process conditions (temperature and cooling process, gas pressure and composition), surface of the sample and its other electro-optical parameters. The authors of this research performed experiments using atomic force microscope (AFM NT-MDT Ntegra Spectra C - Fig.1.). SnO2 thin films were prepared in a sputtering system Line 440 Alliance Concept. It was decided to examine the relationship between the topography of the layers and the temperature of the sputtering process, the amount of gas involved in the process and parallel electrical properties. Attempts were made to find a relationship permitting the characterization of the electro-optical parameters SnO2 layer (obtained at different temperatures) based on the obtained AFM images. The authors believe that the study of structures using AFM facilitate the selection process in order to obtain the expected sputtering electrical and optical properties. Results obtained during the work permit at the moment correlate the electro-optical properties of the layers of their topography and manufacturing processes.

Cienkie warstwy ZnO:Al jako przezroczyste i przewodzące elektrody

Czternastek H., Sokołowski M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 4

67-69

Warstwy ZnO:Al otrzymywano metodą reaktywnego rozpylania magnetronowego tarczy metalicznej o składzie Zn: 3% at. Al w mieszaninie argon-tlen. Do stabilizacji przepływu tlenu do komory roboczej wykorzystano spektroskopię emisyjną plazmy. Przy wartości linii emisyjnej wzbudzonych atomów cynku l Zn / l Zn max = 0,60 warstwy ZnO:AI posiadały wysoko zorientowane ziarna z osią c prostopadłą, do podłoża i najlepsze parametry optoelektroniczne. Optyczne własności najlepszej warstwy były modelowane w obszarze widzialnym i bliskiej podczerwieni stosując prosty i rozszerzony model Drude'go. Tak otrzymany opór ρ (ω) był porównany z pomiarami stałoprądowymi wykonanymi metodą Van der Pauw'a.

Al-doped ZnO films were prepared by a dc magnetron sputtering technique from Zn: 3 at.% Al target in an argon-oxygen mixture. Plasma-emission monitoring was used to stabilize oxygen flow to the deposition chamber. ZnO:AI films deposited at a relative intensity of the zinc emission line l Zn / l Zn max (λ = 480 nm) = 0.60 had highly oriented crystallites with c-axis normal to the substrate and the best optoelectronic properties. The optical properties of best Al-doped ZnO film for the visible and near-infrared region were modeled using the simple and extended Drude theory. The resulting resistivity ρ (ω) was compared with dc conductivity carried out in a Van der Pauw configuration.