Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Research of electrophysical parameters of banknote paper and banknotes

Kyrychok T., Havenko S., Kyrychok P., Kazhmuratov Z.

Przegląd Papierniczy

|

2016

|

R. 72, nr 1

50--54

PL

Celem pracy jest opracowanie konceptualnych podejść efektywnego użycia parametrów elektrofizycznych papieru banknotowego w celu prognozowania wytrzymałości na zużycie przyszłego produktu banknotu, a także adaptacje charakterystyk elektrofizycznych banknotów w jakości kryteriów ich wytrzymałości. Zakres pracy obejmował przeprowadzenie analizy czynników wpływających na procesy zużycia banknotów oraz papieru banknotowego; zbadanie strukturalnych zmian papieru pod wpływem mechanicznych deformacji i przyłożonych napięć stałej i zmiennej wielkości oraz właściwości elektrofizycznych papieru banknotowego. W artykule opisano metodologię obiektywnej oceny wytrzymałości banknotów na podstawie kompleksowego wskaźnika zużycia. Ustalono zależność pomiędzy właściwościami elektrofizycznmi papieru banknotowego a stopniem zużycia banknotów. Potwierdzono, że zmiany parametrów elektrofizycznych, które zachodzą w trakcie zużycia papieru banknotowego, na ogół uzależnione są od rodzaju i orientacji włókien celulozowych, właściwości chłonnych papieru, obecności elementów zabezpieczających, sposobu drukowania i stopnia zużycia papieru. Przedstawiono wyniki badań dla papierów stosowanych w produkcji hrywny ukraińskiej (nominał 10 UAH), tenge kazachskich (nominał 200 KZT) i euro (nominał 10 EUR). Ustalono, że w trakcie zużycia papieru banknotowego zwiększa się przenikalność powietrza i porowatość papieru, jak również i względna równoważna wilgotność, co w efekcie powoduje zmniejszenie odporności na zużycie, jak pojedynczych włókien w papierze, tak i papieru w całości. Obserwuje się również zmniejszenie w trakcie zużycia stałej dielektrycznej papieru.

EN

Measuring of the electrophysical properties of banknote paper samples and banknotes after being subjected with process of their simulated deterioration was conducted. Perspective of using electrophysical properties of banknotes and banknote paper for evaluating of their deterioration was presented.

2

Electrophysical properties of a system with induced antiferroelectric phase comprising cyano compound

Skrzypek K., Tykarska M., Piecek W.

Opto-Electronics Review

|

2007

|

Vol. 15, No. 1

37-40

EN

The DSC, electrooptic and X-ray results for the system composed of two synclinic compounds CNCH₂COO(CH₂)₆OPhPhCOOPhCOO*H(CH3)C₆H₁₃ and C₅H₁₁COO(CH₂)₃OPhCOOPhPhCOO*H(CH₃)C₆H₁₃ are presented. The antiferroelectric SmC*A phase induces in this system and it was confirmed by physical measurements. It was found out that the mechanism of SnC*A phase induction is different than in systems comprising compound with perfluoroalkyl chain.

3

Modifying electrophysical properties of Si-cBN interface by introduction of ultrathin dielectric layer

Firek P., Mroczyński R., Szmidt J., Beck R.B., Werbowy A.

Inżynieria Biomateriałów

|

2006

|

R. 9, nr 56-57

27-29

EN

This study concerns modifications of Si-cBN interface (with and without dielectric underlayer), c-BN films produced on p-type <100> Si substrates by means of Radio Frequency (RF) CVD process. Silicon nitride and oxynitride were deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition technique and used as a dielectric underlayer. MIS devices were fabricated to allow electrical characterization. Moreover, the influence of underlayers on adhesion of c-BN to silicon substrate was examined.

4

Fizyczne własności epitaksjalnych warstw PbTe otrzymywanych przez odparowywanie laserowe.

Piotrowski T.

Inżynieria Materiałowa

|

2000

|

R. XXI, nr 6

392-394

PL

Przedstawiono metodykę uzyskiwania warstw epitaksjalnych ze związków AIVBVI z wykorzystaniem modulowanej wiązki lasera dużej mocy (10 do potęgi piątej W/cm kwadratowy) o długości fali 10,6 mm. Badano, w funkcji temperatury, zmiany współczynnika Halla warstw epitaksjalnych PbTe otrzymywanych przez laserowe odparowanie krystalicznego źródła, dla różnych temperatur (160-380 stopni Celsjusza) krystalicznego podłoża z BaF2(111). Zaobserwowano zmianę typu przewodności warstw z przewodności typu p na przewodność typu n, przy podwyższaniu temperatury podłoży, począwszy od 210 stopni Celsjusza. Wykorzystując pomiary STM badano topografię powierzchni warstw, określono wielkości ziaren na około 20-30 nm i po nałożeniu cienkiej warstwy złoża chropowatość powierzchni (<5 nm). Metoda epitaksji laserowej pozwoliła uzyskać warstwy o nietypowych elektrofizycznych właściwościach i koncentracjach elektronów w zakresie nie osiągalnym innymi metodami.

EN

In this report the investigation of PbTe layers are presented. The layers have been grown by source evaporation technique using a modulated infrared (10,6 micrometer) large power (10 to the 5th W/square centimetres) laser beam. Tempearture dependence of the Hall coefficient of PbTe layers has been investigated. The PbTe layers have been grown on monocrystal BaF2(111) substrate, using the laser beam assisted evaporation for various substrate temperatures in the range 160-380 degrees centigrade. During the increase of substrate temperature beginning from the temperature approximately 210 degrees centigrade the layer conductivity changed from p to n type. The topographic measurements with the STM for the determination of the surface roughness (after gold covering) and grain dimensions have been presented. The grain size (20-30 nm) and the surface roughness (<5nm) of layers were determined. Using the laser evaporation technique it is possible to obtain the non-typical electrophysical properties of epitaxial PbTe films and electron concentration in the range which is impossible to reach with other methods.