Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: electronic contact

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Cu thin films deposited by DC Magnetron sputtering for contact surfaces on electronic components

Mech K., Kowalik R., Żabiński P.

Archives of Metallurgy and Materials

2011

Vol. 56, iss. 4

903-908

The results of the DC magnetron sputtering of copper thin films with different parameters of deposition are presented. The main aim of studies was to determine the influence of current value, time of deposition and target-substrate distance on morphology and grain size of obtained copper thin films. The effects of film's thickness on the resistivity of copper thin films were investigated. The influence of parameters on the rate of deposition was also determined. The possibility of application of resulting films for contact surface in electronic components was discussed. The morphology was characterized by AFM method, the size of Cu deposited grains was calculated using Scherrer's method. The WDXRF method was used for estimate of thickness of sputtered films. The resistivity of obtained films was measured using four probe method.

W pracy przedstawiono wyniki badan nad wpływem parametrów napylania magnetronowego cienkich warstw Cu na ich własnosci. Głównym celem przeprowadzonych badan było okreslenie wpływu natezenia pradu, czasu osadzania, odległosci pomiedzy targetem a napylana powierzchnia na wielkosc ziarna oraz morfologie cienkich warstw. Przeprowadzono równiez badania nad wpływem grubosci warstwy na jej opór własciwy. Omówiona została mozliwosc stosowania warstw nanoszonych ta metoda w przemysle elektronicznym. Morfologie otrzymanych warstw charakteryzowano przy uzyciu mikroskopu AFM. Wielkosc ziarna oszacowana została na podstawie wzoru Scherrera. Grubosc warstw wyznaczono technika WDXRF. Do pomiarów oporu własciwego wykorzystano metode pomiaru czteropunktowego.

Rola analitycznej mikroskopii elektronowej w badaniach nowoczesnych materiałów.

Zięba P.

Inżynieria Materiałowa

2002

R. XXIII, nr 5

650-657

W pracy przedstawiono potencjał i możliwości analitycznej mikroskopii elektronowej jako techniki badawczej pozwalającej na określenie zmian składu chemicznego w obszarach rzędu kilku nanometrów. Dokonano szczególnej analizy spektroskopii promieniowania X z dyspersją energii (EDX) zwracając szczególną uwagę na znaczenie maksymalnej zdolności rozdzielczej poprzecznej, związku pomiędzy geometrią próbki, padającą wiązką elektronów i położeniem detektora EDX, granicy wykrywalności oraz problemu dekonwolucji (rozplatania) sygnału generowanego z próbki i gromadzonego przez detektor EDX. Potencjał i możliwości techniki EDX pokazano na podstawie przykładów analiz wykonanych dla określenia redystrybucji pierwiastków w złączach elektronicznych, w warstwie powierzchniowej stopów na bazie Ti po przetopieniu laserowym w atmosferze azotu oraz struktur wielowarstwowych MoSi stosowanych w rentgenografii.

Potential and capabilities of the analytical electron microscopy as a technique of determination of the chemical composition variation in the areas as small as several nanometers are described. Both methods of the chemical signal aquisition are considered, namely through an energy electron loss spectroscopy and an energy dispersive X-ray (EDX) spectroscopy. However, the emphasis is placed on the EDX as the most widely used technique. The spatial resolution, relation between sample geometry, incident electron beam and location of the EDX detector, detectability limit and deconvolution procedures are discussed as parameters which have strong impact on the quality of the chemical analysis. Potential and capabilities of the EDX technique are shown at the examples of chemical analyses performed in order to estimate the elements distribution in electronic contacts, surface layer of Ti-based alloys laser remelted at nitrogen environment and MoSi multilayers used in X-ray diffraction.