Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: electron Hall mobility

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Hall Mobility in 4H-SiC, measurements and Monte Carlo simulation

Woźny J., Donnarumma G., Lisik Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 3

23-25

Investigation of Hall Mobility in 4H-SIC done by means of simulation and measurements is presented. The Hall Mobility was calculated by means of Monte Carlo method and measured wilh the Van Der Pauw Approach. We found that simple Monte Carlo approach is yet accurate to retrieve proper shape of Hall Mobility dependence. These results were also confirmed by measurements done on well characterized samples. Results of Monte Carlo method are convergent with measurements and literature results. Thus Monte Carlo approach can be treated as a method for getting robust material parameters.

W artykule przedstawiona jest analiza ruchliwości Halla elektronów w 4H-SIC przeprowadzona jednocześnie przy pomocy pomiarów i symulacji. Ruchliwość Halla została wyliczona przy pomocy metody Monte Carlo a zmierzona za pomocą metody Van der Pauwa. Symulacje wykazały, iż metoda Monte Carlo jest na tyle dokładna, iż nawet przy wykorzystaniu prostych modeli zjawisk poprawnie odzwierciedla zależności ruchliwości od temperatury i poziomu domieszkowania. Wyniki symulacji zostały również potwierdzone pomiarami próbek SiC o dokładnie znanych parametrach. Uzyskane wyniki symulacji są zbieżne z danymi pomiarowymi i wartościami podawanymi w literaturze. Symulacje Monte Carlo można zatem traktować jako wiarygodną metodę określania parametrów półprzewodnika.