Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: electro-resistance effect

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Resistive memory physical mechanism in a thin-film Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag structure

Waśkiewicz J., Gołębiowski J.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 11

313-317

This paper presents results of experimental research on the electro-resistance memory effect in a thin-film Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag structure at temperatures of 78K to 300K. This phenomenon was explained by processes of destruction and recovery the oxygen-depleted layers situated close to electrodes and within the superconductor volume. The processes occur through ion electro-diffusion by numerous oxygen vacancies existing in perovskite-type materials.

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych zjawiska pamięci elektrorezystancyjnej w strukturze cienkowarstwowej Ag/YBa2Cu3O7-x/Ag w temperaturach od 78K do 300K. Zjawisko to wyjaśniono procesami likwidacji i odtwarzania warstw zubożonych w jony tlenu, znajdujących się w sąsiedztwie elektrod oraz w objętości nadprzewodnika. Procesy te zachodzą na drodze elektrodyfuzji jonów poprzez liczne wakansy tlenowe obecne w materiałach typu perowskitu.

Resistive memory effect in a thin-film structure based on YBa2Cu3O7-x superconductor

Gołębiowski J., Waśkiewicz J.

Przegląd Elektrotechniczny

2013

R. 89, nr 8

83--86

The paper presents results of the experimental research in which the electro-resistance memory effect have been observed in a thin-film structure based on a high-temperature YBa2Cu3O7-x superconductor exposed to electric current and an attempt to interpret the physical mechanism of that effect based on the processes of oxygen ion or electron trapping.

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych, w których zaobserwowano elektrorezystancyjne zjawisko pamięci w strukturze cienkowarstwowej opartej na nadprzewodniku wysokotemperaturowym YBa2Cu3O7-x poddanym działaniu prądu elektrycznego, oraz przeprowadzono próbę interpretacji mechanizmu fizycznego tego zjawiska w oparciu o procesy pułapkowania jonów tlenu albo elektronów.