Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2010

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: electrical conductivit

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Synergiczne układy warstwowe: azotek krzemu - warstwa przejściowa na multikrystalicznym krzemie

Bąk W., Jurzecka-Szymacha M., Jonas S., Tkacz-Śmiech K.

Inżynieria Materiałowa

2010

Vol. 31, nr 4

864-868

Sprawność ogniw fotowoltaicznych opartych o multikrystaliczny krzem może być skutecznie poprawiona przez stosowanie warstw a-SiNx:H. War- stwy takie mają dobre właściwości antyrefleksyjne, a zawarty w nich wodór bierze udział w pasywacji defektów podłoża. W pracy zaprezentowano wyniki badań warstwowych układów kompozytowych, w których pomiędzy podłożem i właściwą warstwą azotku krzemu zastosowano warstwę przejściową, wytworzoną w plazmie NH3 lub warstwę a-Si:H. Warstwy osadzono na multikrystalicznych podłożach krzemowych (mc- Si, BAYSIX) z zastosowaniem metody RFCVD. Część próbek (z warstwą) dodatkowo wygrzano w temperaturze 800°C. Takie postępowanie zapewnia warunki odpowiednie dla dyfuzji wodoru z warstwy do podłoża, poprawiając tym samym efekty pasywacji. W ocenie pasywacji defektów podłoża wykorzystano wyniki z pomiarów temperaturowej zależności przewodnictwa elektrycznego próbek z warstwami, przed i po wygrzewaniu.

An efficiency of solar cells based on multicrystalline silicon may be effectively improved with application of a-SiNx:H layers. They have good antireflective properties and take part in defect passivation of the substrate. It is shown, in this work, that good results may be expected when composed layer systems are used. We propose application of a transition layer between the substrate and the antireflective a-SiNx:H. This can be either an a-Si:H layer or a layer formed in NH3 plasma. The layers studied in this work were deposited on multicrystalline silicon (mc-Si, BAYSIX) with application of RFCVD. Some of the samples were additionally heated at 800°C to enhance the hydrogen diffusion from the layer to the substrate. Such treatment improves defect passivation. An evaluation of defect passivation was based on the results of measurements of temperature dependence of electrical conductivity performed for the samples with various layers, both before and after heating.