Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  efuzyjność
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
Thermal impedance measurement of semiconductor devices is one of the standard and well established methods of characterization. From such measurements can be obtained not only behavioral information in the form of graphs or models for thermal simulation, but also structural information about the thermal path involved, from source to sink, that can be very useful in device assembly process characterization and control. Structural information, however, usually requires many processing steps of measured data with its associated calculation burden and numerical errors. This work proposes a method to extract structural information from measured data in a straightforward way, with very few and elementary calculations, thus providing a useful analysis tool.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań warstwy wierzchniej ceramiki korundowej AI2Osub>2 po szlifowaniu, uzyskanej w warunkach plastycznego płynięcia materiału. Zamieszczono wyniki analiz termo fal owych warstwy wierzchniej szlifowanego materiału, umożliwiające wyznaczenie profilu głębokościowego przewodności cieplnej tej warstwy.
EN
This paper presents the investigations results of alumina ceramics (AI2O3 surface layer after grinding obtained in ductile-regime grinding. In the paper there have been shown the results of thermal wave analysis of polished material recast layer, which made possible the determination of depth profile thermal conductivity of worked material surface layer.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.