Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: efekt wymiarowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Zjawiska fluktuacyjne w obszarze interfejsu warstw rezystora grubowarstwowego

Stadler A. W., Kolek A., Zawiślak Z., Mleczko K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 11

22-25

Pokazano, że pewne systemy past rezystywnych i przewodzących używane do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych cechuje wzrost gęstości termicznie aktywowanych źródeł szumów ulokowanych w obszarze interfejsu warstw. Te źródła szumów podlegają procesowi przełączania, który skokowo zmienia układ aktywnych fluktuatorów i ich wkład w całkowity szum mierzony na zaciskach rezytora. Badania pozwalają związać zjawisko przełączania z uwalnianiem naprężeń mechanicznych, które w rezystorach grubowarstwowych powstają na skutek niedopasowania temperaturowych współczynników rozszerzalności liniowej materiałów wchodzących w skład warstw rezystywnej i przewodzącej oraz podłoża.

It is shown that certain resistive and conductive inks used for the fabrication of thick film resistors are characterized by enhanced denisty of thermally activated noise sources localized in the resistive/conductive layers interface. These noise sources are subjected to the switching phenomenon, which narrowly changes the set of active fluctuators and their contribution to the overall noise measured at resistors terminations. Extensive experiments allow to attribute the switchings to the relaxation of mechanical stress, which in thick film resistors appears due to the mismatch of thermal expansion coefficients of the materials contained in the layers and/or the substrate.