Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: efekt krótkiego kanału

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale

Sawicka A., Łukasiak L., Jakubowski A., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 2

80-84

Przedstawiono nowy model prądu drenu i pojemności w symetrycznym, niedomieszkowanym, dwubramkowym tranzystorze MOS. Model obejmuje wybrane efekty krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, nasycenie prędkości nośników, modulacja efektywnej długości kanału i napięcia dren-żródło, wzrost gęstości ładunku w kanale indukowany napięciem drenu, obniżenie wysokości bariery indukowane napięciem drenu). Model zaimplementowano w języku opisu sprzętu Verilog-A, a jego dokładność została zweryfikowana w oparciu o symulacje przeprowadzone za pomocą pakietu ATLAS.

A new model of drain current and capacitances in a symmetrical, undoped DG MOSFET is proposed. The new model includes several short-channel effects (dependence of threshold voltage on channel length, velocity saturation, effective channel-length and drain-source voltage modulation, drain-induced charge enhancement, drain induced barrier lowering). The model was implemented in Verilog-A Hardware Description Language. Its accuracy is verified by means of a comparison with ATLAS simulations.

Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS

Sawicka A., Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 9

123-126

Przeanalizowano wpływ uwzględnienia efektów krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, modulacja długości kanału, zwiększenie gęstości ładunku w kanale indukowane napięciem drenu) na dokładność modelowania charakterystyk prądowo-napięciowych dwubramkowego tranzystora MOS. Dokładność opracowanego modelu zweryfikowano na podstawie porównania z rezultatami symulacji numerycznych przeprowadzonych za pomocą programu ATLAS.

The influence of incorporation of selected short-channel effects (dependence of threshold voltage on channel length, channel-length modulation, drain-induced charge enhancement) on the accuracy of modeling the I-V characteristics of a DG MOSFET was analyzed. The accuracy of the developed model was verified by means of a comparison with ATLAS simulations.