Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  efekt fotowoltaiczny
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
Artykuł przedstawia wybrane wyniki badań własnych nad układami hybrydowymi zbudowanymi na bazie złącza półprzewodnik nieorganiczny II-VI / półprzewodnik organiczny. Na podstawie analizy położenia pasm energetycznych warstw wchodzących w skład wytworzonych ogniw oraz charakterystyk spektralnych prądu zwarcia tych urządzeń, określone zostały procesy prowadzące do fotogeneracji nośników ładunku w badanych układach. W ogniwach zbudowanych na bazie złącz CdS/ZnPc oraz ZnTe/F16ZnPc zaobserwowano zarówno generację bezpośrednią w półprzewodniku nieorganicznym (przejście pasmo-pasmo), jak i generację wynikającą z dysocjacji ekscytonów wzbudzonych w półprzewodniku molekularnym, zachodzącą na złączu obydwu półprzewodników. W przypadku układów zbudowanych na bazie złącza CdTe/DIP, zaobserwowano jedynie fotogenerację drugiego typu.
EN
This article presents chosen results of research on hybrid solar cells based on inorganic II-VI semiconductor/molecular semiconductor heterojunctions. On the basis of energetic structure of fabricated devices and short-circuit current spectral response measured for these cells possible processes leading to photogeneration of free charge carriers were determined. For the cells based on CdS/ZnPc and ZnTe/F16ZnPc heterojunctions two processes were identified: direct photogeneretaion in inorganic semiconductors via band-to-band transitions and dissociation of excitons generated in molecular semiconductors that takes place at the interface of both semiconductors forming the junction. In contrast, only the latter process was observed in case of devices with CdTe/DIP heterojunction.
PL
W pracy przedstawiono wyniki badań dla barwnikowych ogniw fotowoltaicznych, w których złącze półprzezroczysta elektroda przewodząca (TCO)/porowata warstwa ditlenku tytanu zostało zmodyfikowane przy użyciu wiązki lasera femtosekundowego. Przeprowadzone badania charakterystyki prądowo-napięciowej oraz elektrochemicznej spektroskopii impedancyjnej pozwoliły na opisanie wpływu modyfikacji granicy faz na parametry elektryczne urządzeń. Ogniwa słoneczne z fotoelektrodą poddaną działaniu promieniowania laserowego charakteryzują się prawie o 40% mniejszą rezystancją przeniesienia ładunku na granicy faz FTO/ TiO₂, co dalej przekłada się na ok. 40% wzrost wydajności w porównaniu do urządzenia, gdzie nie zastosowano modyfikacji.
EN
In the paper there are presented results of the research on dye-sensitized solar cells, where the interface: semitransparent conductive oxide electrode (TCO)/porous layer of titanium dioxide has been modified using a femtosecond laser radiation. The data obtained from current-voltage characteristics and electrochemical impedance spectroscopy spectra allowed to describe the influence of interfacial modification on the electrical parameters. DSSC with an electrode modified by laser is characterized by almost 40% lower charge transfer resistance at the FT0/TiO₂ interface, which lead to about 40% increase in efficiency in comparison to solar cell with unmodified photoelectrode.
PL
W pracy przedstawiono sposób określania efektywnego czasu życia nadmiarowych nośników prądu w obszarach granic ziaren krzemowych płytek multikrystalicznych przeznaczonych do wytwarzania ogniw słonecznych. Do pomiaru wykorzystano efekt fotowoltaiczny powstający na barierze potencjału związanej z granicą ziaren. Pomiary weryfikowano standardową metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa w czasie z detekcją mikrofalową.
EN
A method of effective carrier lifetime determination near grain boundaries in multicrystalline silicon wafers for solar cells is presented. Photovoltaic effect on potential barrier at grain boundary is used for measurements. Obtained results are werified by method of photoconductivity decay with microwave beam detection.
PL
Fotofizyka fotodiod jest oparta na zjawisku fotoidukowaniu ładunku w polimerze typu donorowego (poli 3-oktylo tiofen) i przeniesieniu go do nanocząsteczki SiC (wielkości 20-30 nm). Zaprezentowano przykładową strukturę dla diod fhotowoltaicznych i ich potencjalne zastosowania w konwersji energii słonecznej. Pokazano prosty model zachodzącego zjawiska. Obecnie nasze laboratorium osiągnęło wydajność 1,5% konwersji mocy światła padającego.
EN
The photophysics of such photoactive devices is based on the photo-induced charge transfer from donortype semiconducting conjugated polymer to acceptor-type nanoparticles SiC. Examples of photovoltaic architectures are presented and their potentia interrestrial solar energy conversion discussed. Recent progress in the realization of improved photovoltaic elements with 1,5% power conversion is reported.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.