Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2022

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: dynamic losses

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analysis and comparison of energy indices of dc-dc pulse converters

Dovudov Sarfaroz Umedovich, Dunaev Mikhail Pavlovich, Zhiravetska Anastasia, Plakhtii Oleksandr Andreevich, Yunusov Rustam Mingaysinovich, Safaraliev Murodbek Kholnazarovich

Przegląd Elektrotechniczny

2022

R. 98, nr 6

99--103

The computer simulation was used in order to analyze and compare circuit configurations of pulse-width converters and pulse-frequency converters. The principle of operation and main differences were described. The circuits of pulse-width converter and pulse-frequency converter were modelled in the Matlab software using blocks from the following library: Simulink / SimPowerSystem / Simscape. The block, which performs calculation of static and dynamic power losses of insulated gate bipolar transistor (IGBT), was created. The performance curves of the IGBT were approximated in order to calculate losses. The obtained curves quite accurately describe those of the IGBT in use (CM800HC-66H by MITSUBISHI). It was shown that dynamic losses can be reduced and conversion efficiency can be increased when using the pulse-frequency converters in comparison with pulse-width converters. It was noted that for values of duty cycle in the range from 0.1 to 0.5 the efficiency of pulse-frequency converter is significantly higher than that of pulse-width converter.

Symulacja komputerowa została wykorzystana do analizy i porównania konfiguracji obwodów przetworników o szerokości impulsu i częstotliwości impulsu. Opisano zasadę działania i główne różnice. Obwody przetwornika szerokości impulsu i przetwornika częstotliwości impulsu zamodelowano w programie Matlab z wykorzystaniem bloków z biblioteki: Simulink / SimPowerSystem / Simscape. Stworzono blok, który wykonuje obliczenia statycznych i dynamicznych strat mocy tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT). Krzywe wydajności IGBT zostały przybliżone w celu obliczenia strat. Otrzymane krzywe dość dokładnie opisują krzywe zastosowanego tranzystora IGBT (CM800HC-66H firmy MITSUBISHI). Wykazano, że przy zastosowaniu przekształtników impulsowo-częstotliwościowych można zmniejszyć straty dynamiczne i zwiększyć sprawność konwersji w porównaniu z przekształtnikami o szerokości impulsu. Stwierdzono, że dla wartości współczynnika wypełnienia w zakresie od 0,1 do 0,5 sprawność przetwornika częstotliwości impulsów jest znacznie wyższa niż przetwornika szerokości impulsu.