Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: dwutlenek rutenu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Gaussianity evaluation of noise in RuO2-glass resistors

Stadler A. W., Kolek A., Zawiślak Z., Mleczko K., Żak D., Ptak P., Szałański P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 12

31-33

Low-frequency noise in thick-film resistors of RuO2 and glass mixture study in temperature below 2 K has been described. Second spectra method has been used to test gaussianity of the measured noise. Possibility of nongaussianity in observed 1/f noise has been found at lowest temperature in experiment, T= 0.37 K.

Opisano badania szumu w zakresie małych częstotliwości w rezystorach RuO2-szkło w temperaturze poniżej 2 K. Zastosowano metodę widm drugiego rzędu do określenia cech gaussowskich zmierzonego szumu 1/f. Wykryto niestacjonarność szumu w najniższej temperaturze uzyskanej podczas eksperymentu, T= 0,37 K.

Źródła szumów w rezystorach grubowarstwowych na bazie dwutlenku rutenu

Kolek A., Zawislak Z., Stadler A. W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2005

Vol. 46, nr 10

38-40

Omówiono metodę pomiarów weryfikujących koncepcję, zgodnie z którą źródłem szumów niskoczęstotliwościowych są systemy dwustanowe o kinetyce aktywowanej termicznie. Pokazano, że takie systemy wywołują szumy w rezystorach grubowarstwowych wykonanych z past rezystywnych na bazie dwutlenku rutenu i szkła.

A study on low-frequency noise sources in thick film resistors made of resistive pastes based on ruthenium dioxide and glass has been presented. The paper focuses on the excess noise spectrum dependence on temperature in the range 77 K < T < 300 K. Experimental data have been then analyzed to extract characteristic values of activation energy and time constant describing unique features of the measured spectra. It has been proved that the noise in RuO2 + glass thick film resistors is caused by two-states systems of thermally activated kinetics.