Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 11

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  dwutlenek krzemu
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The effects of silica additive (Poraver) on selected properties of BioCo3 binder in form of an aqueous poly(sodium acrylate) and dextrin (PAANa/D) binder were determined. Based on the results of the thermoanalytical studies (TG-DTG, FTIR, Py-GC/MS), it was found that the silica additive results in the increase of the thermostability of the BioCo3 binder and its contribution does not affect the increase in the level of emissions of organic destruction products. Compounds from group of aromatic hydrocarbons are only generated in the third set temperature range (420-838°C). The addition of silicate into the moulding sand with BioCo3 causes also the formation of a hydrogen bonds network with its share in the microwave radiation field and they are mainly responsible for maintaining the cross-linked structures in the mineral matrix system. As a consequence, the microwave curing process in the presence of Poraver leads to improved strength properties of the moulding sand […]. The addition of Poraver's silica to moulding sand did not alter the permeability of the moulding sand samples, and consequently reduced their friability. Microstructure investigations (SEM) of microwave-cured samples have confirmed that heterogeneous sand grains are bonded to one another through a binder film (bridges).
PL
W pracy analizowano wpływ wygrzewania niskotemperaturowego w atmosferze O₂ i N₂O na rozkład przestrzenny azotu w warstwach dwutlenku krzemu (SiO₂) wytwarzanych metodą utleniania termicznego powierzchni podłoży z węglika krzemu typu n o polarności krzemowej - 4H-SiC (0001). Warstwy SiO₂, wytwarzano w atmosferze mokrego O₂ w temperaturze 1175°C. Po procesie utleniania wszystkie próbki zostały wygrzane w temperaturze 800°C w czasie 2 godzin lub 4 godzin w obecności różnych atmosfer gazowych (suchy N₂O lub suchy O₂), a następnie zostały wygrzane w azocie w procesie wysokotemperaturowym. Wykazano, że parametry utleniania i wygrzewania mają silny wpływ na parametry elektryczne kondensatorów MOS, co jest związane przede wszystkim ze zmianą rozkładu przestrzennego azotu w warstwie SiO2 w wyniku zastosowania różnych parametrów prowadzonych procesów termicznych. W pracy przedstawiono zależności pomiędzy parametrami prowadzonych procesów i parametrami elektrycznymi kondensatorów MOS.
EN
The effect of the n-type 4H-SiC (0001) oxidation followed by low temperature annealing in N₂O on nitrogen distribution in silicon dioxide was investigated. Specificalfy, the gate oxides were formed by oxidation in wet 0₂ at temperature of 1175°C. After oxidation process, all samples were annealed at temperature of 800°C for 2 or 4 hours using different atmospheres (dry N₂O or dry O₂) followed by high temperature annealing in nitrogen ambient. It was shown that the oxidation and annealing parameters have a strong impact on the behavior of electrical parameters of MOS capacitors using the oxides as gate dielectric what is probably an effect of nitrogen incorporation. The explanation of observed electrical properties is explained in the article.
EN
A laboratory scale plasma enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) process was developed for obtaining thin films from tetramethoxysilane (TMOS) in mixtures with He and O2 on silicon single crystals using electric discharges, stabilized with a dielectric barrier under atmospheric pressure. The films deposited were of a good adhesion to the substrate and smooth. The rate of films deposition was measured and their composition was determined by infrared spectroscopy with Fourier transformation (FTIR) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The topography of the films was determined using atomic force microscope (AFM).
EN
The mass ratios of the total calcium to aluminium contents, Ca/Al, in liquid steel in equilibrium state with calcium aluminosilicates C12A7-SiO2 and C3Al-SiO2 inclusions, i.e. 12CaO·7AI203 and 3CaO·Al2O3 inclusions containing some silica dissolved, were calculated. The Ca/Al value used to be a technologic criterion of alumina inclusions transformation into calcium aluminate CI2A7 accomplished by calcium treatment of steel with the purpose of decreasing of the total oxygen content and obtaining a good castability. Taking CI2A7 and C3A1 inclusions as the example it was found that silica dissolved in the inclusions decreases the value of Ca/Al ratio. The mass ratio Ca/Al is very sensitive to the chemical activity of oxygen in steel and temperature, and is altered as the floating-out of the inclusions follows. Although the Ca/Al data in steel containing C3A1 is generally much greater than in the one with C12A7 inclusions, one can conceive the steel conditions (oxygen activity, total aluminium content. temperature) when Ca/A data for steel with C3A1 inclusions will be nearly the same as for steel with C12A7 ones.
PL
Obliczono stosunek masowy całkowitych zawartości wapnia do glinu (tzw. Ca/Al) w stali zawierającej w warunkach równowagowych wtrącenia gliniokrzemianów wapnia C12A7-SiO2 oraz C3A1-Si02 tzn. wtrącenia 12CaO·7Al2O3 oraz 3CaO·Al2O3 z niewielką ilością rozpuszczonego dwutlenku krzemu SiO2. Wartość Ca/Al bywa traktowana jako technologiczny wskaźnik przekształcenia tlenku glinu w glinian wapnia C12A7 w celu uzyskania niskiej zawartości tlenu całkowitego oraz zapewnienia dobrej lejności stali. Na przykładzie wtrąceń C12A7 oraz C3A1 wykazano, że obecność w nich rozpuszczonego dwutlenku krzemu obniża wartość Ca/Al. Stosunek Ca/Al jest bardzo czuły na aktywność tlenu w stali i temperaturę oraz zmienia się w miarę wypływania wtrąceń. Mimo że w stali zawierającej wtrącenia C3A1 stosunek całkowitej zawartości wapnia do glinu jest zazwyczaj znacznie większy niż w stali z wtrąceniami C12A7, to mogą istnieć takie warunki (aktywność tlenu, zawartość glinu całkowitego, temperatura stali), że wartość Ca/Al w stali z wtrąceniami C3A1 będzie podobna jak w stali z wtrąceniami C12A7.
PL
Praca dotyczy wytwarzania warstw SiO2 i SiNxOy metodą termiczną na podłożach 4H-SiC. Na podstawie pomiaru wysokoczęstotliwościowej charakterystyki pojemnościowo-napięciowej (HF C-V) zostały wyliczone: napięcie płaskich pasm, ładunek efektywny, średnia gęstość stanów pułapkowych, domieszkowanie podłoża. Wartości otrzymanych parametrów wskazują na możliwość zastosowania badanych warstw jako dielektryka bramkowego lub do pasywacji przyrządów mocy typu MS i MIS wytwarzanych na podłożach 4H-SiC.
EN
The thermal oxidation and nitridation of 4H-SiC surface was carried out. Flat-band voltage, equivalent oxide charge, average interface-state density and epitaxial layer doping were extracted from the HFcapacitance-voltage curves. Satisfactory electrical parameters of films indicate a possibility of application as a gate insulator for MIS devices and also for passivation and as an edge termination for power MS and MIS devices.
6
Content available remote Synthesis and investigation of textural properties of silica gels
EN
Texture properties and structure of silica gels prepared by so-gel processing using different types of solvents and doped with Fions have been investigated by evaluating the specific surface area and pore specific volume. Solids were characterized by nitrogen adsorption at 77 K. XRD measurements were used to determine structure and scanning electron micrographs studies (SEM) were applied to observe an image of silica.
7
Content available remote Time-dependent slurry viscosity of fine-grained silicon dioxide particles
EN
The silicon dioxide particles are obtained as a result of chemical reaction of the sodium silicate in the aqueous glycol solytion with the gaseous carbon dioxide supplying the reaction mixture in the riser of the draft-tube airlift reactor. It is observed the viscosity changes during the reaction time. It is noticed that the gas flow rate influence distinctly the start moment of the reaction as well as the suspension viscosity course during the reaction i.e. gas supplying duration.
EN
Exfoliated graphite (EG) produced on an industrial scale found a new application such as a sorbent for the removal of heavy oils from water. Some investigations of the oil sorption on EG were performed with very satisfactory results. In this paper two methods of EG preparations will be discussed to consider the quality of the obtained product for an oil sorbent application and the influence the way of EG production on the environment.
9
Content available remote Copolymerization of ethylene with 1-hexene over supported zirconocene catalysts
EN
Two supported zirconocene catalysts were prepared: (I) SiO2/MAO/Me2Si(Ind)2ZrCl2 (0.1 wt. % Zr, 9.0 wt. % Al) and (II) MgCl2/Me2Si(Ind)2ZrCl2 (0.2 wt. % Zr, 1.6 wt. % Al). Ethylene was homopolymerized and copolymerized with 1-hexene (70-90°C, 6 bar, TIB A as cocatalyst) over (I) and (II). Catalyst (I) incorporated the comonomer as much as did the homogeneous catalyst of the same composition. MgCl2 used as support resulted in reduced copolymerization reactivity of the catalyst. Copolymer crystallinity and catalyst activity were studied in relation to the concentration of 1-hexene.
PL
Zbadano przebieg procesów homopolimeryzacji etylenu i kopolimeryzacji etylenu z 1-heksenem wobec układów katalitycznych SiO2/MAO/Me2Si(Ind)2ZrCl2 + TIBA (układ I, gdzie MAO = metyloaluminoksan, Ind = indenyl, TIBA = triizobu-tyloglin) oraz MgCl2/Me2Si(Ind)2ZrCl2 + MAO (układ II) w temp. 70-90°C (tabele 1-3, rys. 1 i 2). Wprowadzenie 1-heksenu jako komonomeru znacznie zwiększa katalityczną aktywność układu I oraz zmniejsza stopień krystaliczności produktu. Wzrost stężenia 1-heksenu w kopolimeryzacji wobec układu II powoduje zmniejszenie aktywności katalizatora. Określono też wpływ rodzaju nośnika (SiO2 lub MgCl2) na współczynnik reaktywności etylenu (r1) w kopolimeryzacji (tabela 4); jest on większy w przypadku zastosowania MgCl2.
PL
Nowość badanej metody typu PE-CVD (plazmowego osadzania powłok z fazy gazowej) polega na zastosowaniu wyładowania niejednorodnego pod ciśnieniem atmosferycznym. Przez polikondensację substancji krzemoorganicznych (HMDSN oraz TEOS) otrzymywano amorficzne powłoki ze związków krzemu o grubości 10-200 nm. Przez dobór warunków wyładowania można było uzyskać powłoki o dużej twardości, zawierające znikome ilości substancji organicznych albo-odwrotnie-zawierajace znaczne ilosci składników organicznych, o mniejszej twardości i o małym współczynniku tarcia.
EN
The novelty of the PE-CVD process under investigation consists in using of non-homogeneous electric barrier-discharges operating under atmospheric pressure. Amorphous 10-200 nm thick films of silicon, compounds were deposited by polycondensation of organo-silicon substances (HMDSN and TEOS). Under selected discharge conditions, it was possible to obtain hard films with very low content of organic admixtures or, on the other hand, much softer ones of low friction coefficient and containing considerable amounts of organic components.
EN
The structure of most porous materials is quite complex. In the last two decades the characterisation of the structure of these materials made a milestone progress owing to the use of fractal geometry. At present it is generally accepted that the fractal models of pore structure describe the real structure better than the classical models which assume the existence of macro-, meso- and micropores of simple geometry. Pores are essential in materials applied as catalysts, filters, membranes, adsorbents. Thus the knowledge of the specific surface area, pore size and roughness of pore-solid interface is the prime importance. These parameters in the length scale 5-1000 angstrom can be estimated by the small-angle X-ray scattering (SAXS) method. The SAXS studies were performed on different porous silica materials, zirconia aerogels and metal foils electrodeposited in galvanostatic conditions. The fractal concept was applied to facilitate the interpretation of SAXS results.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.