PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 4

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  drajwer
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Porównanie falowników klasy DE z pasma 13,56 MHz zbudowanych na tranzystorach SiC MOSFET i GaN FET
Przybyła Krzysztof, Kasprzak Marcin
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 7
68--71
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów sprawności czterech falowników o mocy wyjściowej do 450W, dwóch zbudowanych na tranzystorach SiC a dwóch na GaN. Tranzystory mają klasę napięciową (650 – 900)V, prądową (20-30)A, obudowy przewlekane (TO-220, TO-247) i SMD (np. D2PAK-7). Badania wykazały, że tranzystory GaN pozwalają na uzyskanie sprawności całkowitej (89-92)% natomiast tranzystory SiC sprawności (70-80)%. Uzyskane sprawności falowników z tranzystorami GaN są wyższe niż podobnych falowników z najlepszymi Si RF MOSFET.
EN
Efficiency measurement results of the four inverters with output power up to 450W, built with SiC (2x) and GaN (2x) transistors are presented in the paper. Used transistors were in (650-900)V voltage class, (20-30)A current class, (TO-220, TO-247) THT cases and (e.g. D2PAK-7) SMD cases. The research has shown that GaN and SiC transistors allow to obtain total efficiency of (89-92)% and (70-80)% respectively. The obtained efficiency results of the inverters with GaN transistors are higher than similar inverters with the best Si RF MOSFETs.
2
Content available remote Wpływ obudowy tranzystora SiC MOSFET na sprawność energetyczną falownika klasy DE z pasma 13,56 MHz
Przybyła K., Kasprzak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2018
|
R. 94, nr 3
87--90
PL
W artykule przedstawiono wyniki pomiarów falownika klasy DE 12 MHz z tranzystorami SiC MOSFET C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ). Pomiarów falownika dokonano dla dwóch wersji tranzystorów, z obudową TO-247 i D2PAK-7. Badania wykazały, że tranzystory w obudowie D2PAK-7 umożliwiają uzyskanie wyższej sprawności niż tranzystory w obudowie TO-247 (dla E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Uzyskane wartości sprawności nie są mniejsze niż opisywane w literaturze.
EN
Measurement results of 12 MHz Class DE inverter with SiC MOSFET transistors C3M0120090 (900 V, 22 A, 120 mΩ) are presented in the paper. Measurements were done with two versions of transistors, in case TO-247 and D2PAK-7. Laboratory tests showed that transistors in D2PAK-7 case allow to obtain higher efficiency of Class DE inverter than transistors in TO-247 case (for E=200 V: ηTO-247=68%, ηD2PAK-7=84%). Obtained efficiency values are not lower then described in the literature.
3
Content available remote Wysokoczęstotliwościowe falowniki rezonansowe klasy DE i E – modelowanie, sterowanie, zastosowania
Kasprzak M., Kaczmarczyk Z., Legutko P., Zaleśny P.
Prace Naukowe Politechniki Śląskiej. Elektryka
|
2015
|
z. 4
69--80
PL
W artykule zaprezentowano dwa falowniki rezonansowe klasy DE i E, bazujące na tranzystorach MOSFET i pracujące w zakresie częstotliwości megahercowych. Opisano zasadę działania obu falowników oraz ich modele analitycznonumeryczne. W modelach falowników uwzględniono pojemności wyjściowe oraz skończone czasy wyłączania tranzystorów MOSFET. Opisano najnowsze tranzystory RF Power MOSFET oraz ich drajwery – dyskretne i rezonansowe. Podano przykład zastosowania falownika klasy DE o mocy 500 W i częstotliwości 13,56 MHz do nagrzewania dielektrycznego.
EN
Two resonant inverters, Class DE and E, based on MOSFET transistors and at frequencies in the megahertz’s range are described in the paper. The operation principle and analytically-numerical models are presented. The output capacitance and sufficient switch-off time of MOSFET is taken into account in inverter models. The most recent RF Power MOSFET transistors and two types of gate drivers are described – discrete type and resonant type. An example of application of 500 W/13,56 MHz Class DE inverter dedicated to dielectric heating is discussed too.
4
Content available Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy
Legutko P.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2014
|
R. 60, nr 3
188--191
PL
W artykule przedstawiono nową konstrukcję dyskretnego drajwera dedykowanego do zastosowań z wysokoczęstotliwościowymi tranzystorami MOSFET mocy. Przedstawiono przebiegi czasowe oraz charakterystyki strat mocy zarówno drajwerów scalonych, jak i nowego dyskretnego układu. Opracowany dyskretny układ drajwera charakteryzuje się niskimi stratami mocy i krótszymi czasami przełączeń przy częstotliwości 30 MHz. Koszt opracowania nowego drajwera jest kilkakrotnie niższy niż koszt zakupu drajwera scalonego.
EN
This paper presents a systematic approach to the design of high performance gate drive circuits for high speed switching applications. Two integrated drivers DEIC420, DEIC515 and additionally one discrete driver UCC27526 have been designed in the project. The UCC27526 driver was built with low-power discrete circuits connected in parallel by means of appropriate buffers reinforcement signal generator. Figure 1 shows the transistor gate circuit connected to the driver circuit. Figures 2 and 3 present the circuit driver UCC27526. Additionally, in this paper there are presents the characteristics of the driver input power (Fig. 4) for three operating states: a) no load; b) capacitance load 3 nF; c) loading with MOSFET gate. The output voltage waveforms for the DEIC420 and 8xUCC27526 drivers for three operating states are shown in Figures 5 and 6. The new MOSFET Drivers have been verified by use in the universal laboratory in the Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics of Silesian University of Technology.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.