Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: double-gate MOSFET

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Double-gate MOSFET Model Implemented in Verilog-AMS Language for the Transient Simulation and the Configuration of Ultra Low-power Analog Circuits

Smaani Billel, Meraihi Yacin, Nafa Fares, Benlatreche Mohamed Salah, Akroum Hamza, Latreche Saida

International Journal of Electronics and Telecommunications

2021

Vol. 67, No. 4

609--614

This paper deals with the implementation of a DC and AC double-gate MOSFET compact model in the Verilog-AMS language for the transient simulation and the configuration of ultra low-power analog circuits. The Verilog-AMS description of the proposed model is inserted in SMASH circuit simulator for the transient simulation and the configuration of the Colpitts oscillator, the common-source amplifier, and the inverter. The proposed model has the advantages of being simple and compact. It was validated using TCAD simulation results of the same transistor realized with Silvaco Software.

Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs

Schwarz M., Calvet L. E., Snyde J. P., Krauss T., Schwalke U., Kloes A.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

2017

Vol. 8, nr 2

72--79

In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.

Modelowanie wybranych efektów krótkiego kanału w dwubramkowym tranzystorze MOS

Sawicka A., Łukasiak L., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 9

123-126

Przeanalizowano wpływ uwzględnienia efektów krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, modulacja długości kanału, zwiększenie gęstości ładunku w kanale indukowane napięciem drenu) na dokładność modelowania charakterystyk prądowo-napięciowych dwubramkowego tranzystora MOS. Dokładność opracowanego modelu zweryfikowano na podstawie porównania z rezultatami symulacji numerycznych przeprowadzonych za pomocą programu ATLAS.

The influence of incorporation of selected short-channel effects (dependence of threshold voltage on channel length, channel-length modulation, drain-induced charge enhancement) on the accuracy of modeling the I-V characteristics of a DG MOSFET was analyzed. The accuracy of the developed model was verified by means of a comparison with ATLAS simulations.