Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: doping of semiconductors

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Kształtowanie warstw dyfuzyjnych przy wykorzystaniu domieszek wolnodyfundujących

Wróbel E., Filipowski W., Waczyński K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2008

Vol. 49, nr 11

70-72

W trakcie prac przeprowadzono rozważania teoretyczne i badania doświadczalne, które mają dać odpowiedź, jak kształtować warstwę emiterową w procesie domieszkowania dyfuzyjnego. Źródłem domieszki był arsen. Aplikacja źródła odbywała się poprzez rozwirowanie. Analizowano dwa podstawowe parametry charakteryzujące warstwę dyfuzyjną: rezystancję powierzchniową Rs [W/D] oraz głębokość położenia złącza xj [µm]. Otrzymane struktury półprzewodnikowe były oceniane pod kątem przydatności do użycia jako ogniwa słoneczne. Dokonano również oceny, czy proces wytwarzania jest opłacalny i czy ma szansę w zastosowaniu na skalę przemysłową.

The study covered theoretical and experimental investigations which should answer the question how to form a doped layer during diffusion doping. Arsenic was the dopant applied by the spin-on technique. The two most important parameters of emitter layers are surface resistance RS[W/D] and xj junction depth [µm]. An analysis of their results helps to determine whether a given process is reproducible. Moreover, this helps assess the quality of a finished product. Strict and frequent control of the parameters detects the weakest points of the process of diffusion layer production. This results in an increase in the output which is the most important parameter of industrial production.