Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  doping effects
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
PL
W pracy przedstawiono teoretyczne podstawy oraz weryfikację eksperymentalną nowatorskiej metody określania stężenia i ruchliwości dominujących defektów punktowych w tlenkach i siarczkach metali przejściowych. Istota proponowanej metody sprowadza się do badania struktury defektów i własności transportowych tlenków i siarczków metali na drodze pośredniej, tj. badając wpływ różnowartościowych domieszek na kinetykę powstawania tych związków. Wykazano, że analiza wyników utleniania odpowiednio dobranych stopów dwuskładnikowych pozwala na wyznaczenie entalpii i entropii powstawania i migracji defektów. W oparciu o te dane istnieje możliwość obliczenia stężenie defektów oraz ich ruchliwość w czystych, tzn. niedomieszkowanych materiałach tlenkowych, co przedstawiono na przykładzie niestechiometrycznego tlenku niklu, Ni1-yO.
EN
The theoretical basis and experimental verification of novel method, enabling the calculation of point defect concentration and their mobility in transition metal oxides and sulphides have been presented. The idea of proposed method consists in determination of the defect structure and transport properties of metal oxides and sulphides in indirect way, i.e. in studying the influence of aliovalent metallic additions on the oxidation kinetics of a given metal. It has been shown that from the results of oxidation kinetics of binary alloys, the enthalpy and entropy of defect formation and their migration can be calculated. These data, in turn, can be used for the calculation of defect concentration and defect mobility in pure, undoped oxides. Such a possibility has been illustrated on the example of nonstoichiometric nickel oxide, Ni1-yO.
EN
The dielectric properties of Sb2O3 doped (Ba0.992-xSrxDy0.008)TiO3.004ceramics fabricated by a solid state route with various Sb2O3 contents and Sr/Ba ratios were investigated. The XRD patterns confirm the samples to be multiphase compounds composed of perovskite major phase and Ba4Ti13O30, Ba6Ti17O40, Ti7O13 secondary phases. The average lattice constant indicates that Sb3+ ions initially occupy the A-sites and then enter the B-sites serving as acceptor dopants. The Curie temperature decreases as the Sb2O3 content increases and as the Sr/Ba ratio increases also. The thermal stability of the electric permittivity increases as the Sb2O3 concentration increases but decreases as the Sr/Ba ratio increases. The resistivity and ac standing voltage decrease as the Sr/Ba ratio decreases. The Sb2O3 doped (Ba0.992-xSrxDy0.008)TiO3.004 ceramics with high permittivity, low dielectric loss, high ac standing voltage and low temperature coefficient of capacitor are obtained for applications in environment friendly capacitors.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.