W niniejszym artykule poddano weryfikacji wyznaczone przez autorów efektywne wartości współczynnika dyfuzji fosforu w krzemie. W ramach przeprowadzonych badań, w różnych temperaturach procesu domieszkowania dyfuzyjnego, wytworzono warstwy emiterowe na podłożach krzemowych a następnie dokonano pomiarów rezystancji powierzchniowej. W kolejnym etapie wyniki pomiarów porównano z wartościami obliczonymi z wykorzystaniem efektywnych wartości współczynnika dyfuzji.
EN
In this paper was verified effective diffusion coefficient of phosphorus in silicon. As part of the research have been produced emitter layers on silicon wafers and then sheet resistance were measured. In a next step the measurement results are compared with the values calculated using the effective diffusion coefficient.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.